【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于一种,尤其是指一种用于直通硅穿孔(TSV)式半导体组件堆栈结构的测试方法。
技术介绍
现代科技产品中半导体组件的应用相当广泛,尤其是通讯、计算机、网络相关等电子设备中,半导体组件(例如芯片或晶圆)的存在是不可或缺的,而随着市场对这些电子产品的需求日益增加,如何快速、有效率的改良半导体组件生产工艺并提供足够供应市场需求的芯片是半导体厂商努力的目标。在半导体组件生产工艺中,为了确保所生产的半导体组件能正常使用,并进一步淘汰有问题的不良半导体组件,所以会在工艺中对半导体组件进行检测的动作,以确保半导体组件的良率。而现在一般半导体组件堆栈结构的生产工艺中,半导体组件在进行堆栈加工之前,会先测试各个半导体组件,确认所测试半导体组件的功能无误后,再加以堆栈加工,待所有半导体组件堆栈完毕后,再针对最终的堆栈结构进行测试,此检测方法虽能确保半导体组件在堆栈前状态无虞,然而由于现在半导体组件体积日趋缩小,因此半导体组件在堆栈加工的过程中,很可能因堆栈位置有误或其它种种原因,而造成堆栈后的半导体组件无法正常使用。同时,若是堆栈过程中有一片半导体组件与其它半导体组件在 ...
【技术保护点】
一种半导体组件堆栈结构测试方法,包含下列步骤:(a)提供一测试底板与一探针卡,所述测试底板包含多个测试接点,所述探针卡包含多个探针,所述测试底板与所述探针卡分别连接至一测试装置,以供发送及接收测试讯号;(b)提供一基板,所述基板设置于所述测试底板上,且所述基板包含有多个第一接触点及第二接触点,所述多个第一接触点与所述多个第二接触点相应电性导通,所述多个第一接触点与所述测试底板的所述多个测试接点电性连接;(c)提供多个半导体组件,各半导体组件具有多个第一电性接点及多个第二电性接点,且所述多个第一电性接点与所述多个第二电性接点为对应电性导通,自所述多个半导体组件中取出一个半导体 ...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:易继铭,刘安鸿,黄祥铭,李宜璋,
申请(专利权)人:南茂科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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