一种阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种阵列基板制作方法及阵列基板，阵列基板制作方法包括：在所述基板上形成栅金属薄膜、绝缘薄膜以及半导体薄膜，通过第一次构图工艺形成包括栅线、栅极绝缘层和半导体层的图形；依次形成透明导电薄膜和金属薄膜，通过第二次构图工艺形成包括数据线、源极、漏极、公共电极和公共电极引线的图形；形成绝缘层，通过第三次构图工艺形成包括在所述漏极位置的绝缘层过孔图形；形成像素电极层，通过第四次构图工艺形成包括狭缝结构的像素电极图形。该阵列基板制作方法减少了阵列基板的制作步骤，从而降低了阵列基板的制作成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于显示
，具 体涉及。
技术介绍
在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin FilmTransistor LiquidCrystal Display,简称TFT-IXD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无福射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。目前，TFT-LCD的显示模式主要有TN(Twisted Nematic,扭曲向列)模式、VA (Vertical Alignment,垂直取向)模式、IPS (In-Plane-Switching,平面方向转换)模式和AD-SDS (ADvancedSuper Dimension Switch,高级超维场转换技术,简称ADS)模式等。其中，ADS模式的液晶显示器主要是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-IXD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mur本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括：步骤S1，在所述基板上形成栅金属薄膜、绝缘薄膜以及半导体薄膜，通过第一次构图工艺形成包括栅线、栅极、栅极绝缘层和半导体层的图形；步骤S2，在完成步骤S1的基板上依次形成透明导电薄膜和金属薄膜，通过第二次构图工艺形成包括数据线、源极、漏极和公共电极的图形；步骤S3，在完成步骤S2的基板上形成绝缘层，通过第三次构图工艺形成包括在所述漏极位置的绝缘层过孔图形；步骤S4，在完成步骤S3的基板上形成像素电极层，通过第四次构图工艺形成包括狭缝结构的像素电极图形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张弥，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：