【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示
，特别是指。
技术介绍
在4Mask (4次掩模板)工艺技术中，过孔工艺都是通过在阵列基板上进行涂胶后，再先后的采用掩模板的掩膜、曝光、显影、刻蚀工艺完成过孔，然后再利用过孔实现不同层的导电薄膜的良好接触，这种工艺在实施过程中比较的复杂，工序比较的多。在过孔工艺的完成中耗费了大量的资金，大大的提高了生产的成本。例如涂胶过程中的光刻胶、掩膜过程中的掩模板、显影过程中的溶液和曝光、刻蚀设备等的成本都是很大的。在工序繁多的生产过程中，很容易带来工艺的管控不良，直接导致生产出的面板的不良显示。在实际的面板检测和不良分析中，很多的不良显示都是由于在过孔工艺时，容易在过孔处出现倒角、过刻等 工艺问题产生，如果产生过刻或是出现倒角或者是刻蚀过程中又残留，就会导致短路或者电阻过大，直接导致显示不良。并且如果在刻蚀工艺中管控不良，出现上述的问题将不是只是一个面板的问题，而是整张玻璃或者是一批玻璃将全部报废。另一方面由于干法刻蚀过孔的面积大，这样就会影响液晶面板的开口率，直接影响显示的亮度，影响产品的品质。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供，...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S11，提供一衬底基板；S12，在所述衬底基板上形成金属薄膜，由构图工艺形成包括栅线的图形；S13，在完成步骤S12的衬底基板上形成栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和数据金属层薄膜，由构图工艺形成包括图案化的栅绝缘层、位于栅绝缘层上的有源层、掺杂半导体层的图形，以及位于所述掺杂半导体层上的源电极、漏电极和数据线的图形；S14，在完成步骤S13的衬底基板上形成钝化层；S15，在完成步骤S14的衬底基板上形成透明导电薄膜，由构图工艺形成包括像素电极的图形，所述像素电极通过贯穿所述钝化层的第一过孔与所述漏电极连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡海琛，郤玉生，林鸿涛，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。