一种主动矩阵有机发光二极体驱动背板及其制备方法技术

一种主动矩阵有机发光二极体驱动背板及其制备方法，包括：在衬底上沉积并图形化金属导电层作为栅极金属层；在栅极金属层上沉积一绝缘薄膜作为栅极绝缘层；在栅极绝缘层上沉积并图形化金属氧化物薄膜作为有源层；在有源层上沉积另一绝缘薄膜作为刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上图形化并定义薄膜晶体管的源漏电极区域、存储电容的有效面积和接触孔；在刻蚀阻挡层上沉积并图形化导电薄膜层作为薄膜晶体管的源漏电极层。其存储电容由栅极金属层作为下电极板、栅极绝缘层作为介电层、有源层作为栅极绝缘层的保护层、通过刻蚀阻挡层定义电容的有效面积，并由导电薄膜层作为电容的上电极板。具有制备工艺简单、成本低廉的特点，具有重要产业应用价值的技术。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT,Thin Film Transistor)目前主要应用于驱动液晶显示器(LCD,Liquid Crystal Display)和有机发光二极管(OLED, Organic Light-Emitting Diode)显示器的子像素。 采用薄膜晶体管阵列制成的驱动背板是显示屏实现更高像素密度、开口率及提升亮度的关键部件。目前TFT至IXD普遍采用基于以非晶硅作为有源层的TFT背板。但是由于非晶硅(a-Si)迁移率过低(通常为O. Icm2 V4S4左右)，不能满足OLED显示屏，无法应用于主动矩阵有机发光二极体(AMOLED)驱动背板的制作。而金属氧化物半导体作为薄膜晶体管的有源层材料，由于其高迁移率，低沉积温度以及透明的光学特性被视为下一代的显示背板技术。目前吸引了世界范围内研究者的关注。高迁移率的特点使其能够满足未来显示技术对于高刷新频率、大电流薄膜晶体管的要求。而低于100°c的工艺温度，使得利用金属氧化物制备柔性AMOLED显示器件成为可能。目前已大规模应用于IXD行业的是基于a-Si的TFT背板技术。该技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种主动矩阵有机发光二极体驱动背板的制备方法，依次包括如下步骤：在衬底上沉积并图形化金属导电层作为栅极金属层；在所述栅极金属层上沉积一绝缘薄膜作为栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上沉积并图形化金属氧化物薄膜作为有源层；在所述有源层上沉积另一绝缘薄膜作为刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上图形化并定义薄膜晶体管的源漏电极区域、存储电容的有效面积和接触孔；在所述刻蚀阻挡层上沉积并图形化导电薄膜层作为薄膜晶体管的源漏电极层；其特征在于,所述存储电容由栅极金属层作为下电极板、栅极绝缘层作为介电层、有源层作为栅极绝缘层的保护层、通过刻蚀阻挡层定义电容的有效面积，并由导电薄膜层作为电容的上电极板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐苗，罗东向，庞佳威，王琅，周雷，李民，徐华，彭俊彪，
申请(专利权)人：广州新视界光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：