【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
随着电子技术的不断发展，液晶显示器已广泛的应用于各个显示领域。薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)阵列基板是液晶显示器的重要组成部分。如图I所示， TFT阵列基板的公共电极通常分为两部分，位于有效显示(Active Area,AA)区(图中虚线框部分)内的呈网络矩阵的公共电极线,位于AA区外的公共电极总线，而公共电极总线通常为连续的大面积金属11，并与AA区内的公共电极线相连。由于大面积金属11形成的公共电极部分是TFT阵列基板的制造过程中静电击穿的常见发生源，并且随着玻璃基板尺寸的增大，AA区外金属11的面积也在增大，也就更容易积累电荷，造成静电击穿。为了防止静电击穿现象的发生，现有技术在公共电极的线路设计中会加入短路线 12，如图I所示，但这种设计只能在回路形成后的产生静电防护作用，即只能在液晶显示装置的使用过程中发挥静电防护的作用，仍然没有解决TFT阵列基板制造过程中静电击穿的问题。
技术实现思路
本专利技术的实施例所要解决的技术问题在于提供一种阵列...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括公共电极总线和多条相互平行的公共电极线，其特征在于，所述公共电极总线包括多个间隔的栅极金属段和多个间隔的源漏极金属段，且所述源漏极金属段对应于所述栅极金属段之间的空缺位置，所述栅极金属段与所述源漏极金属段之间通过第一绝缘层隔开，对应相邻的所述栅极金属段和所述源漏极金属段之间通过过孔电连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：崔晓鹏，于海峰，陈曦，封宾，林鸿涛，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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