制造主动阵列基板的方法与主动阵列基板技术

本发明专利技术揭露一种制造主动阵列基板的方法与主动阵列基板。制造主动阵列基板的方法包括：形成第一图案化金属层于基材上；依序形成半导体层、绝缘层以及第二金属层覆盖第一图案化金属层；形成图案化光阻层于第二金属层上，图案化光阻层包含一第一区域以及一第二区域，且第一区域的图案化光阻层的厚度小于第二区域的图案化光阻层的厚度；图案化第二金属层及其下方的绝缘层和半导体层，并移除该第一区域的图案化光阻层；加热第二区域的图案化光阻层，使其流动而形成保护层；以及形成像素电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种主动阵列基板与制造主动阵列基板的方法。
技术介绍
诸如液晶显示器的平面显示装置已广泛地应用在各种电子产品中。平面显示装置通常包含有主动阵列基板，用以驱动平面显示装置中的像素。通常，主动阵列基板的制造方法必须使用五道的微影蚀刻制程。每一道微影蚀刻制程都必须耗费生产成本。近年来，为了更具经济效益地制造主动阵列基板，业界开发出四道微影蚀刻步骤的制造方法，以更有效率地制造主动阵列基板。不过，为了更进一步提高生产效率及降低制造成本，有必要开发更具竞争力及更具经济效益的制造方法。
技术实现思路
·本专利技术的一目的是提供一种制造主动阵列基板的方法与主动阵列基板，以能仅使用三道微影蚀刻制程制造主动阵列基板，且所制造的主动阵列基板具有良好的可靠度。因此，根据本专利技术所揭露的实施方式具有极高的经济效益以及产品性能。根据本专利技术一实施方式，上述方法包括以下步骤。形成一第一图案化金属层于一基材上。然后，依序地形成一半导体层、一绝缘层以及一第二金属层覆盖第一图案化金属层。接着，形成一图案化光阻层于第二金属层上。图案化光阻层包含一第一区域以及一第二区域，且第一区域的图案化光阻层的厚度小于第二区域的图案化光阻层的厚度。然后，图案化第二金属层及其下方的绝缘层和半导体层，以形成一第二图案化金属层、一图案化绝缘层以及一图案化半导体层，并移除第一区域的图案化光阻层。之后，加热第二区域的图案化光阻层，使其流动而形成一保护层覆盖图案化第二金属层的一侧壁、图案化绝缘层的一侧壁以及图案化半导体层的一侧壁。第一图案化金属层的一部分以及第二图案化金属层的一部分未被保护层覆盖。形成上述保护层之后，形成一像素电极于基材上，且像素电极连接第一图案化金属层的露出部分。在一实施例中，形成第一图案化金属层包含形成一漏极、一源极、一数据线以及一数据线连接垫。第二图案化金属层包含一栅极以及一栅线连接垫。在一实施例中，第二图案化金属层、图案化绝缘层以及图案化半导体层具有大致相同的一轮廓。根据本专利技术另一实施方式，制造主动阵列基板的方法包括下述步骤。形成一第一图案化金属层于一基材上。第一图案化金属层包含一漏极、一源极以及一数据线连接垫。然后，依序地形成一半导体层、一绝缘层以及一第二金属层覆盖基材上的漏极、源极以及数据线连接垫。接着，形成一图案化光阻层于第二金属层上。图案化光阻层包含一第一部分、一第二部分以及一第三部分。第一部分具有一开口露出第二金属层的一部分以及一围绕部环绕此开口。第二部分具有一内侧部以及一周边部围绕内侧部，内侧部的厚度小于周边部的厚度。随后，图案化第二金属层及其下方的绝缘层和半导体层，以于第一部分下方形成一围壁围绕数据线连接垫，于第二部分下方形成一栅线连接垫，并于第三部分下方形成一栅极、一栅绝缘层以及一连接漏极和源极的通道层，并移除第二部分的内侧部，而露出栅线连接垫的一部分。之后，加热剩余的图案化光阻层，使其流动而形成一保护层覆盖栅极、栅绝缘层、通道层、围壁以及栅线连接垫的一外缘。漏极的一部分位于保护层之外。形成上述保护层之后，形成一像素电极于基材与保护层上，且像素电极电性连接漏极的露出部分。在一实施例中，形成第一图案化金属层的步骤包含形成一数据线，且图案化第二金属层的步骤包含形成一栅线。在一实施例中，图案化光阻层还包含一第四部分，位于数据线以及栅线上方。在一实施例中，图案化第二金属层及其下方的绝缘层和半导体层的步骤包含使数据线连接垫的一部分暴露出。在一实施例中，图案化第二金属层及其下方的绝缘层和半导体层的步骤包含依序以一干蚀刻制程蚀刻第二金属层以及以一湿蚀刻制程蚀刻绝缘层和半导体层。 在一实施例中，加热剩余的图案化光阻层的步骤包含将剩余的图案化光阻层置于温度为约200°C至约400°C的环境中。本专利技术的另一方面是提供一种主动阵列基板。此主动阵列基板包含一基材、一源极以及一漏极、一通道层、一绝缘层、一栅极、一保护层以及一像素电极。源极以及一漏极位于基材上。通道层配置于源极和漏极上。绝缘层配置于通道层上。栅极配置于绝缘层上，其中通道层、绝缘层以及栅极具有大致相同的一图案。保护层覆盖通道层、绝缘层、栅极、源极以及漏极的一部分。像素电极位于基材与保护层上，且像素电极电性连接漏极。由以上揭露的实施方式可知，根据本专利技术的实施方式，仅需三道微影蚀刻制程即可完成主动阵列基板。第一道微影蚀刻制程是形成第一图案化金属层，其可包含诸如漏极、源极、数据线及/或数据线连接垫等元件。第二道微影蚀刻制程形成图案化半导体层、图案化绝缘层以及第二图案化金属层。具体而言，第二道微影蚀刻制程可形成诸如栅极、栅线、栅绝缘层、通道层及/或栅线连接垫等元件。第三道微影蚀刻制程可形成像素电极。因此，根据本专利技术所揭露的实施方式，具有极高的经济效益，可大幅降低生产成本。再者，栅线连接垫以及数据线连接垫的周围被保护层覆盖，因此可以确保栅线连接垫及数据线连接垫的可靠度。此外，主动元件的栅极、栅绝缘层、通道层也被保护层覆盖，所以主动元件亦具有良好的可靠度。附图说明为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下图I绘示本专利技术一实施方式的制造主动阵列基板的方法的流程图；图2、图3A、图4及图5绘示本专利技术一实施方式的制造主动阵列基板的方法中各制程阶段的剖面示意图；图3B绘示本专利技术一实施方式的上视示意图。主要元件符号说明100:方法110、120、130、140、150、160 :步骤200 :主动阵列基板202 :基材210 :第一图案化金属层212 :漏极212a :漏极部分214 :源极216 :数据线连接垫 218 :数据线220 :半导体层220P:图案化半导体层222 :通道层230 :绝缘层230P :图案化绝缘层232 :栅绝缘层240 :第二金属层240P :第二图案化金属层242 :栅线连接垫242a :栅线连接垫部分242b :外缘244 :栅极246 :栅线250:图案化光阻层250r :剩余的图案化光阻层251 :第一部分251a:开口251b:围绕部252 :第二部分252a:内侧部252b :周边部253 :第三部分254:第四部分260:围壁270 :保护层280:像素电极A :主动区域H1、H2:厚度具体实施例方式为了使本专利技术的叙述更加详尽与完备，下文针对了本专利技术的实施方式与具体实施例提出了说明性的描述；但这并非实施或运用本专利技术具体实施例的唯一形式。以下所揭露的各实施例，在有益的情形下可相互组合或取代，也可在一实施例中附加其他的实施例，而无须进一步的记载或说明。在以下描述中，将详细叙述许多特定细节以使读者能够充分理解以下的实施例。然而，可在无此等特定细节的情况下实践本专利技术的实施例。在其他情况下，为简化附图，熟知的结构与装置仅示意性地绘示于图中。图I绘示本专利技术一实施方式的制造主动阵列基板的方法100的流程图，图2、图3A、图4及图5绘示方法100中各制程阶段的剖面示意图。在此揭露的方法所制造的主动阵列基板可应用在各种显示器中，例如薄膜晶体管液晶显示器、电子纸显示装置、有机发光二极管显示器等。在步骤110中，形成第一图案化金属层210于基材202上，如图2A所示。可利用任何已知的方法来形成第一图案化金属层210。例如，可毯覆式地沉本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造主动阵列基板的方法，其特征在于，包含：形成一第一图案化金属层于一基材上；依序地形成一半导体层、一绝缘层以及一第二金属层覆盖该第一图案化金属层；形成一图案化光阻层于该第二金属层上；图案化该第二金属层及其下方的该绝缘层和该半导体层，以形成一第二图案化金属层、一图案化绝缘层以及一图案化半导体层，并移除一部分的该图案化光阻层；加热另一部分的该图案化光阻层，使其流动而形成一保护层覆盖该第二图案化金属层的一侧壁、该图案化绝缘层的一侧壁、该图案化半导体层的一侧壁以及该第一图案化金属层的一部分；以及形成一像素电极于该基材与该保护层上，且该像素电极电性连接该第一图案化金属层的另一部分。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：唐文忠，舒芳安，蔡耀州，辛哲宏，
申请(专利权)人：元太科技工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：