单路静电释放保护器件制造技术

本发明专利技术实施例公开了单路ESD保护器件，包括：下体和保护上体，下体包括：第一基材和第一树脂层，第一基材包括第一导电层、第二导电层和位于第一导电层和第二导电层之间的第一绝缘层，第一基材上加工有填充有导电物质的第一孔和第二孔，其中，第一导电层的第一导电区域通过第一孔通内的导电物质与第二导电层的第三导电区域导通，第一导电层的第二导电区域通过第二孔通内的导电物质与第二导电层的第四导电区域导通；其中，下体还具有从第一树脂层贯穿至第一绝缘层的N个孔，第一导电层的第一导电区域通过N个孔内的浆料，与第二导电区域相接。本发明专利技术实施例方案有利于降低ESD保护器件的制作成本、提高ESD保护器件的安全性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子器件加工制造
，具体涉及一种单路静电释放保护器件。
技术介绍
随着集成电路工艺的不断发展，晶体管尺寸已经缩减到亚微米甚至深亚微米阶段。器件物理尺寸的减小，大大提高了电路的集成度，但是高集成度器件的可靠性问题也随之而来。ESD (electro-static discharge,静电释放)就是引起电子设备与元器件失效的最主要原因之一。这主要是因为，随着元器件尺寸的缩小，例如场效应元件的栅极氧化层厚度逐渐变薄，这种变化虽然可以大幅度的提高电路的工作效率，但是却可能使电路变得更加脆弱，从而在受到静电冲击时，电路很容易失效。为了解决由于ESD而造成的电子设备和元器件的可靠性问题，业内考虑在集成电路中引入具有较高性能、较高耐受力的ESD保护器件(也可称之为静电阻抗器XESD保护器件一般配置在电路的信号线路与接地端之间，电路正常工作状态下，ESD保护器件两端被中间的介质层隔开，呈现出高阻状态，信号不会通过ESD保护器件而流入接地端。当电路受到ESD影响时，例如人皮肤上的静电施加在电路上时，电路中可能出现一个很大的电压值，大电压的产生使得ESD保护器件两端出现大的电势差，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单路静电释放ESD保护器件，其特征在于，包括：下体和保护上体，其中，所述下体包括：第一基材和第一树脂层，其中，所述第一基材包括第一导电层、第二导电层和位于所述第一导电层和所述第二导电层之间的第一绝缘层，所述第一树脂层设置于所述第一导电层上，所述第一基材上加工有第一孔和第二孔，所述第一孔和第二孔内填充有导电物质，所述第二导电层包括互不导通的第三导电区域和第四导电区域，所述第一导电层包括互不导通的第一导电区域和第二导电区域，其中，所述第一导电层的第一导电区域通过第一孔通内的导电物质与所述第二导电层的第三导电区域导通，所述第一导电层的第二导电区域通过第二孔通内的导电物质与所述第二导电层的第四导电...

【技术特征摘要】
1.一种单路静电释放ESD保护器件，其特征在于，包括 下体和保护上体， 其中，所述下体包括 第一基材和第一树脂层，其中，所述第一基材包括第一导电层、第二导电层和位于所述第一导电层和所述第二导电层之间的第一绝缘层，所述第一树脂层设置于所述第一导电层上，所述第一基材上加工有第一孔和第二孔，所述第一孔和第二孔内填充有导电物质，所述第二导电层包括互不导通的第三导电区域和第四导电区域，所述第一导电层包括互不导通的第一导电区域和第二导电区域，其中，所述第一导电层的第一导电区域通过第一孔通内的导电物质与所述第二导电层的第三导电区域导通，所述第一导电层的第二导电区域通过第二孔通内的导电物质与所述第二导电层的第四导电区域导通；其中，所述下体还具有从所述第一树脂层贯穿至所述第一绝缘层的N个孔，所述N个孔内填充有浆料，所述第一导电层的第一导电区域通过所述N个孔内的浆料，与第二导电区域相接，其中，所述浆料含有导电粒子和非导电粒子， 所述保护上体设置于所述第一树脂层上。2.根据权利要求1所述的单路静电释放ESD保护器件，其特征在于，所述第一基材上还具有从所述第一导电层贯穿至所述第一绝缘层的槽。3.根据权利要求2所述的单路静电释放ESD保护器件，其特征在于， 所述槽的宽度小于或等于50微米。4.根据权利要求1所述的单路静电释放ESD保护器件，其特征在于， 所述第一基材为铜箔基板CCL。5.根据权利要求1至4任一项所述的单路静电释放ESD保护器件，其特征在于，所述N个孔在所述第一基材的板面方向的部分或全部投影，落...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄冕，
申请(专利权)人：深圳中科系统集成技术有限公司，
类型：发明
国别省市：