检验设备、光刻设备以及器件制造方法技术

本发明专利技术公开了一种检验设备、光刻设备以及器件制造方法。该检验设备包括：照射系统，配置成接收第一束并由其产生第二和第三束，和反射折射物镜，配置成引导第二束从所述晶片反射。检验设备还包括第一传感器，配置成检测由反射的第二束形成的第一图像。检验设备还包括：折射物镜，配置成引导第三束从所述晶片反射，和第二传感器，配置成检测由反射的第三束形成的第二图像。在一个实施例中，第一和第二图像可以用于CD测量。在一个实施例中，第二束具有大约200nm至大约425nm的光谱范围，第三束具有大约425nm至大约850nm的光谱范围。检验设备还可以包括第三传感器，配置成检测由从晶片反射的第三束产生的第三图像。在一个实施例中，第三图像可以用于OV测量。

【技术实现步骤摘要】
检验设备、光刻设备以及器件制造方法相关申请的交叉引用本申请根据U.S.C.§119(e)要求于2011年10月3日递交的美国临时专利申请61/542,440，2011年10月12日递交的美国临时专利申请61/546,273，以及2011年10月31日递交的美国临时专利申请61/553,458的优先权，其在此通过引用全文并入。
本专利技术涉及可用于例如通过光刻技术制造器件的检验设备。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。所述图案的转移通常是通过将图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于通过光学方式确定晶片的尺寸参数的检验设备，所述检验设备包括：照射系统，配置成接收第一束并由其产生第二束和第三束；反射折射物镜，配置成引导第二束从所述晶片反射；第一传感器，配置成检测由反射的第二束形成的第一图像；折射物镜，配置成引导第三束从所述晶片反射；和第二传感器，配置成检测由反射的第三束形成的第二图像。

【技术特征摘要】
2011.10.03 US 61/542,440;2011.10.12 US 61/546,2731.一种用于通过光学方式确定晶片的尺寸参数的检验设备，所述检验设备包括：照射系统，配置成接收第一束并由所述第一束产生第二束和第三束；反射折射物镜，配置成引导第二束从所述晶片反射；第一传感器，配置成检测由反射的第二束形成的第一图像；折射物镜，配置成引导第三束从所述晶片反射；和第二传感器，配置成检测由反射的第三束形成的第二图像，其中第二束具有第一光谱范围，第三束具有与第一光谱范围不同的第二光谱范围，使得检验设备的操作光谱范围包括第一光谱范围和第二光谱范围。2.如权利要求1所述的检验设备，其中所述照射系统还包括分束器，所述分束器配置成将第一束分成第二束和第三束使得第二束配置成提供晶片的临界尺寸测量并且第三束配置成提供晶片的重叠测量以监测光刻过程。3.如权利要求1所述的检验设备，其中所述照射系统从辐射源起依次还包括：双合透镜，配置成沿光轴是可调节的；可旋转的棱镜偏振器；和光瞳限定孔；且所述检验设备还包括反射镜中继光学系统，所述反射镜中继光学系统布置在照射系统和反射折射物镜之间并配置成将光瞳限定孔成像到反射折射物镜的入射光瞳平面内和折射物镜的入射光瞳平面内。4.如权利要求1所述的检验设备，还包括分束器，配置成将第一束分成第二束和第三束，所述第二束和第三束分别被引导至反射折射物镜和折射物镜。5.如权利要求1所述的检验设备，还包括第三传感器，配置成检测由反射...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·Y·斯米诺夫，L·赖齐科夫，E·B·凯提，安戴尔·琼比尤尔，D·赫德，Y·K·什马利威，R·D·雅各布斯，
申请(专利权)人：ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：