制作薄膜晶体管阵列基板的方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种制作薄膜晶体管阵列基板的方法、阵列基板和显示装置，方法包括：在玻璃基板上，形成一层透明导电薄膜，形成一层栅金属薄膜，通过一次构图工艺形成包括栅电极、栅线和第一透明电极的图形；形成栅绝缘层薄膜、半导体层薄膜和钝化层薄膜，通过一次构图工艺形成包括半导体层和钝化层的图形；形成第二透明导电薄膜，之后形成源漏电极金属薄膜，通过一次构图形成包括源电极、漏电极、TFT沟道、数据线以及第二透明电极的图形。利用灰色调或者半灰调掩模板技术，在薄膜晶体管阵列基板的制作过程中，通过三次构图工艺制作完成有机薄膜晶体管阵列基板，用到的掩模板数量少，生产效率高且生产成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机薄膜晶体管技术，特别是指一种制作薄膜晶体管阵列基板的方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)是采用半导体为有源层的逻辑单元器件，适用于柔性基板，适合大面积加工且工艺成本低，在平板、传感器、存储卡和射频识别标签等领域有广泛的应用。为降低薄膜晶体管阵列基板的制作成本，提高生产效率，薄膜晶体管阵列基板制作过程中的构图工艺，逐渐发展为基于狭缝光刻技术的四次构图工艺。现有技术存在如下问题采用基于狭缝光刻技术的四次构图工艺制作薄膜晶体管阵列基板的过程仍然存在掩模板使用过多，生产效率低下的问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种制作薄膜晶体管阵列基板的方法、阵列基板和显示装置，减少用到的掩模板的数量，提高生产效率。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供一种制作薄膜晶体管阵列基板的方法，包括在玻璃基板上，形成一层透明导电薄膜，形成一层栅金属薄膜，通过一次构图工艺形成包括栅电极、栅线和第一透明电极的图形；形成栅绝缘层薄膜、半导体层薄膜和钝化层薄膜，通过一次构图工艺形成包括半导体层和钝化层的图形；形成第二透明导电薄膜，之后形成源漏电极金属薄膜，通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作薄膜晶体管阵列基板的方法，其特征在于，包括：在玻璃基板上，形成一层透明导电薄膜，形成一层栅金属薄膜，通过一次构图工艺形成包括栅电极、栅线和第一透明电极的图形；形成栅绝缘层薄膜、半导体层薄膜和钝化层薄膜，通过一次构图工艺形成包括半导体层和钝化层的图形；形成第二透明导电薄膜，之后形成源漏电极金属薄膜，通过一次构图形成包括源电极、漏电极、TFT沟道、数据线以及第二透明电极的图形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张学辉，薛建设，刘翔，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：