液晶显示装置用阵列基板的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法，包括步骤：a)在基板上形成栅极；b)在包含所述栅极的基板上形成栅绝缘层；c)在所述栅绝缘层上形成半导体层；d)在所述半导体层上形成源极/漏极；以及e)形成与所述漏极连接的像素电极；其中，所述步骤a)包括：在所述基板上形成铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜；通过蚀刻剂组合物蚀刻所述膜形成栅极；所述步骤d)包括：在半导体层上形成铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜；通过蚀刻剂组合物蚀刻所述膜形成源极/漏极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
在液晶显示装置的基板上形成金属配线的过程通常包括使用溅射等形成金属膜的工序，实行涂布光刻胶、基于曝光及显影使得在选择性区域上形成光刻胶的工序，以及实行蚀刻的工序，并且在各个别工序前后进行清洗工序等。该蚀刻工序是指使用光刻胶作为光罩，在选择性的区域上形成金属膜的工序，通常有使用等离子体等的干式蚀刻，或使用蚀刻剂组合物的湿式蚀刻。在该液晶显示装置中，最近金属配线的电阻成为主要的关注焦点。这是因为，在薄膜晶体管-液晶显不装置 TFT-LCD (thin film transistor-liquid crystal display)中， 解决RC信号延迟问题成为增加面板尺寸和实现高分辨率的关键，其中电阻为诱发RC信号延迟的主要因素。因此，为了增大TFT-IXD的尺寸，必然要求RC信号延迟减少，必须开发具有低电阻的材料。由于以往主要使用的铬(Cr，比电阻12. 7 X IO^8 Qm)、钥(Mo，比电阻5X Kr8 Qm)、铝(Al，比电阻2. 65X Kr8 Qm)及其合金的电阻大，很难将其用于大型TFTLCD中使用的栅极及数据线等。因此，作为低电阻金属膜的铜膜及铜钥膜等铜基金属膜和与此对应的蚀刻剂组合物受到关注。但是，由于当前为止公知的铜基蚀刻剂组合物无法满足用户所要求的性能，需要进行提高性能方面的研究开发。另外，在以往的使用过氧化氢的铜膜蚀刻剂的情况下，具有可实现由铜或铜合金与钥或钥合金构成的多层金属膜的批量湿式蚀刻及图案形成的优点。但是，由于过氧化氢的分解速度由金属层蚀刻时溶解的金属离子，特别是由铜离子而变快并引起过热现象，存在蚀刻剂稳定性大幅降低的问题。并且，在多层金属膜的情况下，随着溶解的金属离子浓度增加，由于使用过氧化氢蚀刻铜层的速度和使用氟化合物蚀刻钥合金层的速度之差以及电效果的影响，使得两金属层接合的界面发生变形，存在蚀刻特性不良的问题。在韩国专利公开第2005-0067934好中，公开了用于批量蚀刻铜金属层和透明导电层的，包含硝酸、盐酸、过氧化氢、唑化合物(azole compound)的蚀刻剂。但是，在上述专利的情况下，由于盐酸对铜金属层的损伤严重，存在难以使用的缺点。在先技术文献专利文献(专利文献1)KR2005-0067934A
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种蚀刻剂组合物，其能够蚀刻铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钥基金属膜的多层膜。本专利技术的目的在于提供一种蚀刻剂组合物，其在蚀刻时形成具有优异平直性的锥形剖面(taper profile),并且不留有金属膜的残洛。本专利技术的目的在于提供一种蚀刻剂组合物，其可批量蚀刻形成液晶显示装置用阵列基板的栅极及栅线、源极/漏极和数据线的铜基金属膜及铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜。本专利技术的目的在于提供一种蚀刻剂组合物，其可批量蚀刻形成液晶显示装置用阵列基板的栅极及栅线、源极/漏极和数据线的铜基金属膜、铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜、以及铜基金属膜和钥基金属膜的多层膜。并且，本专利技术的目的在于提供一种使用所述蚀刻剂组合物的形成配线的方法及。本专利技术提供一种，包括步骤a)在基板上形成栅极；b)在包含所述栅极的基板上形成栅绝缘层；c)在所述栅绝缘层上形成半导体层； d)在所述半导体层上形成源极/漏极；以及e)形成与所述漏极连接的像素电极；其中，所述步骤a)包括在基板上形成铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钥基金属膜的多层膜，通过蚀刻剂组合物蚀刻所述铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钥基金属膜的多层膜，从而形成栅极；所述步骤d)包括在半导体层上形成铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钥基金属膜的多层膜，通过蚀刻剂组合物蚀刻所述铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钥基金属膜的多层膜，从而形成源极/漏极；所述蚀刻剂组合物，基于组合物的总重量，包含A)5. 0至25. 0重量％的过氧化氢(H2O2) ；B)0. 01至I. 0重量％的含氟化合物；C)0. I至5.0重量％的唑化合物；D) 0.5至4.0重量％的选自由无机酸、磺酸、草酸或其盐，以及有机过酸组成的组中的一种或多种；以及E)其余为水。本专利技术提供一种用于铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钥基金属膜的多层膜的蚀刻剂组合物，基于所述组合物的总重量，包含A)5. 0至25. 0重量％的过氧化氢(H2O2) ；B)0. 01至I. 0重量％的含氟化合物；C)0. I至5. 0重量％的唑化合物；D)0. 5至4. 0重量％的选自由无机酸、磺酸、草酸或其盐，以及有机过酸组成的组中的一种或多种；以及E)其余为水。本专利技术提供一种形成配线的方法，其中，包括步骤1)在基板上形成铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钥基金属膜的多层膜；11)在所述铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钥基金属膜的多层膜上选择性地留下光反应性物质；以及III)使用蚀刻剂组合物蚀刻所述铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钥基金属膜的多层膜。本专利技术提供一种液晶显示装置用阵列基板，包括选自各自使用所述蚀刻剂组合物蚀刻的栅极，栅线，源极/漏极，及数据线中的一种或多种。本专利技术的蚀刻剂组合物在蚀刻铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钥基金属膜的多层膜时，实现蚀刻均匀性及具有优异平直性的锥形剖面。本专利技术的蚀刻剂组合物在进行蚀刻时，由于不产生蚀刻残渣，有利于防止发生电短路或配线不良、低亮度等问题。并且，本专利技术的蚀刻剂组合物在制造液晶显示装置用阵列基板时，能够批量蚀刻形成栅极和栅线、源极/漏极和数据线的铜基金属膜及铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，从而简化蚀刻工序并使工序良率最大化。并且，本专利技术的蚀刻剂组合物在制造液晶显示装置用阵列基板时，能够批量蚀刻形成栅极和栅线、源极/漏极和数据线的铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，以及铜基金属膜和钥基金属膜的多层膜，从而简化蚀刻工序并使工序良率最大化。因此，本专利技术的蚀刻剂组合物在制造大屏幕、高亮度的电路的液晶显示装置用阵列基板时能够非常有用地得到应用。附图说明 图I是示出使用依照实施例4的蚀刻剂组合物蚀刻的Cu/ITO双层膜的蚀刻剖面的图片；图2是示出使用依照实施例4的蚀刻剂组合物蚀刻的Cu/ITO双层膜的平直性的图片；图3是示出了使用依照比较例4的蚀刻剂组合物蚀刻的Cu/ITO双层膜的蚀刻剖面的图片；图4是示出了使用依照比较例4的蚀刻剂组合物蚀刻的Cu/ITO双层膜的平直性的图片；图5是示出使用依照实施例11的蚀刻剂组合物蚀刻的Cu/ITO双层膜的蚀刻剖面的图片；图6是示出使用依照实施例11的蚀刻剂组合物蚀刻的Cu/ITO双层膜的平直性的图片；图I是示出使用依照实施例11的蚀刻剂组合物蚀刻的Cu/Mo-Ti双层膜的蚀刻剖面的图片；图8是示出使用依照实施例11的蚀刻剂组合物蚀刻的Cu/Mo-Ti双层膜的平直性的图片；图9是示出使用依照比较例8的蚀刻剂组合物蚀刻的Cu/ITO双层膜的蚀刻剖面的图片；图10是示出使用依照比较例8本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法，包括步骤：a)在基板上形成栅极；b)在包含所述栅极的基板上形成栅绝缘层；c)在所述栅绝缘层上形成半导体层；d)在所述半导体层上形成源极/漏极；以及e)形成与所述漏极连接的像素电极；所述方法的特征在于，所述步骤a)包括：在所述基板上形成铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜；使用蚀刻剂组合物蚀刻所述铜基金属膜，所述铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或所述铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜，从而形成所述栅极；所述步骤d)包括：在所述半导体层上形成铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜；使用所述蚀刻剂组合物蚀刻所述铜基金属膜，所述铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或所述铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜，从而形成所述源极/漏极；且所述蚀刻剂组合物，基于所述组合物的总重量，包含：A)5.0至25.0重量％的过氧化氢(H2O2)；B)0.01至1.0重量％的含氟化合物；C)0.1至5.0重量％的唑化合物；D)0.5至4.0重量％的选自由无机酸、磺酸、草酸或其盐，以及有机过酸组成的组中的一种或多种；以及E)余量为水。...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李铉奎，李石，李恩远，郑敬燮，金镇成，田玹守，
申请(专利权)人：东友FINECHEM股份有限公司，
类型：发明
国别省市：