稳定化的噻吩衍生物制造技术

本发明专利技术涉及一种稳定化的噻吩衍生物，具体地涉及一种稳定化的单体组合物，其包括基于稳定化的单体组合物的总重量，至少50wt％的具有通式(I)的噻吩衍生物单体其中R1和R2相互独立地代表氢、任选被取代的C1-C20-烷基或C1-C20-烷氧基，其任选被1-5个氧原子和/或硫原子中断，或者共同地代表任选被取代的C1-C20-二氧亚烷基或者C6-C20的二氧亚芳基，和基于稳定化的单体组合物的总重量，0.001-10wt％的稳定剂。本发明专利技术同样涉及一种制造电容器的方法，通过该方法制造的电容器、所述稳定化的单体组合物的应用和所述稳定剂的应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种稳定化的单体组合物，一种制造电子电容器的方法以及通过该方法制造的电子电容器，一种稳定化的单体组合物的应用和一种稳定剂的应用。
技术介绍
采用导电聚合物作为阴极材料的固体电解电容器，因为在低等效串联电阻(ESR)和“不燃/不起火”的破裂方式方面的优势而广泛应用于电子产业。包括聚吡咯、聚苯胺和聚(3，4_亚乙基二氧噻吩)(PEDOT)的多种导电聚合物被应用于电解电容器的阴极材料，而诸如Ta、Al、Nb的阀金属(或称电子管金属(valvemetal))以及如NbO陶瓷的导电氧化物被用作阳极。在生产基于阀金属的导电聚合物电容器的一种制造方法中，例如Ta粉，被机械压制而形成了 Ta金属片，该Ta金属片随后在真空下高温烧结。烧结后的金属片在电解液中阳极化而在阳极表面上形成了电介质层(Ta2O5)。接着，通过多次浸溃聚合工艺涂敷了多层例如聚3，4_亚乙基二氧噻吩(PEDOT)的导电聚合物层。在聚合过程中，一种氧化剂溶液，例如在溶剂中的铁(III)P-甲苯磺酸盐，在一些情况下首先涂在阳极上。然后，依照DWheeler等在美国专利No. 6136176和R. Hahn等在美国专利N本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种稳定化的单体组合物，其包括?基于所述稳定化的单体组合物的总重量，至少50wt％的具有通式(I)的噻吩衍生物单体其中R1和R2相互独立地代表氢、任选被取代的C1?C20?烷基或C1?C20?烷氧基，其任选被1?5个氧原子和/或硫原子中断，或者共同地代表任选被取代的C1?C20?二氧亚烷基或者C6?C20?二氧亚芳基，和?基于稳定化的单体组合物的总重量，0.001?10wt％的稳定剂。F2009102530425C00011.tif

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：K·鲁特，U·默克，K·沃索，A·埃尔施纳，
申请(专利权)人：HC施塔克·克莱维奥斯有限责任公司，
类型：发明
国别省市：