氯硅烷残液处理工艺制造技术

本发明专利技术氯硅烷残液处理工艺，将一定浓度的氯硅烷残液送入处理系统，在表面蒸发器内均匀分配、并保持一定的温度、压力，使氯硅烷残液蒸发，回收蒸发出的氯硅烷气体；蒸发后的残液进入螺旋蒸发器，进行二次蒸发。通过两级蒸发、分离，将蒸发得到的氯硅烷气体，通过保温和换热冷凝后，得到氯硅烷产品，回收率达到95%以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种从多晶硅生产过程产生的泥浆状氯硅烷残液回收氯硅烷的处理工艺。
技术介绍
目前光伏发电90%以上依靠多晶硅，光伏产业对多晶硅的需求是刚性需求。生产多晶硅的主流工艺是改良西门子工艺，但我国近几年引进的生产线，几乎都是残缺不全的。特别是整个多晶硅生产链上某些工序产生的大量含尘残液得不到有效的处理，不仅使多晶硅的生产成本高，而且大量产生的泥浆状氯硅烷残液严重污染环境。由于没有有效的处理手段，使回收成本高，处理效果较差。
技术实现思路
鉴于目前多晶硅生产过程中所产生的大量泥浆状氯硅烷没有有效回收、处理手段，成为多晶硅生产发展瓶颈的现状，本专利技术的目的是研究一种切实有效的从泥浆状氯硅烷残液中回收氯硅烷、分离残渣的处理工艺。本专利技术通过如下处理工艺实现了上述专利技术目的本专利技术是一种氯硅烷残液处理工艺，其特征在于处理步骤如下一、用泵将氯硅烷残液以200-300kg/h的流量均匀泵入表面蒸发器顶部；二、表面蒸发器温度控制在60-90°C，、压力控制在O.02-0. 08Mpa(G)，物料停留时间2-8分钟，由表面蒸发器热媒夹套内130-150°C热媒提供热量；三、蒸发器回收氯硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氯硅烷残液处理工艺，其特征在于处理步骤如下：用泵将氯硅烷残液以200?300kg/h的流量均匀泵入表面蒸发器顶部；表面蒸发器温度控制在60?90℃,压力控制在0.02?0.08Mpa(G)，物料停留时间?2?8分钟，由表面蒸发器热媒夹套内130?150℃热媒提供热量；表面蒸发器回收氯硅烷气体；蒸发后的残液进入螺旋蒸发器进行二次蒸发，物料停留时间2?8分钟，得到190?295kg/h氯硅烷气体；将上述氯硅烷气体送入热媒夹套过滤器保温，温度为80?100℃，物料停留时间5?10分钟，过滤器持续保温；将保温后的氯硅烷气体送入一级换热器冷凝，用32℃±2℃冷却水冷却；将通过一级换热器后，不凝的氯硅...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王姗，
申请(专利权)人：成都蜀菱科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：