带有浸液回收装置和激光干涉仪的硅片台双台交换系统制造方法及图纸

带有浸液回收装置和激光干涉仪的硅片台双台交换系统，该系统含有基台，两个硅片台，光学透镜系统、多轴激光干涉仪和激光干涉仪反射镜。硅片台带有浸液回收装置，硅片台上表面的一侧设有一块浸液回收板，浸液回收板的上表面与硅片台上表面共面，浸液回收板的侧面有一排小孔，小孔与硅片台外部的浸液回收容器相连接，用于浸没液体的回收，硅片台外围四边设置一套防撞气囊装置。当两硅片台完成交换时，硅片台上的浸液回收板设计保证了交换时浸液循环不用中断，提高了生产效率；气囊式防撞结构具有可伸缩性，与机械式防撞相比刚度低，且结构简单紧凑，可应用于光刻机双台交换系统。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻机硅片台双台交换系统，该系统应用于半导体光刻机中，属于浸没式光刻

技术介绍
浸没式光刻技术的(immersion lithography)概念最早在上世纪80年代提出，即在光刻机的投影镜头和基片之间填充浸没液体，代替原来的空气空间，以提高分辨率。其依据的Rayleigh计算公式如下

【技术保护点】
带有浸液回收装置和激光干涉仪的硅片台双台交换系统，该系统含有基座（7），两个硅片台，两个线缆台，光学透镜系统（2）和光刻浸液喷射循环装置（3），所述的光刻浸液喷射循环装置包括浸没液体（6）、浸液流出机构（4）和浸液吸收机构（5）；所述的基座（7）上设有对准工位和曝光工位，所述的硅片台上部的四个侧面均为平面反射镜，其中两个相对反射镜面下半部分还分别安装有一条45°反射镜，所述的每个硅片台的一个侧面下部安装一个线缆台，所述的线缆台沿X轴方向放置在基座（7）上，其特征在于：所述的每个硅片台均安装一个浸液回收装置，所述的浸液回收装置包括一个浸液过渡板（15）、导液管、浸液回收容器（14）和抽吸泵（13...

【技术特征摘要】
1.带有浸液回收装置和激光干涉仪的硅片台双台交换系统，该系统含有基座(7)，两个硅片台，两个线缆台，光学透镜系统(2)和光刻浸液喷射循环装置(3)，所述的光刻浸液喷射循环装置包括浸没液体(6)、浸液流出机构(4)和浸液吸收机构(5);所述的基座(7)上设有对准エ位和曝光エ位，所述的硅片台上部的四个侧面均为平面反射镜，其中两个相对反射镜面下半部分还分别安装有一条45°反射镜，所述的每个硅片台的一个侧面下部安装一个线缆台，所述的线缆台沿X轴方向放置在基座(7)上，其特征在于所述的每个硅片台均安装ー个浸液回收装置，所述的浸液回收装置包括一个浸液过渡板(15)、导液管、浸液回收容器(14)和抽吸泵(13);在没有安装45°反射镜的硅片台的两个侧面的其中一个侧面上设置浸液过渡板(15);两个硅片台在基座(7)上放置的方向均为浸液过渡板(15)指向Y轴正向，浸液过渡板(15)的上表面与硅片台上表面共面，浸液过渡板上表面平滑并喷涂有不浸润涂层；所述的浸液过渡板的侧面设有ー排小孔，小孔与导液管连通，导液管经过线缆台与外部的抽吸泵和浸液回收容器相连通； 所述光刻机硅片台双台交換系统还包含用于硅片台运动位置反馈的激光干涉仪测量系统，所述的激光干涉仪测量系统包括四个激光干...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱煜，张鸣，刘召，成荣，田丽，徐登峰，杨开明，胡金春，尹文生，穆海华，刘昊，胡楚雄，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：