阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板制作方法，包括步骤：在基板上形成包括栅线、第一栅极、第二栅极、栅绝缘层、第一有源层及第二有源层的图形；形成包括数据线、第一源极、第一漏极、第二源极及第二漏极的图形，使第二栅极、栅绝缘层、第二有源层、第二源极及第二漏极形成静电疏导薄膜晶体管，且使每相邻两条数据线间形成至少一个所述静电疏导薄膜晶体管，以疏导数据线的静电；形成包括过孔、像素电极的图形；形成外围电路，且将第二栅极连接至外围电路的低电平信号端。还公开了一种阵列基板及显示装置。本发明专利技术通过在阵列基板在相邻两条数据线间增加至少一个薄膜晶体管，使静电逐级消耗下去，避免了阵列基板在制作过程中发生静电击穿，从而提高良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
TFT-IXD面板制作过程中，尤其在源漏(SD)金属制程后，因为已有两层金属的堆积，积累了大量了静电，等待释放，SD金属制成后，会引发大量的静电击穿，尤其是在数据线(Data)线的两端与栅(Gate)金属线交叠的地方。而这个时候由于工艺过程还没结束，并没有过孔层和像素电极ITO层，面板上设计的防静电单元ESD并没有工作，所以不能起到保护作用。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是如何保护在面板制作过程中不会发生静电击穿现象。(二)技术方案为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种阵列基板制作方法，包括步骤在基板上形成包括栅线、第一栅极、第二栅极、栅绝缘层、第一有源层及第二有源层的图形；形成包括数据线、第一源极、第一漏极、第二源极及第二漏极的图形，第一栅极、栅绝缘层、第一有源层、第一源极及第一漏极形成驱动薄膜晶体管；第二栅极、栅绝缘层、第二有源层、第二源极及第二漏极形成静电疏导薄膜晶体管，且使每相邻两条数据线间形成至少一个所述静电疏导薄膜晶体管，以疏导数据线的静电；形成包括钝化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括步骤：在基板上形成包括栅线、第一栅极、第二栅极、栅绝缘层、第一有源层及第二有源层的图形；形成包括数据线、第一源极、第一漏极、第二源极及第二漏极的图形，第一栅极、栅绝缘层、第一有源层、第一源极及第一漏极形成驱动薄膜晶体管；第二栅极、栅绝缘层、第二有源层、第二源极及第二漏极形成静电疏导薄膜晶体管，且使每相邻两条数据线间形成至少一个所述静电疏导薄膜晶体管，以疏导数据线的静电；形成包括钝化层、过孔及像素电极的图形；形成外围电路，且将所述第二栅极连接至外围电路的低电平信号端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马禹，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：