【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种显示设备，尤其涉及一种显示设备的像素结构。
技术介绍
目前常见的电子纸显示设备中，为了减轻其薄膜晶体管阵列基板漏电的情形，薄膜晶体管阵列基板的每一像素结构通常配置有两个串联的薄膜晶体管。图1是现有像素结构的两个串联的薄膜晶体管的示意图。请参考图1，现有技术中，每一像素结构包括串联的第一薄膜晶体管110与第二薄膜晶体管120。第一薄膜晶体管110包括第一栅极112、第一源极114、第一漏极116以及第一半导体图案118。第一栅极112、第一源极114、第一漏极116以及第一半导体图案118分别呈矩形，第一源极114与第一漏极116分别与第一栅极112局部重叠。第一半导体图案118配置于第一栅极112上方，且部分第一半导体图案118被第一源极114及第一漏极116覆盖。第二薄膜晶体管120包括第二栅极122、第二源极124、第二漏极126以及第二半导体层128。第二栅极122、第二源极124、第二漏极126以及第二半导体层128分别呈矩形，第二源极124与第二漏极126分别与第二栅极122局部重叠。第二半导体层128配置于第二栅极122上方，且部分...
【技术保护点】
一种阵列基板，其特征是，所述阵列基板包括基板、多条扫描线以及多条数据线，所述多条扫描线沿第一方向配置于所述基板上；所述多条数据线沿第二方向配置于所述基板上并与所述多条扫描线绝缘相交以定义出多个像素结构，其中所述第一方向垂直于所述第二方向，且每一所述像素结构包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及像素电极；所述第一薄膜晶体管配置于所述基板上，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极以及第一漏极，所述第一栅极连接至所述扫描线，所述第一源极配置于所述第一栅极上方，并与所述第一栅极部分重叠，所述第一源极的一端连接至所述数据线，所述第一漏极配置于所述第一栅极上方，所述第一漏极具有至少一...
【技术特征摘要】
2011.09.28 TW 1001350511.一种阵列基板，其特征是，所述阵列基板包括基板、多条扫描线以及多条数据线，所述多条扫描线沿第一方向配置于所述基板上； 所述多条数据线沿第二方向配置于所述基板上并与所述多条扫描线绝缘相交以定义出多个像素结构，其中所述第一方向垂直于所述第二方向，且每一所述像素结构包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及像素电极； 所述第一薄膜晶体管配置于所述基板上，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极以及第一漏极，所述第一栅极连接至所述扫描线，所述第一源极配置于所述第一栅极上方，并与所述第一栅极部分重叠，所述第一源极的一端连接至所述数据线，所述第一漏极配置于所述第一栅极上方，所述第一漏极具有至少一个第一凹槽，且部分所述第一源极位于所述至少一个第一凹槽内； 所述第二薄膜晶体管配置于所述基板上，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、以及第二漏极，所述第二栅极连接至所述扫描线， 所述第二源极配置于所述第二栅极上方，并连接所述第一漏极，所述第二源极具有至少一个第二凹槽；所述第二漏极配置于所述第二栅极上方，并与所述第二栅极部分重叠，而部分所述第二漏极位于所述至少一个第二凹槽内； 所述像素电极连接至所述第二漏极。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征是所述第一栅极与所述第二栅极之间存有间隙。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征是所述第一栅极与所述第二栅极彼此相连。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征是所述至少一个第一凹槽的槽口与所述至少一个第二凹槽的槽口朝向相反方向。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征是所述第一漏极包括第一连接段以及从所述第一连接段延伸而出的多个第一延伸段，所述多个第一延伸段彼此相对，所述至少一个第一凹槽位于所述多个第一延伸段与所述第一连接段之间，所述第二源极包括与所述第一连接段相连的第二连接段以及从所述第二连接段延伸而出的多个第二延伸段，所述多个第二延伸段彼此相对，所述至少一个第二凹槽位于所述多个第二延伸段与...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘全丰，吴淇铭，张嘉仁，
申请(专利权)人：元太科技工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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