一种半导体结构制造技术

技术编号：8182379 阅读：159 留言：0更新日期：2013-01-09 00:22

本实用新型专利技术提供一种半导体结构，该半导体结构包括衬底、源/漏区、栅堆叠结构、层间介质层、接触塞，其中：所述栅堆叠结构形成于所述衬底之上，包括栅介质层以及栅极；所述源/漏区形成于所述衬底之中，且位于所述栅堆叠结构两侧；所述层间介质层覆盖所述源/漏区；所述接触塞包括嵌于所述层间介质层中并与所述源/漏区电连接的第二导电材料，其中在所述层间介质层与所述源/漏区之间存在第一接触层以及在所述接触塞与所述源/漏区之间存在第二接触层；其中所述第一接触层包括CoSi2、NiSi或者Ni(Pt)Si2-y中的一种或其组合。利于降低接触电阻。