【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路领域,特别是涉及一种掩模板划片槽区域的框架设计方法。
技术介绍
芯片版图数据用于生产制造之前,需要根据生产制造中的曝光范围,按照芯片尺寸大小进行重复排布。芯片和芯片之间为划片槽区域,该区域需放置光刻对准图形(Alignment Mark)和光刻重叠测量图形(Overlay Mark)等生产制造过程中所需要用到的图形(称为mark)。划片槽区域的版图设计可称为Frame (划片槽框架)设计。划片槽图形连同芯片版图的阵列排布组成了最终掩模板上的有效曝光数据。放置在划片槽中的图形之间通常应各自独立,如果交叠会引起测量失效或测量偏差。但是,目前的Frame设计工具只能将mark放置在一个大致的范围,无法放置在一个精确的坐标点,如果要精确定位某mark,只能手动将目标位置处的其他mark移开,然后再手动放置该要精确定位的mark。Fuse(熔丝)结构(如图1所 示)可以满足硅片级芯片测试后,能通过划片,在最终的单个芯片里实现物理切断某测试电路的功能。由于Fuse结构电路的连线必须延伸到划片槽内部,因此,在与Frame拼接的时候,会和Frame上 ...
【技术保护点】
一种划片槽框架自动设计方法,其特征在于,包括步骤:1)对需要在划片槽中精确定位的标记图形,将该标记图形相对于划片槽框架原点的距离,作为该标记图形内部有效图形在该标记图形内部的偏移量,重新生成新的标记图形;2)将步骤1)生成的新的标记图形,按照划片槽框架原点,优先放置于划片槽中。
【技术特征摘要】
1.一种划片槽框架自动设计方法,其特征在于,包括步骤 1)对需要在划片槽中精确定位的标记图形,将该标记图形相对于划片槽框架原点的距离,作为该标记图形内部有效图形在该标记图形内部的偏移量,重新生成新的标记图形; 2)将步骤I)生成的新的标记图形,按照划片槽框架原点,优先放置于划片槽中。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤I)中,所述距离为所述标记图形的坐标原点相对于划片槽框架原点在X方向和Y方向上的距离。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,当芯片带有熔丝结构,且所述熔丝结构延伸至划片槽内部时,在芯片与划片槽框架拼合前,先生成只有占位标识层而无实际有效图形的...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹晨,周京英,孙长江,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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