液晶显示装置用阵列基板的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法，包括步骤：a)在基板上形成栅极；b)在包含所述栅极的基板上形成栅绝缘层；c)在所述栅绝缘层上形成半导体层；d)在所述半导体层上形成源极/漏极；以及e)形成与所述漏极连接的像素电极；其中，所述步骤a)包括：在所述基板上形成铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜；通过蚀刻剂组合物蚀刻所述膜形成栅极；所述步骤d)包括：在半导体层上形成铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜；通过蚀刻剂组合物蚀刻所述膜形成源极/漏极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
在液晶显示装置的基板上形成金属配线的过程通常包括使用溅射等形成金属膜的工序，实行涂布光刻胶、基于曝光及显影使得在选择性区域上形成光刻胶的工序，以及实行蚀刻的工序，并且在各个别工序前后进行清洗工序等。该蚀刻工序是指使用光刻胶作为光罩，在选择性的区域上形成金属膜的工序，通常有使用等离子体等的干式蚀刻，或使用蚀刻剂组合物的湿式蚀刻。在该液晶显示装置中，最近金属配线的电阻成为主要的关注焦点。这是因为，在薄膜晶体管-液晶显不装置 TFT-LCD (thin film transistor-liquid crystal display)中， 解决RC信号延迟问题成为增加面板尺寸和实现高分辨率的关键，其中电阻为诱发RC信号延迟的主要因素。因此，为了增大TFT-IXD的尺寸，必然要求RC信号延迟减少，必须开发具有低电阻的材料。由于以往主要使用的铬(Cr，比电阻12. 7 X IO^8 Qm)、钥(Mo，比电阻5X Kr8 Qm)、铝(Al，比电阻2. 65X Kr8 Qm)及其合金的电阻大，很难将其用于大型TFTLCD中使用的栅极及数据线等。因此，作为低电阻金属膜的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法，包括步骤：a)在基板上形成栅极；b)在包含所述栅极的基板上形成栅绝缘层；c)在所述栅绝缘层上形成半导体层；d)在所述半导体层上形成源极/漏极；以及e)形成与所述漏极连接的像素电极；所述方法的特征在于，所述步骤a)包括：在所述基板上形成铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜；使用蚀刻剂组合物蚀刻所述铜基金属膜，所述铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或所述铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜，从而形成所述栅极；所述步骤d)包括：在所述半导体层上形成铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜；...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李铉奎，李石，李恩远，郑敬燮，金镇成，田玹守，
申请(专利权)人：东友FINECHEM股份有限公司，
类型：发明
国别省市：