一种铝基板厚膜电路用绝缘介质浆料及其制备方法技术

技术编号:41133404 阅读:15 留言:0更新日期:2024-04-30 18:03
本发明专利技术属于厚膜电路技术领域,特别是涉及一种铝基板厚膜电路用绝缘介质浆料及其制备方法。所述铝基板厚膜电路用绝缘介质浆料,包括复合微晶玻璃材料与有机载体,所述复合微晶玻璃材料包括氧化锶、氧化钾、三氧化二铝、二氧化硅、五氧化二钽、二氧化碲、三氧化二锑和钒酸锆。将氧化锶、氧化钾、三氧化二铝、二氧化硅、五氧化二钽、二氧化碲、三氧化二锑和钒酸锆混合均匀后经过高温反应、球磨得到复合微晶玻璃材料,与有机载体混合后进行轧制得到与铝基板结合力较好,且具有较高的击穿电压和良好的绝缘性、柔韧性的铝基板厚膜电路用绝缘介质浆料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于厚膜电路,特别是涉及一种铝基板厚膜电路用绝缘介质浆料及其制备方法


技术介绍

1、大功率厚膜电热元件广泛应用在日常生活中,其核心部件是厚膜电路,是通过丝网印刷把绝缘介质浆料、电阻浆料和导体浆料等材料涂制在基板上,经过高温烧结,在基板上形成粘附牢固、与基板有相近膨胀系数的功能膜。其厚度通常为几微米至几十微米,工艺简便、成本低廉、且能耐较大的功率。

2、目前,厚膜电路的基板主要采用陶瓷和不锈钢基板:陶瓷基板因为传热性能差、脆性大、机械加工性能差等缺点,逐渐被市场淘汰;不锈钢基板具有机械性能好、抗冲击性能强的优势,但是其升温速率慢,密度大,导致电热元件笨重。与此同时,金属铝基板具有重量轻、延展性好、易切割、冷热成型性能优异、韧性高、导热快等优点,是新一代大功率厚膜电路基板的首选理想材料。但是,铝基板的热膨胀系数较大,在加热和冷却过程中,体积变化较大,与现有技术使用的浆料匹配度低;并且铝的熔点较低,只有660℃左右,在制备厚膜电路时不能采用传统的高温烧结工艺。

3、此外,铝基板厚膜电路的绝缘介质浆料烧结后,要求在铝基板表面形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种铝基板厚膜电路用绝缘介质浆料,其特征在于,所述铝基板厚膜电路用绝缘介质浆料包括复合微晶玻璃材料与有机载体,所述复合微晶玻璃材料包括氧化锶、氧化钾、三氧化二铝、二氧化硅、五氧化二钽、二氧化碲、三氧化二锑和钒酸锆。

2.根据权利要求1所述的铝基板厚膜电路用绝缘介质浆料,其特征在于,复合微晶玻璃材料中各组分的用量为:氧化锶10~25份、氧化钾5~20份、三氧化二铝3~25份、二氧化硅5~30份、五氧化二钽0.5~8.0份、二氧化碲2~10份、三氧化二锑2~25份、钒酸锆2~20份。

3.根据权利要求1或2所述的铝基板厚膜电路用绝缘介质浆料,其特征在于,复合微晶玻...

【技术特征摘要】

1.一种铝基板厚膜电路用绝缘介质浆料,其特征在于,所述铝基板厚膜电路用绝缘介质浆料包括复合微晶玻璃材料与有机载体,所述复合微晶玻璃材料包括氧化锶、氧化钾、三氧化二铝、二氧化硅、五氧化二钽、二氧化碲、三氧化二锑和钒酸锆。

2.根据权利要求1所述的铝基板厚膜电路用绝缘介质浆料,其特征在于,复合微晶玻璃材料中各组分的用量为:氧化锶10~25份、氧化钾5~20份、三氧化二铝3~25份、二氧化硅5~30份、五氧化二钽0.5~8.0份、二氧化碲2~10份、三氧化二锑2~25份、钒酸锆2~20份。

3.根据权利要求1或2所述的铝基板厚膜电路用绝缘介质浆料,其特征在于,复合微晶玻璃材料是将氧化锶、氧化钾、三氧化二铝、二氧化硅、五氧化二钽、二氧化碲、三氧化二锑和钒酸锆混合均匀后经过高温反应、球磨得到。

4.根据权利要求3所述的铝基板厚膜电路用绝缘介质浆料,其特征在于,高温反...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴文杰袁正勇
申请(专利权)人:宁波职业技术学院
类型:发明
国别省市:

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