【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种集成电路的制造方法，包括：提供基底，其中该基底具有微机电系统区，且该微机电系统区上形成有第一内连线结构以及硬掩模层，该硬掩模层位于该第一内连线结构上；以该硬掩模层为掩模，进行各向异性蚀刻工艺，以移除该硬掩模层所暴露出的部分该第一内连线结构，而形成微机电结构，且该微机电结构暴露出该微机电系统区的部分该基底；以及进行各向同性蚀刻工艺，以移除该微机电系统区的部分该基底，而在该微机电结构下方形成腔体，其中该腔体包括环状凹陷区以及中央区，该环状凹陷区环绕该中央区，而该微机电结构悬于该腔体上方。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：丁天佑，林梦嘉，杨进盛，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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