电阻及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种电阻以及具有金属栅极的晶体管与电阻的制作方法，该制作方法首先提供基底，且该基底上定义有晶体管区与电阻区。接下来，在该晶体管区与该电阻区内分别形成晶体管与电阻，且该晶体管具有虚置栅极。随后，移除该虚置栅极与部分该电阻，以分别于该晶体管与该电阻内形成第一沟槽与二个第二沟槽，并于该第一沟槽与这些第二沟槽内分别形成至少一高介电常数栅极介电层。之后，在该第一沟槽与这些第二沟槽中分别形成金属栅极与金属结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其涉及一种与具有金属栅极(metal gate)的晶体管整合的。
技术介绍
在半导体产业中，为了提升晶体管的操作效率，现已有利用金属作为晶体管控制栅极的方式。金属栅极具有低的电阻与无耗层效应等优点，可以改善传统栅极使用高电阻的多晶娃材料所造成的操作效能不佳等缺点。金属栅极可概分为前栅极(gate first)工艺与后栅极(gate last)工艺，其中后栅极工艺又因符合金属材料的热预算，以及可提供较宽的材料选择等原因，逐渐地取代了前栅极工艺。 另外，在集成电路中，常需要加入电阻等其它电路元件的设置，来做稳压或滤噪声等功能。而电阻其主体一般来说是利用多晶硅、掺杂区或金属氧化物来制作。由于集成电路工艺的高复杂度以及各式元件产品的高精密性，因此在追求良率的不断提升时，除了尝试改良工艺技术之外，对工艺整合的需求亦是相当重要的一环，以减少工艺步骤并同时提升生产效率。因此，业界仍然需要一种可成功整合电阻以及具有金属栅极的晶体管的制作方法。
技术实现思路
因此，本专利技术提供一种整合电阻以及具有金属栅极的晶体管的制作方法。本专利技术提供一种具有金属栅极的晶体管与电阻的制作方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有金属栅极的晶体管与电阻的制作方法，包括：提供基底，该基底上定义有晶体管区与电阻区；于该晶体管区与该电阻区内分别形成晶体管与电阻，且该晶体管具有虚置栅极；移除该虚置栅极与部分该电阻，以分别于该晶体管与该电阻内形成一个第一沟槽与二个第二沟槽；于该第一沟槽与该多个第二沟槽内分别形成至少一高介电常数栅极介电层；以及于该第一沟槽与该多个第二沟槽中分别形成金属栅极与金属结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨杰甯，徐世杰，林俊贤，王尧展，白启宏，曾纪升，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：