【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种双重图形化的方法、半导体器件及电子设备。
技术介绍
1、在半导体器件制造中，双重图形化又称双曝光或两次曝光，其原理是将同一图形层的数据分成两次或两张掩模版分别成像。
2、随着集成电路制造技术的发展，光刻技术面临着巨大挑战，对版图设计的要求也更为严格。例如，为了保证图形转移的质量，设计规则倾向于将同一层图形的线条按一个方向排列。尽管如此，当同一方向排列的线条的节距接近80nm时，也已达到193nm浸没式光刻机单次曝光的极限；如果节距小于80nm，在更先进的光刻机被应用于量产前，必须采用双重或多重图形化技术。
3、目前，在工业界最常见的双重图形化技术有两种，即自对准双重图形化(self-aligned double patterning，sadp)技术和光刻-刻蚀-光刻-刻蚀(litho-eich-litho-etch，lele)双重图形化技术。
4、但在传统的lele工艺中，常使用氧化硅、氮化硅等材料的薄膜作为硬掩模层，需要使用刻蚀的方法将其打开，导致双重图形化工艺步骤繁琐，且会增加工艺成本。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种双重图形化的方法、半导体器件及电子设备，以简化现有的lele工艺的步骤，节约流片时间和工艺成本。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、第一方面，本专利技术提供一种双重图形化的方法，包括：
4、在基底上形成图形转移层；
...【技术保护点】
1.一种双重图形化的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的双重图形化的方法，其特征在于，所述硬掩模层的厚度范围为10nm～30nm。
3.根据权利要求1所述的双重图形化的方法，其特征在于，所述在所述硬掩模层上形成包括显影液可溶性的第一抗反射涂层的第一掩模材料层，包括：
4.根据权利要求3所述的双重图形化的方法，其特征在于，所述对所述第一掩模材料层进行曝光显影处理，在所述硬掩模层上形成第一图形，包括：
5.根据权利要求1所述的双重图形化的方法，其特征在于，所述对形成在所述图形转移层上的第二掩模材料层进行图形化处理，在所述第二掩模材料层上形成第二图形，包括：
6.根据权利要求5所述的双重图形化的方法，其特征在于，所述第二抗反射涂层与所述第一抗反射涂层的材质不同。
7.根据权利要求5所述的双重图形化的方法，其特征在于，所述第二抗反射涂层为不可溶性的抗反射涂层。
8.根据权利要求1所述的双重图形化的方法，其特征在于，所述图形转移层的材质包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、氮化硼、氮
9.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括至少一个图形化结构，所述图形化结构采用权利要求1至8任一项所述的双重图形化的方法制作形成。
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求9所述的半导体器件。
...【技术特征摘要】
1.一种双重图形化的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的双重图形化的方法，其特征在于，所述硬掩模层的厚度范围为10nm～30nm。
3.根据权利要求1所述的双重图形化的方法，其特征在于，所述在所述硬掩模层上形成包括显影液可溶性的第一抗反射涂层的第一掩模材料层，包括：
4.根据权利要求3所述的双重图形化的方法，其特征在于，所述对所述第一掩模材料层进行曝光显影处理，在所述硬掩模层上形成第一图形，包括：
5.根据权利要求1所述的双重图形化的方法，其特征在于，所述对形成在所述图形转移层上的第二掩模材料层进行图形化处理，在所述第二掩模材料层上形成第二图形，包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：贺晓彬，杨涛，李亭亭，刘金彪，高建峰，李俊峰，罗军，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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