一种增加多晶硅还原炉里硅芯根数的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种增加多晶硅还原炉里硅芯根数的方法及装置。多晶硅生产是利用三氯氢硅与氢气在还原炉内的硅芯表面上发生化学反应后生成的，因此生产量与硅芯的表面积有关，硅芯表面积大的，参加反应的面积就大，生产速度就快。现有还原炉里的每个石墨电极上只有1根硅芯，而本发明专利技术是每个石墨电极上可以有2～8根硅芯，因此，表面积就大，从而可以改变多晶硅生产慢的不利局面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到一种增加多晶硅还原炉里硅芯根数的方法，而且是一种不增大还原炉就可增加硅芯根数的方法。
技术介绍
目前，我国有90%以上的多晶硅生产厂家是采用改良西门子法(三氯氢硅氢还原法)来生产多晶娃。该法生产多晶娃是利用三氯氢娃与氢气在还原炉内的娃芯表面发生化学反应后生成的。其生产 量与硅芯的表面积有关。在相同压力、流量和温度的工艺条件下，硅芯表面积大的，产生的多晶硅就多，因此生产速度就快，生产量就高。改良西门子法的历史较长，生产工艺相对成熟，但由于最初的多晶硅还原炉里的只有三对电极，每个电极上只连接一根硅芯，每根硅芯只有一米长，直径只有3 5毫米，其硅芯的表面积太小，所以采用该法生产多晶硅，生产的速度就慢。近年来，为了加快生产速度，生产多晶硅的企业普遍采取加大炉体和增加硅芯对数和直径的方法来增大硅芯的表面积。原来一般的还原炉高度只有I米多，而现在已超过了 3米。还原炉高了，硅芯就可以长了，一般可达到3米。如果硅芯的直径不变，现在的每根硅芯的表面积就是原来的3倍。实际上，现在使用的硅芯的直径也增大了，原来是3 5毫米，现在一般是8 12毫米。硅芯直径增大，表面积也增大，如果是从3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种增加多晶硅还原炉里硅芯根数的方法，它包括以下步骤：①首先将每根硅芯(3)的两端都磨成锥度为1∶3～1∶10的锥形；②将还原炉里的每个金属电极(1)上都安装一个石墨电极(2)，并保证石墨电极(2)与金属电极(1)接触良好，以通电后石墨电极(2)和金属电极(1)的接触处不打火、不发红为准；③在石墨电极(2)中心孔的周围有2～8个大直径朝上的锥形小孔(7)，在每个小孔里装上一根硅芯(3)，并保证硅芯(3)与石墨电极(2)接触良好；④然后再将每根硅芯(3)的上端分别插入石墨固定板(4)的锥形小孔里，并保证硅芯(3)与石墨固定板(4)接触良好；⑤每两个石墨固定板(4)用一根横梁(8)连接起来，组成了...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘雅铭，刘寄声，
申请(专利权)人：刘雅铭，
类型：发明
国别省市：