半导体元件镀膜制程方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件镀膜制程方法，包括步骤如下：1）在背镀反射层前先对晶元进行减薄；2）对晶元进行雷射隐形切割；3）将雷射隐形切割后的晶元粘附、键合于一坚固基板上；4）背镀氧化层或金属层；5）背镀完成后将粘附、键合的基板进行剥离；6）劈裂。本发明专利技术方法，通过增加将晶元粘附、键合于一坚固基板上的工序，解决了现有技术在隐形切割后仅靠一胶带粘附，晶元仍脆弱难以处理，且易破片的问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体元件镀膜制程方法，包括步骤如下：??1）在背镀反射层前先对晶元进行减薄；??2）对晶元进行雷射隐形切割；??3）将雷射隐形切割后的晶元粘附、键合于一坚固基板上；??4）背镀氧化层或金属层；??5）背镀完成后将粘附、键合的基板进行剥离；??6）劈裂。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：单立伟，
申请(专利权)人：合肥彩虹蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：