一种低寄生电容的双向SCR静电放电保护结构制造技术

本专利公开了一种基于SCR(Silicon?Controlled?Rectifier)的静电放电(Electrostatic?Discharge，ESD)保护结构，这种ESD保护结构保护电子电路免受ESD损坏。该ESD保护结构包括一种NPNPN形式的双向SCR器件，此双向SCR器件包括两个对称的NMOS管，这两个NMOS的漏区通过N阱相连接，这两个NMOS管分别形成于被深N阱隔离出的P阱中，其中一个NMOS的栅、源区和衬底连接被保护的电子电路的一端，另外一个NMOS的栅、源区和衬底连接被保护的电子电路的另外一端，这两个NMOS管和连接它们漏区的N阱形成NPNPN形式的双向SCR，提供这两端之间的ESD防护。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子
，涉及半导体集成电路芯片的ESD保护电路设计技术，尤其涉及一种SCR结构的ESD保护电路结构。
技术介绍
ESD是直接接触或静电场感应引起的两个不同静电势的物体之间静电荷的传输。当ESD现象发生时,会产生一个上升时间很短(约IOOps IOns)、峰值电流很大的电流脉冲，并会伴随几百微焦耳能量。当ESD脉冲出现在集成电路(Integrated Circuit,简称IC)产品的输入输出端(Input and Output,简称I/O)时,造成内部电路的栅氧化层击穿或pn结热击穿，最终导致集成电路产品的失效。通常栅氧化层的击穿电压要低于Pn结的热击 穿电压，所以CMOS集成电路越来越薄的栅氧化层已成为整个芯片中最容易发生ESD损伤的区域。对ESD损伤的防护手段可以分为两个方面一方面是外部因素，即改善器件和电路的生产、工作、存储环境和规范；另一方面是内部因素，即提高片内ESD保护电路的性能，这方面也是目前提高集成电路抗ESD性能的主要手段。在ESD防护设计中，二极管、三极管、MOS管和SCR通常提供ESD保护电路中关键的ESD电流泄放路径，其中SCR结构具有很小本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双向SCR静电放电保护结构，对集成电路芯片提供ESD保护，其特征在于双向SCR静电放电保护结构包括双向SCR器件，其中，所述双向SCR器件包括P型衬底(1)，P型衬底(1)内设有深N阱(2)，深N阱(2)上设有P阱，P阱包括对称的第一P阱(5a)和第二P阱(5b)，第三P阱(7)和第四P阱(8)，其中第一P阱(5a)和第二P阱(5b)位于外侧，第三P阱(7)和第四P阱(8)位于内侧，P阱侧面注有与P阱结深相同的N阱，其中第一P阱(5a)和第三P阱(7)间是第一N阱(6a)，第二P阱(5b)和第四P阱(8)间是第二N阱(6b)，第三P阱(7)和第四P阱(8)间是第三N阱(6c)，为了隔离P型...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙磊，张颖，潘亮，沈红伟，
申请(专利权)人：北京中电华大电子设计有限责任公司，
类型：发明
国别省市：