本发明专利技术涉及一种稳定化的噻吩衍生物，具体地涉及一种稳定化的单体组合物，其包括基于稳定化的单体组合物的总重量，至少50wt％的具有通式(I)的噻吩衍生物单体其中R1和R2相互独立地代表氢、任选被取代的C1-C20-烷基或C1-C20-烷氧基，其任选被1-5个氧原子和/或硫原子中断，或者共同地代表任选被取代的C1-C20-二氧亚烷基或者C6-C20的二氧亚芳基，和基于稳定化的单体组合物的总重量，0.001-10wt％的稳定剂。本发明专利技术同样涉及一种制造电容器的方法，通过该方法制造的电容器、所述稳定化的单体组合物的应用和所述稳定剂的应用。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种稳定化的单体组合物，一种制造电子电容器的方法以及通过该方法制造的电子电容器，一种稳定化的单体组合物的应用和一种稳定剂的应用。
技术介绍
采用导电聚合物作为阴极材料的固体电解电容器，因为在低等效串联电阻(ESR)和“不燃/不起火”的破裂方式方面的优势而广泛应用于电子产业。包括聚吡咯、聚苯胺和聚(3，4_亚乙基二氧噻吩)(PEDOT)的多种导电聚合物被应用于电解电容器的阴极材料，而诸如Ta、Al、Nb的阀金属(或称电子管金属(valvemetal))以及如NbO陶瓷的导电氧化物被用作阳极。在生产基于阀金属的导电聚合物电容器的一种制造方法中，例如Ta粉，被机械压制而形成了 Ta金属片，该Ta金属片随后在真空下高温烧结。烧结后的金属片在电解液中阳极化而在阳极表面上形成了电介质层(Ta2O5)。接着，通过多次浸溃聚合工艺涂敷了多层例如聚3，4_亚乙基二氧噻吩(PEDOT)的导电聚合物层。在聚合过程中，一种氧化剂溶液，例如在溶剂中的铁(III)P-甲苯磺酸盐，在一些情况下首先涂在阳极上。然后，依照DWheeler等在美国专利No. 6136176和R. Hahn等在美国专利No. 6334966中所公开的应用液态单体或单体溶液。为了在连接中获得高的导电性，用于制备导电聚合物的噻吩衍生物单体的纯度起关键作用。通常，蒸馏法是噻吩衍生物惯用的纯化方法。如在EP1860111A1中公开的通过这种方法纯化的噻吩，在存储过程中具有颜色的变化和/或生成不期望的次级成分的趋势，例如生成具有下面所示结构的二聚或三聚噻吩。这导致了所制得的聚噻吩的性能相当大的损害。权利要求1.一种稳定化的单体组合物，其包括-基于所述稳定化的单体组合物的总重量，至少50wt%的具有通式(I)的噻吩衍生物单体2.根据权利要求1的稳定化的单体组合物，其中该噻吩衍生物单体具有通式(II)， 其中3.根据权利要求1或2的稳定化的单体组合物，其中该噻吩衍生物单体具有通式 (Ha)4.根据权利要求1-3任一项的稳定化的单体组合物，其中该噻吩衍生物单体为3，4_亚乙基二氧噻吩。5.根据权利要求1-4任一项的稳定化的单体组合物，其中该稳定剂为自由基清除剂。6.根据权利要求5的稳定化的单体组合物，其中该自由基清除剂具有包括至少一个具有通式(III)的结构单元的化学结构,N、(IU)其中，R1代表氢原子、羟基、线型或分枝的C1-C18-烷基残基或者线型或分枝的C1-C18-烷氧基残基，并且R2、R3和&相互独立地代表龜!原子或有机残基。7.根据权利要求6的稳定化的单体组合物，其中该自由基清除剂具有包括通式(IV)的化学结构8.根据权利要求6的稳定化的单体组合物，其中该自由基清除剂具有包括通式(V)的化学结构9.根据权利要求5的稳定化的单体组合物，其中该自由基清除剂是苯酚衍生物。10.根据权利要求9的稳定化的单体组合物，其中该自由基清除剂具有包括至少一个具有通式(VI)的结构单元的化学结构11.根据权利要求10的稳定化的单体组合物，其中残基R5和R7的其中之一为羟基。12.根据权利要求10的稳定化的单体组合物，其中该自由基清除剂具有包括至少一个具有通式(VII)的结构单元的化学结构(VIl)其中R1CI代表氢原子、轻基或有机残基。13.根据权利要求9的稳定化的单体组合物，其中该自由基清除剂具有包括至少一个具有通式(VIII)的结构单元的化学结构(VIlI)其中，Rn、R12和R13相互独立地代表氢原子或有机残基。14.根据权利要求1-4任一项的稳定化的单体组合物，其中该稳定剂为胺。15.根据权利要求14的稳定化的单体组合物，其中该胺具有含通式(IX)的化学结构16.根据权利要求1-4任一项的稳定化的单体组合物，其中该稳定剂为UV/VIS-吸收剂。17.—种制造电容器的方法,包括 -形成阀金属的阳极；18.根据权利要求17的方法，其中所述的添加包括-用所述单体的溶液涂覆所述前体；19.权利要求17和18的方法，其中在存在稳定剂的条件下进行所述单体的聚合。20.权利要求17到19中任一项的方法，其中该稳定化的单体组合物没有用碱性材料预处理过，其中所述的碱性材料在进行预处理之后，会至少部分地从该稳定化的单体组合物中被去除。21.根据权利要求17到20中任一项的方法制得的电容器。22.权利要求1到16中任一项所限定的稳定化的单体组合物的应用，用于制造电容器。23.根据权利要求22的应用，其中所述噻吩衍生物单体为3，4_亚乙基二氧噻吩。24.权利要求5到16中任一项所限定的稳定剂的应用，用于稳定权利要求1到4中任一项所限定的噻吩衍生物。25.根据权利要求24的应用，其中所述噻吩衍生物单体为3，4_亚乙基二氧噻吩。全文摘要本专利技术涉及一种稳定化的噻吩衍生物，具体地涉及一种稳定化的单体组合物，其包括基于稳定化的单体组合物的总重量，至少50wt％的具有通式(I)的噻吩衍生物单体其中R1和R2相互独立地代表氢、任选被取代的C1-C20-烷基或C1-C20-烷氧基，其任选被1-5个氧原子和/或硫原子中断，或者共同地代表任选被取代的C1-C20-二氧亚烷基或者C6-C20的二氧亚芳基，和基于稳定化的单体组合物的总重量，0.001-10wt％的稳定剂。本专利技术同样涉及一种制造电容器的方法，通过该方法制造的电容器、所述稳定化的单体组合物的应用和所述稳定剂的应用。文档编号C08G61/12GK102993643SQ20091025304公开日2013年3月27日 申请日期2009年9月30日 优先权日2009年9月30日专利技术者K·鲁特, U·默克, K·沃索, A·埃尔施纳 申请人:H.C.施塔克·克莱维奥斯有限责任公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种稳定化的单体组合物，其包括?基于所述稳定化的单体组合物的总重量，至少50wt％的具有通式(I)的噻吩衍生物单体其中R1和R2相互独立地代表氢、任选被取代的C1?C20?烷基或C1?C20?烷氧基，其任选被1?5个氧原子和/或硫原子中断，或者共同地代表任选被取代的C1?C20?二氧亚烷基或者C6?C20?二氧亚芳基，和?基于稳定化的单体组合物的总重量，0.001?10wt％的稳定剂。F2009102530425C00011.tif
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：K·鲁特，U·默克，K·沃索，A·埃尔施纳，
申请(专利权)人：HC施塔克·克莱维奥斯有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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