一种存储器读操作功能的仿真验证方法技术

本发明专利技术公开了一种存储器读操作功能的仿真验证方法，包括：获取仿真存储器，所述仿真存储器具有设置读操作模式的控制位；读取所述读操作模式控制位的默认值，采用针对该读操作模式控制位预设的第一读操作方式，对所述存储器进行仿真验证，所述默认值为表示存储单元已擦除状态的逻辑值；将所述读操作模式控制位逐位更改为表示存储单元编程状态的逻辑值，并针对每次更改后的读操作模式控制位，分别采用对应的其它读操作方式，对所述存储器进行仿真验证。本发明专利技术可以在能够保证仿真验证结果的基础上，减少针对存储器功能的仿真验证的时间，提高采用虚拟存储器的仿真验证效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片
，特别是涉及。
技术介绍
在开发、设计和调试存储器的过程中，需要对存储器的功能进行仿真验证。针对存储器功能的仿真验证可以采用能够代替实际存储器硬件功能的行为模型(即虚拟存储器) 来进行，具体可以通过生成测试代码(testbench)，使用仿真软件(如NC_Verilog软件或 modeIsim软件)来实现。对于这种虚拟存储器功能的仿真验证，实质上与实际存储器的仿真验证并无二致。以对某个虚拟闪存(Flash Memory)进行读操作的仿真验证为例，目前闪存的读操作方式主要包括l)Read data(单通道读取方式)；2)Fast read(快速读取方式)；3)Dual output fast read(双输出快速读取方式)三种，在仿真验证时，需要预先设置读操作模式控制位，然后基于相应的读操作模式控制位预定值的定义Normal Mode和DualSPI Mode, 写入对应读操作方式的指令代码，通过执行所述指令代码进行相应读操作方式的功能验证。即对于三种读操作方式的全面验证而言，可以包括如下步骤步骤Sl、取读操作模式控制位默认值DSPI_L0CK = 1，DREAD_L0CK = 0，在这种设置下,在Normal Mode下,采用Dual outputfast read读操作方式对Flash Memory进行仿真验证；步骤S2、将读操作模式控制位更改为DSPI_L0CK = 1，DREAD_L0CK = 1，在这种设置下，在Normal Mode下，采用Read data读操作方式对Flash Memory进行仿真验证；步骤S3、将读操作模式控制位更改为DSPI_L0CK = 0, DREAD_L0CK = 1，在这种设置下，在Dual SPI Mode下，采用i^ast read读操作方式对Flash Memory进行仿真验证；在上述读操作模式控制位更改的过程中，读操作模式控制位会经历从0到1的变换，由于闪存具有只能在擦除成功状态下写入的特性，因而在上述写入11 (步骤S2)的过程中，必须先擦除在先读操作模式控制位10才能写入。除上述示例，无论采用何种验证读操作方式的顺序，都会涉及将读操作模式控制位从0到1的更改操作，即每一次全面验证的过程必须经过至少一次读操作模式控制位的擦除操作，从而影响存储器读操作功能验证的效率。因此，目前需要本领域技术人员迫切解决的一个技术问题就是如何能够创新地提出一种存储器读操作功能的仿真验证机制，在能够保证仿真验证结果的基础上，减少针对存储器读操作功能的仿真验证时间，提高虚拟存储器的仿真验证效率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供，用以在能够保证仿真验证结果的基础上，减少针对存储器功能的仿真验证的时间，提高采用虚拟存储器的仿真验证效率。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例公开了，包括获取仿真存储器，所述仿真存储器具有设置读操作模式的控制位；读取所述读操作模式控制位的默认值，采用针对该读操作模式控制位预设的第一读操作方式，对所述存储器进行仿真验证，所述默认值为表示存储单元已擦除状态的逻辑值；将所述读操作模式控制位逐位更改为表示存储单元编程状态的逻辑值，并针对每次更改后的读操作模式控制位，分别采用对应的其它读操作方式，对所述存储器进行仿真验证。优选的，所述读操作模式控制位的默认值11，所述逐位更改读操作模式控制位的步骤包括将所述读操作模式控制位更改为10或者01，采用针对该读操作模式控制位预设的第二读操作方式，对所述存储器进行仿真验证；将所述读操作模式控制位更改为00，采用针对该读操作模式控制位预设的第三读操作方式，对所述存储器进行仿真验证。优选的，所述读操作模式控制位的默认值11对应于原始读操作模式控制位10，所述第一读操作方式为普通模式Normal mode下的双输出快速读取方式Dual output fast read ；所述读操作模式控制位10、01分别对应于原始读操作模式控制位11、00，所述第二读操作方式为普通模式Normal mode下的单通道读取方式Read data ；所述读操作模式控制位00对应于原始读操作模式控制位01，所述第三读操作方式为双通道模式Dual SPI mode下的快速读取方式i^ast read。优选的，通过加载指令代码!3Bh，对存储器采用普通模式Normal mode下的双输出快速读取方式Dual output fast read进行仿真验证；通过加载指令代码03h，对存储器采用普通模式Normal mode下的单通道读取方式Read data进行仿真验证；进入双通道模式Dual SPI mode后，通过加载指令代码OBh，对存储器采用快速读取方式i^ast read进行仿真验证。优选的，写入第一读操作参数控制字，将所述读操作模式控制位更改为10，或者， 写入第二读操作参数控制字，将所述读操作模式控制位更改为01 ；写入第三读操作参数控制字，将所述读操作模式控制位更改为00。优选的，所述写入数据的步骤包括将欲写入数据中为0的数据位，与读出数据中的相应数据位进行比较；若读出数据中的相应数据位为1，则写0 ；若读出数据中的相应数据位为0，则保持不变。优选的，所述读操作模式控制位的默认值11对应于原始读操作模式控制位01，所述第一读操作方式为双通道模式Dual SPI mode下的快速读取方式i^ist read；所述读操作模式控制位01、10分别对应于原始读操作模式控制位11、00，所述第二读操作方式为普通模式Normal mode下的单通道读取方式Read data ；所述读操作模式控制位00对应于原始读操作模式控制位10，所述第三读操作方式为普通模式Normal mode下的双输出快速读取方式Dualoutput fast read。优选的，进入双通道模式Dual SPI mode后，通过加载指令代码OBh，对存储器采用快速读取方式i^ast read进行仿真验证；通过加载指令代码03h，对存储器采用普通模式Normal mode下的单通道读取方式Read data进行仿真验证；通过加载指令代码!3Bh，对存储器采用普通模式Normal mode下的双输出快速读 Mtj^ Dual output fast read ii^fi^^^iiHo优选的，写入第一读操作参数控制字，将所述读操作模式控制位更改为10，或者， 写入第二读操作参数控制字，将所述读操作模式控制位更改为01 ；写入第三读操作参数控制字，将所述读操作模式控制位更改为00。优选的，所述写入数据的步骤包括将欲写入数据中为0的数据位，与读出数据中的相应数据位进行比较；若读出数据中的相应数据位为1，则写0 ；若读出数据中的相应数据位为0，则保持不变。优选的，所述读操作模式控制位为位于存储器中控制参数配置扇区ID Sector中一地址存储单元的高两位。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点本专利技术通过将原始读操作模式控制位的其中1位设置为反位，使得读操作模式控制位的设置过程消除从0到1的变化，从而省略对控制参数配置扇区(ID Sector)的擦除步骤，提高虚拟存储器的仿真验证效率，并能保证仿真验证结果的准确性。附图说明图1是本专利技术的实施例1的流程本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种存储器读操作功能的仿真验证方法，其特征在于，包括：获取仿真存储器，所述仿真存储器具有设置读操作模式的控制位；读取所述读操作模式控制位的默认值，采用针对该读操作模式控制位预设的第一读操作方式，对所述存储器进行仿真验证，所述默认值为表示存储单元已擦除状态的逻辑值；将所述读操作模式控制位逐位更改为表示存储单元编程状态的逻辑值，并针对每次更改后的读操作模式控制位，分别采用对应的其它读操作方式，对所述存储器进行仿真验证。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：舒清明，涂美红，胡洪，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11