集成电路芯片制造技术

本发明专利技术提供一种集成电路芯片，包括：半导体衬底；电源/接地互连网络，设置于半导体衬底上的最上层金属层中；以及至少一个凸块接垫，设置于电源/接地互连网络之上，其中电源/接地互连网络包括第一电源/接地线以及连接部分，第一电源/接地线沿着第一方向延伸并连接至凸块接垫，连接部分沿着第二方向延伸并连接至凸块接垫。本发明专利技术提供的集成电路芯片能够减少金属层的电阻，进而降低芯片上的压降且改善芯片效能，或提供较多的信号布线空间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种集成电路芯片，更具体地，有关于一种能够减少芯片上压降(IRdrop)的改良式集成电路芯片及其互连体系。
技术介绍
在大型半导体集成电路元件设计的过程中，元件中个别的区块(block) —般会采用并行设计以互补其元件特性。设计大型元件时可采用构建区块(building-block)的方法，在此方法中将元件的电路分成多个电路区块，并同时进行每一个电路区块的设计。而后通过整合这些组成区块(constituent block)来进行该元件整体设计。 一个IC中通常具有大量的电路区块，可使用多层的导体将电源与信号从IC分散(distribute)至IC内的多个电路区块，以使电源与信号分布在各电路区块之间或是在各电路区块内的单元(Cell)之间传递。上述导体的形成可通过对一层导电材料(conductive material)进行光刻并形成有效图形(lithographically pattern)以形成导线(如从IC衬底上方来看)。具有导线形成在上的导电层会通过绝缘层(insulating layer)进行隔离(isolate),以使某个导电层中的导线在穿过另一个导电层时不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路芯片，包括：半导体衬底；电源/接地互连网络，设置于该半导体衬底上的最上层金属层中；以及至少一个凸块接垫，设置于该电源/接地互连网络之上，其中该电源/接地互连网络包括第一电源/接地线以及连接部分，该第一电源/接地线沿着第一方向延伸并连接至该凸块接垫，该连接部分沿着第二方向延伸并连接至该凸块接垫。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林志青，张雅婷，庄佳霖，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：