图案化基板及堆栈发光二极管结构制造技术

本发明专利技术提供一种图案化基板及堆栈发光二级管结构，该图案化基板包括：一基板，含有一(0001)面，具有多个间隔排列的凹陷结构形成于其中，以进而使该基板具多个间隔排列的顶面，其中每一凹陷结构具有一底面与多个侧壁环绕该底面；以及一介电遮蔽层，覆盖该些凹陷结构的底面及/或侧壁。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于半导体结构及其制作方法，且特别是关于用于形成具有较佳品质磊晶层的一种图案化基板及堆栈发光二极管结构。
技术介绍
发光二极管是近年来应用广泛的发光半导体组件，具有低耗电、低污染、使用寿命长等特性，诸如交通信号灯、户外大型看板、显示器的背光源等。目前许多先进半导体电子装置与光电装置是由堆栈的磊晶成长所制成，而基板为成长半导体结构的要件之一，当基板和磊晶层的晶格常数愈不匹配时，会使后续成长的磊晶层和基板间因应力差异，而大大影响磊晶层内的缺陷密度，当缺陷密度越高，激发的电子与电洞会在晶体内的陷阱(trap)中以非辐射复合发光。换言之，利用改善晶体品质来降低晶体内的缺陷密度，可以使发光二极管的内部量子效率提升。 故为了改善磊晶层的晶体品质，美国专利号7445673中，其公开有关一种利用侧向磊晶成长半导体组件，包括一半导体层、一设于半导体层上方的部分屏蔽层，其中，该半导体层的表面利用屏蔽层形成具有多个成长缺口，由缺口露出的半导体层可通过侧向同质磊晶成长法，调整磊晶参数使磊晶层的横向长速大于纵向长速，让磊晶缺陷弯曲，减少缺陷延伸贯穿主动发光层而延伸至表面，但此屏蔽层皆位于半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图案化基板，其特征在于，包括：一基板，含有一(0001)面，具有多个间隔排列的凹陷结构形成于其中，进而使该基板具多个间隔排列的顶面，其中每一凹陷结构具有一底面与多个侧壁环绕该底面；以及一介电遮蔽层，覆盖该些凹陷结构的底面及/或侧壁。

【技术特征摘要】
2012.01.30 TW 1011027821.一种图案化基板，其特征在于，包括: 一基板，含有一(OOOl)面，具有多个间隔排列的凹陷结构形成于其中，进而使该基板具多个间隔排列的顶面，其中每一凹陷结构具有一底面与多个侧壁环绕该底面；以及一介电遮蔽层，覆盖该些凹陷结构的底面及/或侧壁。2.根据权利要求1所述的图案化基板，其特征在于，该介电遮蔽层还覆盖该基板的每一该顶面的全部表面或部分表面。3.根据权利要求2所述的图案化基板，其特征在于，该顶面实质是一平坦表面或是一弧形表面。4.根据权利要求1所述的图案化基板，其特征在于，该底面为一(0001)面。5.根据权利要求1所述的图案化基板，其特征在于，该介电遮蔽层材质为二氧化硅、氮化硅、二氧化钛。6.根据权利要求1所述的图案化基板，其特征在于，该基板材质为蓝宝石、硅、碳化硅的材质。7.一种堆栈发光二极管结构，其特征在于，包括: 权利要求1-6任一所述的图案化基板； 一未掺杂半导体磊晶层，设置在该介电遮蔽层与该基板上；以及 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：周秀玫，陈俊荣，叶昭呈，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：