【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种多晶硅还原炉高压启动装置。
技术介绍
多晶硅还原炉高压启动装置的功能是把多晶硅还原炉中的130°C左右的多晶硅硅芯加热到1100°C左右。多晶硅硅芯在130°C左右呈现100ΚΩ左右的电阻，在1100°C左右呈现10Ω左右的电阻。因此，低温阶段必须在多晶硅硅芯施加6 — 12KV的高压，才能产生升温所需要的加热功率。现有技术中多晶硅还原炉高压启动装置采用380V电源给可控硅调压器供电，可控娃调压器输出的可调电压再经过升压变压器输出最高电压6—12KV的可调电压。6—12KV的高压一方面要求多晶硅硅芯两端对大地按照较高的绝缘设计，另一方面减少了多晶娃娃芯两端电极绝缘套的寿命。
技术实现思路
针对现有技术中存在的不足，本技术的目的在于提供一种多晶硅还原炉高压启动装置，既可以降低多晶硅硅芯两端对大地的绝缘设计要求，又可以延长多晶硅硅芯两端电极绝缘套的寿命。本技术的技术方案是这样实现的:一种多晶硅还原炉高压启动装置，包括一个高压启动电路，所述高压启动电路由一个可控硅调压器和一个升压变压器组成，可控硅调压器的电流输入端与380V电源电连接，可控硅调压器的电流输出端与...
【技术保护点】
一种多晶硅还原炉高压启动装置，包括一个高压启动电路，所述高压启动电路由一个可控硅调压器（1）和一个升压变压器（2）组成，可控硅调压器（1）的电流输入端与380V电源电连接，可控硅调压器（1）的电流输出端与升压变压器（2）的原边线圈（201）电连接，升压变压器（2）的副边线圈（202）的一端与多晶硅硅芯（4）的其中一端电连接，升压变压器（2）的副边线圈（202）的另一端与多晶硅硅芯（4）的另一端电连接，其特征在于，还包括一个中间抽头（3），中间抽头（3）的一端与升压变压器（2）的副边线圈（202）的中点电连接，中间抽头（3）的另一端与大地电连接。
【技术特征摘要】
1.一种多晶娃还原炉高压启动装置,包括一个高压启动电路,所述高压启动电路由一个可控硅调压器(I)和一个升压变压器(2 )组成，可控硅调压器(I)的电流输入端与380V电源电连接，可控硅调压器(I)的电流输出端与升压变压器(2)的原边线圈(201)电连接，升压变压器(2)的副边线...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯志斌，吴小鸣，李文光，罗宇，曾晓立，陈忠苑，艾波，
申请(专利权)人：北京三义锦程电气科技有限责任公司，昆明冶研新材料股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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