用于反克隆的非易失性存储器及其验证方法技术

提供用于反克隆的非易失性存储器。非易失性存储器包括：增强的媒体标识（EMID）区域，其位于非易失性存储器的特定区域，并且存储用于识别非易失性存储器的EMID；EMID编码器，用于通过以任意值进行预先设定的操作来修改EMID。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
随着诸如数字版权管理(DRM)和用于保护内容的复制保护与非易失性存储器(NVM)组合在一起，为了保护内容，需要用于加密内容的技术以及用于检验存储设备的硬件(H/W)正当性(allowability)的技术。虽然DRM技术、用于安全数字(SD)卡的可记录介质的内容保护(CPRM)技术、以及用于诸如蓝光⑧盘的介质的先进访问内容系统(AACS)技术基于公共密钥体系结构(PKI)或其它加密技术提供它们自己的设备验证方法，这些验证方法可能不提供对于某些形式的攻击的保护，如克隆或复制整个存储设备以及正规播放设备的欺诈存储介质验证。虽然用于将水印或指纹直接插入硬件本身的侧面的技术(诸如在芯片设计过程期间)能够发现潜在的欺诈克隆硬件，这样的技术主要限制在安全性盗版的后追踪(post-tracing)。因此，这样的技术可能不提前阻止盗版行为，因此，这些技术不能被有效地用作用于在执行事务时检验设备是否具有适当准许的方法。通过诸如用于SD卡的CPRM和用于蓝光盘的AACS的技术提供的设备验证方法包括用于在生产存储介质的时候在指定为只读区域的区域中存储标识符、以及通过应用加密方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.10 KR 10-2010-0088960;2010.10.11 KR 10-2011.一种用于反克隆的非易失性存储器，包括: 增强的媒体标识(EMID)区域，其位于所述非易失性存储器的特定区域，并且存储用于识别所述非易失性存储器的EMID ;以及 EMID编码器，用于通过以任意值进行预先设定的操作来修改EMID。2.按权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述EMID区域包括:第一区域，在第一区域中阻止外部设备的读取和写入；以及第二区域，在第二区域中响应于来自所述非易失性存储器的读取命令能够由外部设备进行读取。3.按权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述EMID编码器包括:EMID转换器，用于执行EMID转换操作；以及黑盒子，用于生成用来执行EMID转换操作的随机错误。4.按权利要求3所述的非易失性存储器，其中，所述EMID编码器使用在所述非易失性存储器中生成的随机错误、包括在EMID中的唯一信息、以及从验证设备接收的用于EMID编码的值，通过预先设定的操作来修改EMID。5.按权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述EMID编码器包括用于在用于读取存储在所述EMID区域中的EMID信息的操作中改变读取检验容限电压的装置。6.按权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述EMID编码器包括噪声发生器，该噪声发生器具有用于在EMID中生成随机错误的独立电路。7.按权利要求6所述的非易失性存储器，其中，所述噪声发生器包括线性反馈移位寄存器(LFSR)和伪随机数发生器(PRNG)和加扰器中的至少一个。8.按权利要求6所述的非易 失性存储器，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜甫暻，高祯完，李炳来，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：
国别省市：