温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种晶体管的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底分为NMOS区域和PMOS区域；在衬底上形成高K介质层；在所述NMOS区域的高K介质层上依次形成第一功函数金属层、第一阻挡层、金属电极层，所述第一阻挡层具有压缩应力；在所述PMOS区域的高K介质...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。