阵列基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，涉及显示领域，能够减少掩模板的使用数量，从而提高效率，降低成本。所述阵列基板制造方法，包括：在基板上依次形成第一透明导电薄膜、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和漏源金属薄膜，涂敷光刻胶并曝光形成四个光刻胶厚度不一的区域，再分区域刻蚀形成第一电极、TFT沟道、数据线、源极和漏极；形成绝缘层薄膜，采用构图工艺分别在第三区域的漏极上，第一区域的第一电极上形成过孔；依次形成第二透明导电薄膜和栅极金属薄膜，涂敷光刻胶并曝光形成光刻胶厚度不一的E、F和G区域，再分区域刻蚀形成栅线、栅极、公共电极线、第二电极和连接漏极及像素电极的连接线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)由于具有体积小、功耗低、无辐射等特点而备受关注，在平板显示领域中占据了主导地位，被广泛的应用到各行各业中。TFT-LCD根据驱动液晶的电场方向可分为垂直电场型与水平电场型。水平电场型又分为高级超维场转换(Advanced Super Dimension Switch, ADS)模式和共平面切换 (IPS)模式。其中，水平电场模式TFT-LCD，尤其是ADS模式TFT-LCD具有宽视角，开口率高等优点而被广泛的应用。高级超维场转换技术(ADvanced Super Dimension Switch, AD-SDS，简称ADS)，其核心技术特性描述为通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。 高级超维场转换技术可以提高TFT-IXD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。然而ADS模式阵列基板制造时构图次数比较多，量产中一般需采用五次构图工艺。如图I所示的一种现有ADS模式的阵列基板，具体制备过程如下通过第一次构图工艺在基板I上形成公共电极8的图形；通过第二次构图工艺形成栅极10及栅线图形；形成栅极绝缘层12，再通过第三次构图工艺形成有源层(半导体层3和掺杂半导体层4)、源极5、 漏极6、数据线和TFT沟道的图形；通过第四次构图工艺形成钝化层7图形；通过第五次构图工艺形成像素电极2的图形。因此，完成此ADS模式阵列基板的制备需要使用五次掩模工艺，而掩模板造价昂贵，在液晶面板成本中占据很大比例，使得成本上升。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，相对现有技术，能够减少掩模板的使用数量，从而提高效率，降低成本。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案一种阵列基板的制造方法，包括a、在基板上依次形成第一透明导电薄膜、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和漏源金属薄膜，涂敷光刻胶并曝光形成四个光刻胶厚度不一的区域，再分区域刻蚀形成第一电极、 TFT沟道、数据线、源极和漏极，其中，对应第一电极所在的第一区域刻蚀至露出第一透明导电薄膜，对应TFT沟道所在的第二区域刻蚀至露出所述半导体薄膜，对应数据线、源极和漏极所在的第三区域不进行刻蚀，除上述图形之外的第四区域刻蚀掉全部膜层，露出所述基板；b、形成绝缘层薄膜，采用构图工艺分别在所述第三区域的所述漏极上和所述第一区域的所述第一电极上形成过孔；C、依次形成第二透明导电薄膜和栅极金属薄膜，涂敷光刻胶并曝光形成光刻胶厚度不一的E、F和G区域，再分区域刻蚀形成栅线、栅极、公共电极线、第二电极和连接所述漏极及像素电极的连接线，其中，对应所述栅线、栅极和公共电极线所在的E区域不进行刻蚀，其中所述栅极位于 TFT沟道所在的第三区域之上，对应所述第二电极、连接线所在的F区域刻蚀掉所述栅极金属薄膜，露出所述第二透明导电薄膜，除所述E、F区域之外的G区域，刻蚀掉所述第二透明导电薄膜和所述栅极金属薄膜，露出所述绝缘层薄膜。进一步地,步骤a具体包括al、形成第一透明导电薄膜、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和漏源金属薄膜，涂敷光刻胶并曝光形成四个区域，其中，第四区域光刻胶完全去除，第一区域光刻胶的厚度保留 1/3，第二区域光刻胶的厚度保留2/3，第三区域光刻胶完全保留；a2、刻蚀掉所述第四区域的全部膜层，露出所述基板；a3、对光刻胶进行灰化处理，使所述第二区域和所述第三区域的光刻胶变薄，所述第一区域的光刻胶完全去除；a4、刻蚀所述第一区域直至露出所述第一透明导电薄膜，所述第一区域形成所述第一电极；a5、再次对光刻胶进行灰化处理，使所述第三区域光刻胶变薄，所述第二区域的光刻胶完全去除；a6、刻蚀所述第二区域直至露出所述半导体薄膜，然后去除所述第三区域的光刻胶，所述第三区域形成所述数据线、源极和漏极。进一步地,步骤c具体包括Cl、依次形成第二透明导电薄膜和栅极金属薄膜，涂敷光刻胶并曝光形成光刻胶厚度不一的E、F和G区域，其中，所述E区域光刻胶完全保留，所述F区域光刻胶部分保留， 所述G区域光刻胶完全去除；c2、刻蚀掉所述G区域的所述第二透明导电薄膜和所述栅极金属薄膜，露出所述绝缘层薄膜；c3、对光刻胶进行灰化处理，使所述E区域的光刻胶变薄，所述F区域的光刻胶完全去除；c4、刻蚀掉所述F区域的所述栅极金属薄膜，露出所述第二透明导电薄膜，所述F 区域形成所述第二电极和所述连接线，去除所述E区域的光刻胶，所述E区域形成所述栅线、所述栅极和所述公共电极线。优选地，步骤a中，所述第二区域的部分所述半导体薄膜被刻蚀掉，以保证所述掺杂半导体薄膜被完全刻蚀。可选地，制备所述第一透明导电薄膜和/或所述第二透明导电薄膜的材料，选自氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锌中的一种或多种。可选地，制备所述漏源金属薄膜和/或所述栅极金属薄膜的材料，选自钥、铝、铬、 铜中的一种或多种。可选地，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极，所述连接线通过位于漏极之上所述绝缘层薄膜中的过孔，以及位于第一电极之上所述绝缘层薄膜中的过孔，6将所述漏极和所述第一电极连接在一起；或者，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极，所述连接线通过位于漏极之上所述绝缘层薄膜中的过孔将所述漏极和所述第二电极连接在一起，所述公共电极线通过位于所述第一电极之上的所述绝缘层薄膜中的过孔与所述公共电极相连接。本专利技术还提供一种阵列基板，包括形成在基板上的第一透明导电薄膜；有源层，设置在所述第一透明导电薄膜之上，所述有源层包括半导体层和设置在所述半导体层上的掺杂半导体层，所述掺杂半导体层包括相互分离的第一部分和第二部分； 源极和漏极，分别设置在所述第一部分和第二部分之上；绝缘层，覆盖在所述源极、所述漏极及所述半导体层上；第二透明导电薄膜，覆盖在所述绝缘层之上；栅极，隔着所述第二透明导电薄膜和所述绝缘层，设置在所述第一部分和所述第二部分之间的所述半导体层上。进一步地，所述阵列基板还包括像素电极和隔着绝缘层设置在所述像素电极之上的公共电极；所述薄膜晶体管的所述绝缘层在对应所述漏极所在位置处设置有过孔，所述漏极通过连接线经所述过孔与所述像素电极相连接，所述连接线、所述公共电极与所述第二透明导电膜位于同一层。可选地，所述阵列基板，还包括公共电极和隔着绝缘层设置在所述公共电极之上的像素电极；所述薄膜晶体管的所述绝缘层在对应所述漏极所在位置处设置有过孔，所述漏极通过连接线经所述过孔与所述像素电极相连接，所述连接线、所述像素电极与所述第二透明导电膜位于同一层。进一步地，所述阵列基板，还包括与所述公共电极相连的，且与所述公共电极位于同一层的所述公共电极线。进一步地，所述阵列基板，还包括与所述源极相连，且与所述源极位于同一层的数据线。本专利技术还提供一种显示装置，包括上面所述的任一阵列基板。本专利技术提供的阵列基板及其制造方法、显示装置，阵列基板上的薄膜晶体管的栅极隔着绝缘层设置在顶部，制备时第一步，在基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：a、在基板上依次形成第一透明导电薄膜、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和漏源金属薄膜，涂敷光刻胶并曝光形成四个光刻胶厚度不一的区域，再分区域刻蚀形成第一电极、TFT沟道、数据线、源极和漏极，其中，对应第一电极所在的第一区域刻蚀至露出第一透明导电薄膜，对应TFT沟道所在的第二区域刻蚀至露出所述半导体薄膜，对应数据线、源极和漏极所在的第三区域不进行刻蚀，除上述图形之外的第四区域刻蚀掉全部膜层，露出所述基板；b、形成绝缘层薄膜，采用构图工艺分别在所述第三区域的所述漏极上和所述第一区域的所述第一电极上形成过孔；c、依次形成第二透明导电薄膜和栅极金属薄膜，涂敷光刻胶并曝光形成光刻胶厚度不一的E、F和G区域，再分区域刻蚀形成栅线、栅极、公共电极线、第二电极和连接所述漏极及像素电极的连接线，其中，对应所述栅线、栅极和公共电极线所在的E区域不进行刻蚀，其中所述栅极位于TFT沟道所在的第三区域之上，对应所述第二电极、连接线所在的F区域刻蚀掉所述栅极金属薄膜，露出所述第二透明导电薄膜，除所述E、F区域之外的G区域，刻蚀掉所述第二透明导电薄膜和所述栅极金属薄膜，露出所述绝缘层薄膜。...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括 a、在基板上依次形成第一透明导电薄膜、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和漏源金属薄膜，涂敷光刻胶并曝光形成四个光刻胶厚度不一的区域，再分区域刻蚀形成第一电极、TFT沟道、数据线、源极和漏极，其中， 对应第一电极所在的第一区域刻蚀至露出第一透明导电薄膜，对应TFT沟道所在的第二区域刻蚀至露出所述半导体薄膜，对应数据线、源极和漏极所在的第三区域不进行刻蚀，除上述图形之外的第四区域刻蚀掉全部膜层，露出所述基板； b、形成绝缘层薄膜，采用构图工艺分别在所述第三区域的所述漏极上和所述第一区域的所述第一电极上形成过孔； C、依次形成第二透明导电薄膜和栅极金属薄膜，涂敷光刻胶并曝光形成光刻胶厚度不一的E、F和G区域，再分区域刻蚀形成栅线、栅极、公共电极线、第二电极和连接所述漏极及像素电极的连接线，其中， 对应所述栅线、栅极和公共电极线所在的E区域不进行刻蚀，其中所述栅极位于TFT沟道所在的第三区域之上，对应所述第二电极、连接线所在的F区域刻蚀掉所述栅极金属薄膜，露出所述第二透明导电薄膜，除所述E、F区域之外的G区域，刻蚀掉所述第二透明导电薄膜和所述栅极金属薄膜，露出所述绝缘层薄膜。2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于， 步骤a具体包括 al、形成第一透明导电薄膜、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和漏源金属薄膜，涂敷光刻胶并曝光形成四个区域，其中，第四区域光刻胶完全去除，第一区域光刻胶的厚度保留1/3，第二区域光刻胶的厚度保留2/3，第三区域光刻胶完全保留；a2、刻蚀掉所述第四区域的全部膜层，露出所述基板； a3、对光刻胶进行灰化处理，使所述第二区域和所述第三区域的光刻胶变薄，所述第一区域的光刻胶完全去除； a4、刻蚀所述第一区域直至露出所述第一透明导电薄膜，所述第一区域形成所述第一电极； a5、再次对光刻胶进行灰化处理，使所述第三区域光刻胶变薄，所述第二区域的光刻胶完全去除； a6、刻蚀所述第二区域直至露出所述半导体薄膜，然后去除所述第三区域的光刻胶，所述第三区域形成所述数据线、源极和漏极。3.根据权利要求I或2所述的方法，其特征在于，步骤c具体包括 Cl、依次形成第二透明导电薄膜和栅极金属薄膜，涂敷光刻胶并曝光形成光刻胶厚度不一的E、F和G区域，其中，所述E区域光刻胶完全保留，所述F区域光刻胶部分保留，所述G区域光刻胶完全去除； c2、刻蚀掉所述G区域的所述第二透明导电薄膜和所述栅极金属薄膜，露出所述绝缘层薄膜； c3、对光刻胶进行灰化处理，使所述E区域的光刻胶变薄，所述F区域的光刻胶完全去除； c4、刻蚀掉所述F区域的所述栅极金属薄膜，露出所述第二透明导电薄膜，所述F区域形成所述第二电极和所述连接线，去除所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙双，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：