温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种集成电路及其制造方法，该制造方法包括提供具有微机电系统区的基底，且基底的微机电系统区上方形成有第一内连线结构以及硬掩模层，其中硬掩模层是位于第一内连线结构上。接下来，以硬掩模层为掩模，进行各向异性蚀刻工艺，以移除硬掩模层所暴露...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。