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本发明提供一种由太赫兹波调控的超晶格器件结构,至少包括：半导体超晶格器件；该半导体超晶格器件设有衬底及位于其上且由势垒和势阱交替堆叠而成的周期性结构；位于该周期性结构上的重掺杂接触层及该重掺杂接触层上的上电极；与该半导体超晶格器件构成闭合回...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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