一种主动式矩阵电致发光显示装置及其驱动方法，该显示装置包含发光层与线路层。发光层包含置于一行中规则分布的数个发光像素。线路层置于发光层下并包含数个像素电路，每个像素电路电性耦接于各自发光像素，以响应应用数据信号而控制流过各自发光像素的电流。数个像素电路配置成数个群组，每一群组包含一或多个邻接的像素电路，任二相邻的邻接像素电路的群组之间有一间隔来分开。线路层更包含相串接的数个缓冲电路，每一缓冲电路配置以响应扫描信号，而驱动各自邻接像素电路的群组。至少一个缓冲电路位于任二相邻的邻接像素电路的群组之间的各自间隔中。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种主动式矩阵电致发光(Active Matrix Electroluminescent) 显示器，且特别是有关于一种具有窄边框(Slim Border)的主动式矩阵有机发光二极管 (Active Matrix Organic Light Emitting Diode, AMOLED) ||$||。
技术介绍
平面显示器中，显示装置采用电致发光显示元件，如有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode, 0LED)，已成为一种普遍选择。有机发光二极管显示器被用作为电视屏幕、电脑屏幕以及可携式电子系统，如移动电话和个人数字助理(Personal Digital Assistant,PDA) 0 有机发光二极管是一种发光二极管(Light Emitting Diode，LED)，有机发光二极管中的发射式(Emissive)电致发光层是响应于电流而发光的有机化合物薄膜， 有机半导体材料层是位于两个电极之间，一般来说，至少一个电极是透明的。有机发光二极管显示器操作不需背光，因此，可显示深黑阶(De印Black Level)亦可比其他平面显示器更轻薄，如液晶显示器(Liquid Crystal Display, IXD)。有机发光二极管显示器可使用被动式矩阵有机发光二极管(Passive Matrix Organic Light Emitting Diode, PM0LED) 或主动式矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED) 的定址架构，而主动式矩阵有机发光二极管更适合于较高解析度和较大尺寸的显示器。主动式矩阵有机发光二极管显示器一般包含形成于基板(如玻璃)上的线路层与形成于线路层上的发光层，发光层包含位于显示区块中的规则分布的数个发光像素，显示区块的形式为包含数列与数行的矩阵。对彩色显示器而言，每一个发光像素可更包含数个色彩面(Color I^ad)，如红、绿、蓝(RGB)色彩面。线路层包含多个像素电路，每一个像素电路电性耦接于各自的发光像素，用以响应于应用数据信号进而控制流过各自的发光像素的电流。图8是绘示主动式矩阵有机发光二极管显示器的例示像素电路800的电路示意图。像素电路800包含一个有机发光二极管、二个晶体管T1、T2以及一个储存电容C。晶体管Tl的源极连接于数据线810，用以接收数据信号VD，晶体管Tl的栅极连接于扫描线820， 用以接收扫描信号Vs。晶体管T2的源极连接于有机发光二极管的阳极，晶体管T2的栅极连接于晶体管Tl的漏极，晶体管T2的漏极是由电压Vdd供电。有机发光二极管的阴极是由电压Vss供电。储存电容C的一端连接于晶体管T2的栅极，储存电容C的另一端连接于晶体管T2的漏极。为产生流过有机发光二极管的稳定电流I，以维持亮度，扫描电压Vs供电于扫描线820，并通过扫描线820以开启晶体管Tl，此可使数据线810上的数据信号电压Vd 供电于晶体管T2的栅极。晶体管T2栅极、源极之间的电压和临界电压之间的差值决定流过有机发光二极管的电流值，借此决定有机发光二极管的亮度。晶体管Tl、T2 一般为使用沉积(D印osition)技术而制作在基板上的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。图9为绘示公知主动式矩阵有机发光二极管显示装置900的示意图。主动式矩阵有机发光二极管显示装置900包含位于显示区块950中的规则分布的数个发光像素952 (发光像素952的每一个绘示成虚线正方形)，以及数个像素电路％4 (像素电路％4的每一个绘示成实线正方形)。像素电路954的每一个分别位于各自的发光像素952的正下方，并分别电性耦接于各自的发光像素952，用以响应于应用数据信号，进而分别控制流过各自的发光像素952的电流。像素电路％4在每一列分别耦接于各个数据线910，在每一行中的像素电路％4分别耦接于各个扫描线920。主动式矩阵有机发光二极管显示装置900 更包含垂直移位寄存器(Vertical Shift Register) 940和数个缓冲电路930。垂直移位寄存器940包含数个输入级，每一个移位寄存器输入级配置以输出扫描信号至各自的缓冲电路930，进而分别驱动各自行的像素电路954。这些移位寄存器输入级串联相接，使得像素电路中每一行响应于时钟脉冲信号，按逐行方式依序驱动。图10是绘示于图9的主动式矩阵有机发光二极管显示装置900的像素行的等效电路示意图。互补式金属氧化物半导体场效应晶体管(Complimentary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)垂直移位寄存器输入级40输出扫描信号至缓冲电路30，缓冲电路 30进而驱动一对应行的像素的面板负载(Panel Loading) 50，面板负载50绘示成等效RC 电路。缓冲电路30对扫描信号作波形调整，使扫描信号可足以应对面板负载50。缓冲电路30可包含串接的几个逻辑反向器32，每个逻辑反向器32包含一个薄膜晶体管，薄膜晶体管具有沿行方向的一通道宽度。缓冲电路的驱动能力多半取决于薄膜晶体管的长宽比 (ffidth-to-length-ratio,ff/L)。在串接中，逻辑反向器的薄膜晶体管的通道宽度大于前一个逻辑反向器的薄膜晶体管的通道宽度，这样的结构下，缓冲电路的驱动能力得以增强。为使缓冲电路30具有足够驱动能力以驱动整个像素行的面板负载50，缓冲电路30的宽度可能会很宽。图11是绘示公知主动式矩阵有机发光二极管显示装置10的布局的示意图。主动式矩阵有机发光二极管显示装置10包含显示区块51，发光像素与像素电路置于显示区块51中，垂直移位寄存器41与缓冲电路31可置于显示区块的左或右周缘。因为缓冲电路 31的宽度Wl需要如上述的足够地宽度，主动式矩阵有机发光二极管显示装置10的总边框宽度W可能会很宽。因此，需要提出一种改良技术，以解决现有技术的欠缺与不足。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种具有窄边框的主动式矩阵电致发光显示装置。本专利技术，在一态样中，是有关于一种主动式矩阵电致发光显示装置。在一实施例， 主动式矩阵电致发光显示装置包含发光层与线路层。发光层包含置于一行中的规则分布的多个发光像素。线路层置于发光层下，并包含多个像素电路。每一个像素电路电性耦接于各自的发光像素，用以响应于一个应用数据信号进而控制流过各自的发光像素的电流。这些像素电路配置成多个群组，每一个群组包含一个或多个邻接的像素电路。任二相邻的邻接像素电路的群组之间有一间隔来分开。线路层更包含彼此串接的多个缓冲电路，每一个缓冲电路配置以响应于一个扫描信号，进而驱动各自的邻接像素电路的群组。至少一个缓冲电路位于二相邻的邻接像素电路的群组之间的各自间隔内。在一实施例，所有群组中每一个群组的像素电路的数目均相同。在另一实施例，每一个缓冲电路包含一个或多个逻辑反相器。每一个逻辑反相器包含一个薄膜晶体管，薄膜晶体管具有沿着行方向的通道宽度。在又一实施例，在每一个缓冲电路的一个或多个逻辑反向器中包含二个或多个彼此串接的逻辑反向器，其中除了第一个逻辑反向器以外的任一逻辑反向器的薄膜晶体管的通道宽度大于前一个本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡轩名，刘俊彦，叶佳元，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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