一种由太赫兹波调控的超晶格器件结构制造技术

本发明专利技术提供一种由太赫兹波调控的超晶格器件结构,至少包括：半导体超晶格器件；该半导体超晶格器件设有衬底及位于其上且由势垒和势阱交替堆叠而成的周期性结构；位于该周期性结构上的重掺杂接触层及该重掺杂接触层上的上电极；与该半导体超晶格器件构成闭合回路的电阻、施加于超晶格生长方向的太赫兹波及施加于垂直于超晶格生长方向的磁场。将太赫兹波耦合进超晶格实现了对电子运动状态的调控。在太赫兹场和磁场作用下，通过测量超晶格外电路的电流或者电阻两端的电压得到超晶格微带电子的运动状态。本发明专利技术的器件结构工艺简单，可以很方便的实现对超晶格体系中电子运动状态的调制。

【技术实现步骤摘要】
一种由太赫兹波调控的超晶格器件结构
本专利技术涉及一种太赫兹光电器件技术，特别是涉及一种由太赫兹波调控的超晶格器件结构。
技术介绍
太赫兹(terahertz，THz，1THz＝1012Hz)波通常是指频率在0.1-10THz，相应的波长从3mm到30μm范围内，位于毫米波与红外光之间频谱范围相当宽的电磁波。由于其自身独特的物理性质，太赫兹波在高速通信、物质检测和频谱分析等方面具有广阔的应用前景，太赫兹科学技术已成为对现代科学技术、国民经济和国防建设有重要影响的前沿学科。太赫兹光子能量很低，频率为1THz的电磁波能量约为4meV。半导体超晶格的特征能量，如微带宽度、带隙、费米能级、等离子体振荡频率、Bloch振荡频率等都处于太赫兹光子能量范围。因此，太赫兹波与半导体超晶格微结构的相互作用能够显示出许多有趣的物理现象和丰富的物理内涵，如THz辐照下载流子吸收、THz诱导的多光子共振隧穿以及多光子磁声子共振等。近年来，半导体超晶格中的混沌现象引起了人们的关注。理论研究发现，在太赫兹波和磁场共同作用下，半导体超晶格中的电子表现出周期、准周期以及混沌等不同的状态。这些不同的电子动力学性质受到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种由太赫兹波调控的超晶格器件结构，其特征在于，所述器件结构至少包括：半导体超晶格器件；所述半导体超晶格器件至少包括：衬底及位于该衬底上且由势垒和势阱交替堆叠构成的周期性结构；位于所述周期性结构上表面的重掺杂接触层以及位于该重掺杂接触层上表面的上电极；位于所述衬底上的下电极；所述器件结构还包括：连接于所述半导体超晶格器件上、下电极且与所述半导体超晶格器件构成闭合回路的电阻、施加于所述半导体超晶格器件中超晶格生长方向的太赫兹波以及施加于垂直于所述超晶格生长方向的磁场。

【技术特征摘要】
1.一种由太赫兹波调控的超晶格器件结构，其特征在于，所述器件结构至少包括：半导体超晶格器件(01)；所述半导体超晶格器件至少包括：衬底(10)及位于该衬底上且由势垒(110)和势阱(111)交替堆叠构成的周期性结构(11)；位于所述周期性结构上表面的重掺杂接触层(12)以及位于该重掺杂接触层上表面的上电极(13)；位于所述衬底上的下电极(14)；所述器件结构还包括：连接于所述半导体超晶格器件上、下电极且与所述半导体超晶格器件构成闭合回路的电阻(02)、施加于所述半导体超晶格器件中超晶格生长方向的太赫兹波以及施加于垂直于所述超晶格生长方向的磁场；所述半导体超晶格器件的微带宽度为22meV。2.根据权利要求1所述的由太赫兹波调控的超晶格器件结构，其特征在于：所述势垒由Al0.3Ga0.7As构成；所述势阱由GaAs构成；所述周期性结构的周期数为100。3.根据权利要求2所述的由太赫兹波调控的超晶格器件结构，其特征在于：所述周期性结构为N型掺杂结构，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：王长，曹俊诚，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31