阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，包括：通过一次构图工艺形成栅极、栅线、公共电极线和用于保护栅线、公共电极线的第一保护层的图形；和/或通过一次构图工艺形成所源极、漏极、数据线和用于保护数据线的第二保护层的图形。由于栅极、栅线、公共电极线和第一保护层的图形通过一次构图工艺形成，因此避免了在对用于制作栅线及公共电极线的金属膜层进行湿刻时，刻蚀液渗入PR胶与用于形成所述金属膜层间的缝隙而导致栅线被刻蚀液刻蚀而出现断裂的情况，同样，源极、漏极、数据线和用于保护所述数据线的第二保护层的图形通过一次构图工艺形成，也避免了数据线被刻蚀液刻蚀而出现断裂的情况，提高了阵列基板的成品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。
技术介绍
目前，液晶显示器的中的阵列基板的制造通常采用4次光刻(Mask)技术或5次光刻(Mask)技术,其中，4Mask技术是以5 Mask技术为基准，利用灰色调光刻(Gray ToneMask)工艺,将有源层光刻(Active Mask)与源漏极(S/D Mask)合并成一个Mask,通过调整刻蚀工艺，完成原来Active Mask和S/D Mask功能。所述5Mask技术包括栅极光刻(GateMask)、有源层光刻(Active Mask)、源漏极光刻(S/D Mask)、过孔光刻(Via Hole Mask)和像素电极层光刻(Pixel Mask)，并且在每一次光刻工艺步骤又分别包括一次或多次薄膜沉积工艺和刻蚀工艺，形成5次薄膜沉积一光刻一刻蚀的循环过程。利用上述4Mask技术或5Mask技术在理想条件下均能形成如图I (a)或图I (b)所示的阵列基板。其中，图I (b)是阵列基板的截面图，图I (a)是阵列基板的俯视图，其中，I为基板、2为栅极及栅线、3为栅极绝缘层、4为构成有源层的非本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，所述方法包括在基板上形成栅极、栅线、公共电极线、栅极绝缘层的图形；以及形成有源层，源极、漏极、数据线的图形；其特征在于，还包括：在基板上形成用于保护所述栅线及公共电极线的第一保护层的图形；和/或在基板上形成用于保护所述数据线的第二保护层的图形；其中，所述栅极、栅线、公共电极线和第一保护层的图形通过一次构图工艺形成；所述源极、漏极、数据线和第二保护层的图形通过一次构图工艺形成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张明，郝昭慧，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：