晶体管的制造方法技术

一种晶体管的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底分为NMOS区域和PMOS区域；在衬底上形成高K介质层；在所述NMOS区域的高K介质层上依次形成第一功函数金属层、第一阻挡层、金属电极层，所述第一阻挡层具有压缩应力；在所述PMOS区域的高K介质层上依次形成第二功函数金属层、第二阻挡层、金属电极层，所述第二阻挡层具有拉伸应力。本发明专利技术晶体管可以提高晶体管的电子迁移率，进而提高晶体管的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种功函数可调的。
技术介绍
构成集成电路尤其超大规模集成电路的主要器件之一是金属-氧化物-半导体晶体管(M0S晶体管)。自MOS晶体管专利技术以来，其几何尺寸按照摩尔定律一直在不断缩小，目前其特征尺寸发展已进入深亚微米一下。在此尺度下，器件的特征尺寸按比例缩小变得越来越困难。另外，在MOS晶体管器件及其电路制造领域，最具挑战性的是传统CMOS工艺在器件按比例缩小过程中，由于多晶硅或者二氧化硅栅介质层高度减小所带来的从栅极向衬底的漏电流问题。为解决上述漏电问题，目前MOS晶体管工艺中，采用高K介质层代替传统的二氧化硅介质层，并使用金属作 为栅电极，两者配合构成MOS管的栅极结构。在这样的栅极结构中，采用厚度较小的高K介质层就可以达到减小漏电流的作用。在公开号为US2011210402A1的美国专利申请中公开了一种具有金属栅的MOS晶体管的结构。参考图1，示出了现有技术晶体管一实施例的示意图。所述晶体管包括:衬底，所述衬底中形成有隔离结构13，所述隔离结构13用于将衬底分为NMOS区域11和PMOS区域12，所述NMOS区域11上依次形成有中间层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底分为NMOS区域和PMOS区域；在衬底上形成高K介质层；在所述NMOS区域的高K介质层上依次形成第一功函数金属层、第一阻挡层、金属电极层，所述第一阻挡层具有压缩应力；在所述PMOS区域的高K介质层上依次形成第二功函数金属层、第二阻挡层、金属电极层，所述第二阻挡层具有拉伸应力。

【技术特征摘要】
1.一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括: 提供衬底，所述衬底分为NMOS区域和PMOS区域； 在衬底上形成高K介质层； 在所述NMOS区域的高K介质层上依次形成第一功函数金属层、第一阻挡层、金属电极层，所述第一阻挡层具有压缩应力； 在所述PMOS区域的高K介质层上依次形成第二功函数金属层、第二阻挡层、金属电极层，所述第二阻挡层具有拉伸应力。2.按权利要求1所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一阻挡层和第二阻挡层的材料相同。3.按权利要求2所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一阻挡层和第二阻挡层的材料为氮化钽或氮化钛中的一种或多种。4.按权利要求1所述的晶体管的制造方法，其特征在于，形成第一阻挡层的步骤包括:采用等离子体进行沉积。5.按权利要求4所述的晶体管的制造方法，其特征在于，形成第一阻挡层包括采用等离子体增强化学气相沉积或者物理气相沉积。6.按权利要求1所述的晶体管的制造方法，其特征在于，形成第二阻挡层的步骤包括:采用热沉积形成所述第二阻挡层。7.按权利要求6所述的晶体管的制造方法，其特征在于，形成第二阻挡层包括采用原子层沉积或者金属有机化合物化学气相沉积。8.按权利要求1所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一功函数金属层、第二功函数金属层的材料为氮化钽、钛铝合金、氮化钨中的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：平延磊，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：