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本发明提供一种N型导电导热超晶格DBR垂直式蓝光LED芯片及其制作方法，该方法是首先在蓝宝石衬底的上表面形成发光外延层，并在发光外延层上制备出透明导电层，然后在透明导电层上低温蒸镀N型导电导热超晶格DBR层，以使该透明导电层与N型导电导热超...
该专利属于上海博恩世通光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海博恩世通光电股份有限公司授权不得商用。

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