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半导体元件镀膜制程方法技术
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文档序号:9061491
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本发明公开一种半导体元件镀膜制程方法,包括步骤如下:1)在背镀反射层前先对晶元进行减薄;2)对晶元进行雷射隐形切割;3)将雷射隐形切割后的晶元粘附、键合于一坚固基板上;4)背镀氧化层或金属层;5)背镀完成后将粘附、键合的基板进行剥离;6)劈...
该专利属于合肥彩虹蓝光科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过合肥彩虹蓝光科技有限公司授权不得商用。
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