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本发明提供一种具有DBR型电流阻挡层的LED芯片及其制作方法，所述制作方法是首先提供一蓝宝石衬底，并在蓝宝石衬底的上表面形成发光外延层，然后在该发光外延层的P-pad区蚀刻出具有波浪形侧壁及平整底面的凹槽，接着在该凹槽的表面形成介质型DBR...
该专利属于上海博恩世通光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海博恩世通光电股份有限公司授权不得商用。

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