【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光刻机硅片台双台交换系统,该系统应用于半导体光刻机中,属于半导体制造设备
技术介绍
浸没式光刻技术(immersion lithography)概念最早在上世纪80年代提出,即在光刻机的投影镜头和基片之间填充浸没液体,代替原来的空气空间,以提高分辨率。其依据的Rayleigh计算公式如下
【技术保护点】
一种带有浸液回收装置的光刻机硅片台双台交换系统,该系统含有基座(7),两个硅片台,两个线缆台,光学透镜系统(2)和光刻浸液喷射循环装置(3),所述的光刻浸液喷射循环装置包括浸没液体(6)、浸液流出机构(4)和浸液吸收机构(5);所述的基座(7)上设有对准工位和曝光工位,所述的硅片台上部的四个侧面均为平面反射镜,其中两个相对反射镜面下半部分还分别安装有一条45°反射镜,所述的每个硅片台的一个侧面下部安装一个线缆台,所述的线缆台沿X轴方向放置在基座(7)上,其特征在于:在所述的其中一个硅片台上安装一个浸液回收装置,所述的浸液回收装置包括一个浸液过渡板(15)、导液管、浸液回收容器(14)和抽吸泵(13);所述的浸液过渡板(15)安装在两个硅片台任意一个上,且与线缆台相对布置,浸液过渡板(15)的上表面与硅片台上表面共面,浸液过渡板(15)上表面平滑并喷涂有不浸润涂层;所述的浸液过渡板(15)的侧面设有一排小孔,小孔与导液管连通,导液管经过线缆台与外部的抽吸泵和浸液回收容器相连通。
【技术特征摘要】
1.一种带有浸液回收装置的光刻机硅片台双台交换系统,该系统含有基座(7),两个硅片台,两个线缆台,光学透镜系统(2)和光刻浸液喷射循环装置(3),所述的光刻浸液喷射循环装置包括浸没液体(6)、浸液流出机构(4)和浸液吸收机构(5);所述的基座(7)上设有对准工位和曝光工位,所述的硅片台上部的四个侧面均为平面反射镜,其中两个相对反射镜面下半部分还分别安装有一条45°反射镜,所述的每个硅片台的一个侧面下部安装一个线缆台,所述的线缆台沿X轴方向放置在基座(7)上,其特征在于在所述的其中一个硅片台上安装一个浸液回收装置,所述的浸液回收装置包括一个浸液过渡板(15)、导液管、浸液回收容器(14)和抽吸泵(13);所述的浸液过渡板(15)安装在两个硅片台任意一个上,且与线缆台相对布置,浸液过渡板(15)的上表面与硅片台上表面共面,浸液过渡板(15)上表面平滑并喷涂有不浸润涂层;所述的浸液过渡板(15)的侧面设有一排小孔,小孔与导液管连通,导液管经过线缆台与外部的抽吸泵和浸液回收容器相连通。2.一种带有浸液回收装置的光刻机硅片台双台交换系统,该系统含有基座(7),两个硅片台,两个线缆台,光学透镜系统(2)和光刻浸液喷射循环装置,所述的光刻浸液喷射循环装置包括浸没液体(6)、浸液流出机构(4)和浸液吸收机构(5);所述的基座(7)上设有对准工位和曝光工位,所述的硅片台上部的四个侧面均为平面反射镜,其中两个相对平面反射镜面下半部分还分别安装有一条45°反射镜,所述的每个硅片台的一个侧面下部安装一个线缆台,所述的线缆台沿X轴方向放置在基座(7)上,其特征在于所述的每个硅片台上各安装一个浸液回收装置,每个浸液回收装置包括一个浸液过渡板(15)、导液管、浸液回收容器和抽吸泵;所述的浸液...
【专利技术属性】
技术研发人员:张鸣,朱煜,成荣,徐登峰,刘召,王婧,田丽,杨开明,胡金春,尹文生,穆海华,刘昊,胡楚雄,
申请(专利权)人:清华大学,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。