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本专利公开了一种基于SCR(Silicon?Controlled?Rectifier)的静电放电(Electrostatic?Discharge，ESD)保护结构，这种ESD保护结构保护电子电路免受ESD损坏。该ESD保护结构包括一种NPN...
该专利属于北京中电华大电子设计有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京中电华大电子设计有限责任公司授权不得商用。

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