单路静电释放保护器件制造技术

技术编号:8594996 阅读:158 留言:0更新日期:2013-04-18 08:35
本发明专利技术实施例公开了单路ESD保护器件,包括:下体和保护上体,下体包括:第一基材和第一树脂层,第一基材包括第一导电层、第二导电层和位于第一导电层和第二导电层之间的第一绝缘层,第一基材上加工有填充有导电物质的第一孔和第二孔,其中,第一导电层的第一导电区域通过第一孔通内的导电物质与第二导电层的第三导电区域导通,第一导电层的第二导电区域通过第二孔通内的导电物质与第二导电层的第四导电区域导通;其中,下体还具有从第一树脂层贯穿至第一绝缘层的N个孔,第一导电层的第一导电区域通过N个孔内的浆料,与第二导电区域相接。本发明专利技术实施例方案有利于降低ESD保护器件的制作成本、提高ESD保护器件的安全性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子器件加工制造
,具体涉及一种单路静电释放保护器件
技术介绍
随着集成电路工艺的不断发展,晶体管尺寸已经缩减到亚微米甚至深亚微米阶段。器件物理尺寸的减小,大大提高了电路的集成度,但是高集成度器件的可靠性问题也随之而来。ESD (electro-static discharge,静电释放)就是引起电子设备与元器件失效的最主要原因之一。这主要是因为,随着元器件尺寸的缩小,例如场效应元件的栅极氧化层厚度逐渐变薄,这种变化虽然可以大幅度的提高电路的工作效率,但是却可能使电路变得更加脆弱,从而在受到静电冲击时,电路很容易失效。为了解决由于ESD而造成的电子设备和元器件的可靠性问题,业内考虑在集成电路中引入具有较高性能、较高耐受力的ESD保护器件(也可称之为静电阻抗器XESD保护器件一般配置在电路的信号线路与接地端之间,电路正常工作状态下,ESD保护器件两端被中间的介质层隔开,呈现出高阻状态,信号不会通过ESD保护器件而流入接地端。当电路受到ESD影响时,例如人皮肤上的静电施加在电路上时,电路中可能出现一个很大的电压值,大电压的产生使得ESD保护器件两端出现大的电势差,此时ESD保护器件被击穿,由高阻状态转变为导通状态,这样就将静电导入到接地端,进而避免了工作电路因为电压过大造成的损坏。静电导出后ESD保护器件两端的电势差随之消失,ESD保护器件又回到高阻状态。当前,高速信号传输的应用越来越多,ESD保护器件自身的寄生电容越大对高速信号传输所造成的信号失真、 损耗影响也就越大。现有技术中的ESD保护器件是利用PN结的反向击穿原理来达到静电保护的目的,其采用的是半导体制作工艺,因此,此类ESD保护器件往往要用较高的制造成本才能达到超小寄生电容容值与漏电流电流值(例如,实现小于O.2pf的寄生电容容值和小于IOOnA的漏电流流值)。此外,通过此类ESD保护器件的电流过大时,可能会造成ESD器件炸裂而形成开路现象。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种单路ESD保护器件,以期降低ESD保护器件的制作成本、提高ESD保护器件的安全性。本专利技术提供一种单路静电释放保护器件,可包括下体和保护上体,其中,所述下体包括第一基材和第一树脂层,其中,所述第一基材包括第一导电层、第二导电层和位于所述第一导电层和所述第二导电层之间的第一绝缘层,所述第一树脂层设置于所述第一导电层上,所述第一基材上加工有第一孔和第二孔,所述第一孔和第二孔内填充有导电物质,所述第二导电层包括互不导通的第三导电区域和第四导电区域,所述第一导电层包括互不导通的第一导电区域和第二导电区域,其中,所述第一导电层的第一导电区域通过第一孔通内的导电物质与所述第二导电层的第三导电区域导通,所述第一导电层的第二导电区域通过第二孔通内的导电物质与所述第二导电层的第四导电区域导通;其中,所述下体还具有从所述第一树脂层贯穿至所述第一绝缘层的N个孔,所述N个孔内填充有浆料,所述第一导电层的第一导电区域通过所述N个孔内的浆料,与第二导电区域相接,其中,所述浆料含有导电粒子和非导电粒子,所述保护上体设置于所述第一树脂层上。可选的,所述第一基材上还具有从所述第一导电层贯穿至所述第一绝缘层的槽。可选的,所述槽的宽度小于或等于50微米。可选的,所述第一基材为铜箔基板CCL。可选的,所述N个孔在所述第一基材的板面方向的部分或全部投影,落入所述槽在所述第一基材的板面方向的投影之中。可选的,所述保护上体包括第二基材和设置于所述第二基材上的粘合层;所述保护上体通过所述粘合层粘接到所述第一树脂层上。可选的,所述第二基材包括第二绝缘层和第三导电层,其中,所述粘合层设置于所述第三导电层之上;其中,所述N个孔在所述第一基材的板面方向的部分或全部投影,落入所述第三导电层的导电区域在所述第一基材的板面方向的投影之中,或者所述N个孔在所述第一基材的板面方向的投影,与所述第三导电层的导电区域在所述第一基材的板面方向的投影重合。可选的,所述保护上 体包括第二基材、以及设置于所述第二基材上的第二树脂层和设置于所述第二树脂层上的粘合层;所述保护上体通过所述粘合层粘接到所述第一树脂层上。可选的,所述第二基材包括第二绝缘层和第三导电层,其中,所述第二树脂层设置于所述第三导电层之上;其中,所述N个孔在所述第一基材的板面方向的部分或全部投影,落入所述第三导电层的导电区域在所述第一基材的板面方向的投影之中,或者,所述N个孔在所述第一基材的板面方向的投影,与所述第三导电层的导电区域在所述第一基材的板面方向的投影重合。可选的,所述第一树脂层为环氧类树脂层或酚醛类树脂层。可选的,所述第二树脂层为环氧类树脂层或酚醛类树脂层。由上可见,在本专利技术实施例的单路ESD保护器件,可采用成熟度高的封装基板加工工艺或印刷线路板加工工艺加工得到,而非半导体加工工艺,有利于降低ESD保护器件的加工难度和制造成本。其次是在ESD保护器件中引入含有导电粒子和非导电粒子的浆料,第二导电层包括第一导电区域和第二导电区域,第一导电区域通过N个盲孔中的浆料与第二导电区域相接,如此,在正常工作电压下,孔之内的浆料保持高阻状态,当电压超过触发电压时浆料变成低阻状态以实现静电保护,且浆料填充于孔内,具备极低的寄生电容与漏电流,有利于减小加工出的ESD保护器件的电容、漏电流(例如,本专利技术实施例方案加工出的ESD保护器件甚至能够实现小于O. 2pf的寄生电容容值和小于IOOnA的漏电流流值),这对降低例如高频/高速电路的信号失真与损耗、降低电路功耗、提高电路的工作效率和ESD保护器件工作的安全性具有重要的意义。并且,本专利技术实施例在ESD保护器件中引入树脂材料,有利于进一步降低ESD保护器件的制造难度和制造成本,并且,单路ESD保护器件的结构精巧、稳定可靠性较高,进而有利于提升本专利技术实施例方案加工出的ESD保护器件的市场竞争力。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供一种单路静电释放保护器件的加工方法的流程示意图;图疒图27为本专利技术实施例提供的单路静电释放保护器件的加工示意图。具体实施例方式本专利技术实施例提供一种单路静电释放保护器件,以期降低ESD保护器件的制作成本、提高ESD保护器件的安全性。下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普·通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三” “第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本专利技术的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种单路静电释放ESD保护器件,其特征在于,包括:下体和保护上体,其中,所述下体包括:第一基材和第一树脂层,其中,所述第一基材包括第一导电层、第二导电层和位于所述第一导电层和所述第二导电层之间的第一绝缘层,所述第一树脂层设置于所述第一导电层上,所述第一基材上加工有第一孔和第二孔,所述第一孔和第二孔内填充有导电物质,所述第二导电层包括互不导通的第三导电区域和第四导电区域,所述第一导电层包括互不导通的第一导电区域和第二导电区域,其中,所述第一导电层的第一导电区域通过第一孔通内的导电物质与所述第二导电层的第三导电区域导通,所述第一导电层的第二导电区域通过第二孔通内的导电物质与所述第二导电层的第四导电区域导通;其中,所述下体还具有从所述第一树脂层贯穿至所述第一绝缘层的N个孔,所述N个孔内填充有浆料,所述第一导电层的第一导电区域通过所述N个孔内的浆料,与第二导电区域相接,其中,所述浆料含有导电粒子和非导电粒子,所述保护上体设置于所述第一树脂层上。

【技术特征摘要】
1.一种单路静电释放ESD保护器件,其特征在于,包括 下体和保护上体, 其中,所述下体包括 第一基材和第一树脂层,其中,所述第一基材包括第一导电层、第二导电层和位于所述第一导电层和所述第二导电层之间的第一绝缘层,所述第一树脂层设置于所述第一导电层上,所述第一基材上加工有第一孔和第二孔,所述第一孔和第二孔内填充有导电物质,所述第二导电层包括互不导通的第三导电区域和第四导电区域,所述第一导电层包括互不导通的第一导电区域和第二导电区域,其中,所述第一导电层的第一导电区域通过第一孔通内的导电物质与所述第二导电层的第三导电区域导通,所述第一导电层的第二导电区域通过第二孔通内的导电物质与所述第二导电层的第四导电区域导通;其中,所述下体还具有从所述第一树脂层贯穿至所述第一绝缘层的N个孔,所述N个孔内填充有浆料,所述第一导电层的第一导电区域通过所述N个孔内的浆料,与第二导电区域相接,其中,所述浆料含有导电粒子和非导电粒子, 所述保护上体设置于所述第一树脂层上。2.根据权利要求1所述的单路静电释放ESD保护器件,其特征在于,所述第一基材上还具有从所述第一导电层贯穿至所述第一绝缘层的槽。3.根据权利要求2所述的单路静电释放ESD保护器件,其特征在于, 所述槽的宽度小于或等于50微米。4.根据权利要求1所述的单路静电释放ESD保护器件,其特征在于, 所述第一基材为铜箔基板CCL。5.根据权利要求1至4任一项所述的单路静电释放ESD保护器件,其特征在于,所述N个孔在所述第一基材的板面方向的部分或全部投影,落...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄冕
申请(专利权)人:深圳中科系统集成技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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