【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路装备制造领域，尤其涉及一种磁浮重力补偿器及使用该补偿器的光刻装置。
技术介绍
光刻设备是一种将掩模图案曝光成像到硅片上的设备，主要用于集成电路IC或其它微型器件的制造。光刻装置大体上分为两类一类是步进光刻装置，掩模图案一次曝光成像在娃片的一个曝光区域，随后娃片相对于掩模移动，将下一个曝光区域移动到掩模图案和投影物镜下方，再一次将掩模图案曝光在硅片的另一曝光区域，重复这一过程直到硅片上所有曝光区域都拥有掩模图案的像；另一类是步进扫描光刻装置，在上述过程中，掩模图案不是一次曝光成像，而是通过投影光场的扫描移动成像。在掩模图案成像过程中，掩模与硅片同时相对于投影系统和投影光束移动。随着大规模集成电路器件集成度的不断提高，光刻分辨率的不断增强，对光刻机特征线宽指标要求也在不断提升。当前，光刻机已经发展成为内部世界和外部世界的结合体，其中工件台、掩模台及其照明系统三个独立的世界分别进行减振。考虑微动模块，需要对承片台或承版台进行有效的减振，使其在曝光过程中免受其他系统的干扰。重力补偿器就是在此背景下发展起来的新型结构，通过主被动减振技术，完成对承片台...
【技术保护点】
一种磁浮重力补偿器，包括定子和动子，其特征在于，所述动子通过磁力悬浮于所述定子之上，所述定子包括第一磁环、线圈环及第四磁环，所述动子包括第二磁环及第三磁环，所述第一磁环、第二磁环、线圈环、第三磁环、第四磁环依次由内向外同心设置。
【技术特征摘要】
1.一种磁浮重力补偿器，包括定子和动子，其特征在于，所述动子通过磁力悬浮于所述定子之上，所述定子包括第一磁环、线圈环及第四磁环，所述动子包括第二磁环及第三磁环，所述第一磁环、第二磁环、线圈环、第三磁环、第四磁环依次由内向外同心设置。2.如权利要求1所述的磁浮重力补偿器，其特征是，所述第一磁环包括磁极方向相反的上半磁环和下半磁环，所述第四磁环包括磁极方向相反的上半磁环和下半磁环。3.如权利要求1所述的磁浮重力补偿器，其特征是，所述第一磁环的上半磁环和第四磁环的上半磁环的磁极方向相同。4.如权利要求2或3所述的磁浮重力补偿器，其特征是，所述第二磁环的磁极方向与第一磁环的下半磁环磁极方向相反，所述第三磁环的磁极方向与第四磁环的下半磁环磁极方向相反。5.如权利要求1所述的磁浮重力补偿器，其特征是，所述第一磁环、第四磁环及线圈环分别通过一支架与...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏海，陈庆生，徐涛，
申请(专利权)人：上海微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。