一种光刻机的晶圆保护模块的位置调整方法及光刻机技术

本发明专利技术公开了一种光刻机的晶圆保护模块的位置调整方法及光刻机，该方法包括将晶圆保护模块放置于基台的表面上；根据所述基台的表面上预设的基准标记检测并计算所述晶圆保护模块的实际位置与理论位置的偏移量；判断所述偏移量是否大于预设阈值；若大于所述预设阈值，则根据所述偏移量调整所述基台与所述晶圆保护模块的相对位置，以使调整后所述偏移量小于或等于所述预设阈值。通过上述方式，本发明专利技术能够提高晶圆保护模块位置的准确性。

Method for adjusting position of wafer protection module of photoetching machine and photoetching machine

The invention discloses a wafer protection module and method for adjusting position of a lithography lithography machine, the method includes silicon wafer surface protection module placed in the base station; according to the preset surface of the base station of the fiducial mark on the wafer protection testing and computing the actual position and theoretical position of module offset; determine whether the offset is greater than the preset threshold; if it is larger than the preset threshold, according to the offset of the base station and the relative position of the wafer protection module, so that after the adjustment of the offset is less than or equal to the predetermined threshold. By the above method, the invention can improve the accuracy of the location of the wafer protection module.

【技术实现步骤摘要】
一种光刻机的晶圆保护模块的位置调整方法及光刻机
本专利技术涉及半导体光刻领域，特别是涉及一种光刻机的晶圆保护模块的位置调整方法及光刻机。
技术介绍
光刻机是半导体制造领域关键设备，其一般会用到晶圆模块。现有晶圆保护模块都是通过一个金属保护环治具实现，通过机械定位安装于光刻机的曝光平台上，由于机械定位稳定性较差，且出现偏移后无法及时发现，会导致大批量的产品返工甚至报废，造成严重的经济质量损失。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种光刻机的晶圆保护模块的位置调整方法及光刻机，能够提高晶圆保护模块位置的准确性。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种光刻机的晶圆保护模块的位置调整方法，所述方法包括：将晶圆保护模块放置于基台的表面上；根据所述基台的表面上预设的基准标记检测并计算所述晶圆保护模块的实际位置与理论位置的偏移量；判断所述偏移量是否大于预设阈值；若大于所述预设阈值，则根据所述偏移量调整所述基台与所述晶圆保护模块的相对位置，以使调整后所述偏移量小于或等于所述预设阈值。其中，所述根据所述基台的表面上预设的基准标记检测并计算所述晶圆保护模块的实际位置与理论位置的偏移量的步骤包括：对所述晶圆保护模块和所述基台进行图像采集；通过对采集的图像进行处理得到所述晶圆保护模块上的至少一个位置点与所述基准标记的实际相对位置，并将所述实际相对位置与所述位置点与所述基准标记的理论相对位置进行比较，进而获得所述偏移量。其中，所述方法进一步包括：根据所述基准标记的位置和所述理论位置计算所述晶圆保护模块处于所述理论位置时，所述位置点与所述基准标记之间的所述理论相对位置。其中，所述晶圆保护模块为保护环，所述位置点包括位于所述保护环的内边缘或外边缘或有特征图形表面上的第一位置点和第二位置点，且所述第一位置点和所述第二位置点与所述保护环中心的连线之间的夹角大于或等于90度。其中，所述根据所述偏移量调整所述基台与所述晶圆保护模块的相对位置的步骤包括：将所述晶圆保护模块从所述基台上取下；相对于所述晶圆保护模块对所述基台进行位置调整。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是：提供一种光刻机，所述光刻机包括：基台，用于放置晶圆保护模块且设置有基准标记；检测设备，用于根据所述基准标记检测并计算所述晶圆保护模块在所述基台上的实际位置与理论位置的偏移量，并判断所述偏移量是否大于预设阈值；调整设备，用于在所述偏移量大于所述预设阈值时根据所述偏移量调整所述基台与所述晶圆保护模块的相对位置，以使调整后所述偏移量小于或等于所述预设阈值。其中，所述检测设备包括：图像采集设备，用于对所述晶圆保护模块和所述基台进行图像采集；图像处理设备，用于通过对采集的图像进行处理得到所述晶圆保护模块上的至少一个位置点与所述基准标记的实际相对位置，并将所述实际相对位置与所述位置点与所述基准标记的理论相对位置进行比较，进而获得所述偏移量。其中，所述图像处理设备进一步根据所述基准标记的位置和所述理论位置计算所述晶圆保护模块处于所述理论位置时，所述位置点与所述基准标记之间的所述理论相对位置。其中，所述晶圆保护模块为保护环，所述位置点包括位于所述保护环的内边缘或外边缘或有特征图形表面上的第一位置点和第二位置点，且所述第一位置点和所述第二位置点与所述保护环中心的连线之间的夹角大于或等于90度。其中，所述调整设备包括：机械手，用于将所述晶圆保护模块从所述基台上取下；传动机构，用于相对于所述晶圆保护模块对所述基台进行位置调整。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术利用光刻机固有的硬件设备，根据基台表面上预设的基准标记检测并计算晶圆保护模块的实际位置与理论位置的偏移量，当偏移量大于预设阈值时，则根据偏移量调整基台与晶圆保护模块的相对位置，以使调整后偏移量小于或等于所述预设阈值。通过上述方式可以利用光刻机固有的硬件设备，精确检测晶圆保护模块的位置偏移量，并且自动校正，提高晶圆保护模块位置的准确性。附图说明图1是本专利技术光刻机的晶圆保护模块的位置调整方法一实施方式的流程示意图；图2是图1中步骤S102的详细过程的流程示意图；图3是基台上的晶圆保护模块的内边缘理论位置与实际位置俯视图；图4是基台移动前后对比示意图；图5是基台上的晶圆保护模块的内边缘理论位置与实际位置另一俯视图；图6是本专利技术光刻机一实施方式的结构示意图。具体实施方式请参阅图1，图1为本专利技术光刻机的晶圆保护模块的位置调整方法一实施方式的流程示意图，该方法包括以下步骤：S101：将晶圆保护模块放置于基台的表面上；具体地，在实际应用过程中，晶圆保护模块通常需要外加固定装置或者通过真空、磁性吸附等，将晶圆保护模块固定在相对基台的某一位置处。S102：根据基台的表面上预设的基准标记检测并计算晶圆保护模块的实际位置与理论位置的偏移量；具体地，基台表面上的基准标记可以是人为后期加的，也可以是基台表面出厂时具有的定位孔或特征图形等，本专利技术对此不做限定；下面将详细说明步骤S102具体计算偏移量的方法，请结合图2，图2为图1中步骤S102的详细过程的流程示意图，包括：S201：对晶圆保护模块和基台进行图像采集；S202：通过对采集的图像进行处理得到晶圆保护模块上的至少一个位置点与基准标记的实际相对位置；S203：根据基准标记的位置和理论位置计算晶圆保护模块处于理论位置时，位置点与基准标记之间的理论相对位置；S204：将实际相对位置和理论相对位置进行比较，进而获得偏移量。S103：判断偏移量是否大于预设阈值；S104：若大于预设阈值，则根据偏移量调整基台与晶圆保护模块的相对位置，以使调整后偏移量小于或等于预设阈值。下面将结合实际对上述光刻机的晶圆保护模块的位置调整方法作详细说明。在一个应用场景中，晶圆保护模块为保护环，其内径与晶圆的外径匹配，以锁止晶圆的位置，如晶圆外径为10寸时，保护环的内径为10寸或者稍大于10寸。第一步，将保护环放置在基台表面上后，对保护环和基台图像进行采集，以获得保护环在基台上相对基准标记的实际位置；第二步，在保护环的内边缘或外边缘或有特征图形表面上选取位置点，分别为第一位置点和第二位置点，且第一位置点和第二位置点与保护环中心的连线之间的夹角大于或等于90度；请结合图3，图3为基台上的晶圆保护装置的内边缘理论位置与实际位置俯视图，为示意清楚，图3中晶圆保护装置为一圆形保护环，且省略了保护环外边缘，且其中图3中实线代表保护环内边缘的实际位置34，虚线代表保护环内边缘的理论位置34′，基板30上包括一个基准标记32，在本实施例中，位置点在保护环的内边缘上，在其他实施例中位置点也可选在其他位置，本专利技术对此不做限定；在实际位置34上选取两位置点A、B，其中A点和B点与保护环中心的连线之间的夹角等于90度；经计算得到A点和B点与基准标记32的实际相对位置，例如以基准标记32处坐标为(0,0)建立平面坐标系，保护环位于坐标系的第三象限内，则A点坐标为(-8.5，-1.5)，B点坐标为(-3.5，-7)；根据基准标记32的位置，计算得出保护环的理论位置34′，在理论位置34′上选择与A点和B点对应的理论位置点A′和B′，在本实施例中，选取A′和B′的方式为A′点为距离A点最近的具有相同横坐标的位置点本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻机的晶圆保护模块的位置调整方法，其特征在于，所述方法包括：将晶圆保护模块放置于基台的表面上；根据所述基台的表面上预设的基准标记检测并计算所述晶圆保护模块的实际位置与理论位置的偏移量；判断所述偏移量是否大于预设阈值；若大于所述预设阈值，则根据所述偏移量调整所述基台与所述晶圆保护模块的相对位置，以使调整后所述偏移量小于或等于所述预设阈值。

【技术特征摘要】
1.一种光刻机的晶圆保护模块的位置调整方法，其特征在于，所述方法包括：将晶圆保护模块放置于基台的表面上；根据所述基台的表面上预设的基准标记检测并计算所述晶圆保护模块的实际位置与理论位置的偏移量；判断所述偏移量是否大于预设阈值；若大于所述预设阈值，则根据所述偏移量调整所述基台与所述晶圆保护模块的相对位置，以使调整后所述偏移量小于或等于所述预设阈值。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述基台的表面上预设的基准标记检测并计算所述晶圆保护模块的实际位置与理论位置的偏移量的步骤包括：对所述晶圆保护模块和所述基台进行图像采集；通过对采集的图像进行处理得到所述晶圆保护模块上的至少一个位置点与所述基准标记的实际相对位置，并将所述实际相对位置与所述位置点与所述基准标记的理论相对位置进行比较，进而获得所述偏移量。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：根据所述基准标记的位置和所述理论位置计算所述晶圆保护模块处于所述理论位置时，所述位置点与所述基准标记之间的所述理论相对位置。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述晶圆保护模块为保护环，所述位置点包括位于所述保护环的内边缘或外边缘或有特征图形表面上的第一位置点和第二位置点，且所述第一位置点和所述第二位置点与所述保护环中心的连线之间的夹角大于或等于90度。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述偏移量调整所述基台与所述晶圆保护模块的相对位置的步骤包括：将所述晶圆保护模块从所述基台上取下；相对于所述晶圆保护模块...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴谦国，
申请(专利权)人：南通通富微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32