EMI专用真空溅镀治具制造技术

本实用新型专利技术公开了一种EMI专用真空溅镀治具，包括上盖和底座，所述底座上设置有与产品配套的定位块；所述上盖包括遮蔽块，所述遮蔽块通过架桥连接，所述架桥连接至所述上盖的主体。该实用新型专利技术的底座及上盖分别采用铝合金材质一体成型，并在上盖设置通过架桥连接距离上盖边缘较远的遮蔽块，通过遮蔽块固定产品及底座并遮蔽非溅镀区，用于产品的真空溅镀时，治具本身相较于PC材质或普通铝材具有较高的机械强度；通过架桥及遮蔽块的方式，能够最大化的遮蔽非溅镀区并露出溅镀区，且通过遮蔽块设计减少了对产品的压盖区而最大化保护产品不划伤；治具可反复使用，不仅溅镀精度高且降低了成本投入。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种EMI专用真空派镀治具。
技术介绍
电磁干扰(EMI)是干扰电缆信号并降低信号完好性的电子噪音，EMI通常由电磁辐射发生源，如马达和机器产生。EMI有传导干扰和辐射干扰两种，在PCB及系统设计中，高频信号线、集成电路的引脚、各类接插件等都可能成为具有天线特性的辐射干扰源，能发射电磁波并影响其他系统或本系统内其他子系统的正常工作。电子消费类产品，如笔记本电脑、手机、导航仪等，都容易产生EMI辐射性，传统的方法是通过电镀、喷涂等方法，在产品的表面覆上一层导电金属，但传统的方法效率低、成本高、污染严重，而真空溅镀在电子产品表层镀上导电金属，使电磁波被导电金属吸收或反射，采用真空溅镀方法具有经济、高效、无污染的优点。在真空溅镀工艺中，可防止被溅镀的塑胶件不变形、溅镀区域精准、可批量循环使用并保护塑胶件的治具至关重要。现有技术中，有用PC材料制作的治具，保护精度、强度不高、可修复性不强，达不到反复使用；普通的铝材制作成的治具，加工时困难点较多，如材料加工变形，成品毛刺较多且难清理等。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术提供了一种EMI专用真空溅镀治具，以提高治具本身的强度、反复使用性及对产品的保护精度，确保溅镀区域精准，并防止产品变形。为达到上述目的，本技术的技术方案如下一种EMI专用真空溅镀治具，包括上盖和底座，所述底座上设置有与产品配套的定位块；所述上盖包括遮蔽块，所述遮蔽块通过架桥连接，所述架桥连接至所述上盖的主体。优选的，所述遮蔽块与架桥构成上下两层立体结构。优选的，所述遮蔽块位于下层，所述架桥位于上层。优选的，下层所述遮蔽块对应产品的凹槽及非溅镀区。优选的，所述上盖及底座分别采用铝合金材质一体成型。通过上述技术方案，本技术提供的EMI专用真空溅镀治具，其采用铝合金材质加工底座及上盖，并在上盖设置通过架桥连接距离上盖边缘较远的遮蔽块，通过遮蔽块固定产品及底座并遮蔽非溅镀区，用于产品的真空溅镀时，其具有如下优点①上盖及底座分别采用铝合金材质一体成型，使得治具本身相较于PC材质或普通铝材具有较高的机械强度，且配件少，应用时组装方便，只需直接将产品卡在上盖及底座之间即可；②通过架桥及遮蔽块的方式，能够最大化的遮蔽非溅镀区并露出溅镀区，且通过遮蔽块设计减少了对产品的压盖区而最大化保护产品不划伤；③铝合金材质治具可反复使用，不仅溅镀精度高且降低了成本投入。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。图I为实施例所公开的EMI专用真空溅镀治具的上盖结构示意图；图2为实施例所公开的EMI专用真空溅镀治具的底座结构示意图；图3为实施例所公开的EMI专用真空派镀治具的上盖及底座组合结构示意图。图中数字表示11.上盖12.架桥13.遮蔽块21.底座22.定位块具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。根据图I至3，本技术提供的EMI专用真空溅镀治具，包括上盖11和底座21，底座21上设置有与产品配套的定位块22 ;上盖11包括遮蔽块13，遮蔽块13通过架桥12连接，架桥12连接至上盖11的主体。其中，遮蔽块13与架桥12构成上下两层立体结构，遮蔽块13位于下层并对应产品的凹槽及非溅镀区，架桥12位于上层。为了确保EMI专用真空溅镀治具具有较高的机械强度，其上盖11及底座21分别采用铝合金材质一体成型。本技术提供的EMI专用真空溅镀治具，其底座21及上盖11分别采用铝合金材质一体成型，并在上盖11设置通过架桥12连接距离上盖11边缘较远的遮蔽块13，通过遮蔽块13固定产品及底座21并遮蔽非溅镀区，用于产品的真空溅镀时，不仅具有较高的机械强度，且能够最大化的遮蔽非溅镀区并露出溅镀区，且通过遮蔽块13设计减少了对产品的压盖区而最大化保护产品不划伤，且治具可反复使用，不仅溅镀精度高，且降低了成本投入。对上述实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。权利要求1.一种EMI专用真空溅镀治具，包括上盖和底座，所述底座上设置有与产品配套的定位块，其特征在于，所述上盖包括遮蔽块，所述遮蔽块通过架桥连接，所述架桥连接至所述上盖的主体。2.根据权利要求I所述的EMI专用真空溅镀治具，其特征在于，所述遮蔽块与架桥构成上下两层立体结构。3.根据权利要求2所述的EMI专用真空溅镀治具，其特征在于，所述遮蔽块位于下层，所述架桥位于上层。4.根据权利要求3所述的EMI专用真空溅镀治具，其特征在于，下层所述遮蔽块对应产品的凹槽及非溅镀区。5.根据权利要求I所述的EMI专用真空溅镀治具，其特征在于，所述上盖及底座分别采用铝合金材质一体成型。专利摘要本技术公开了一种EMI专用真空溅镀治具，包括上盖和底座，所述底座上设置有与产品配套的定位块；所述上盖包括遮蔽块，所述遮蔽块通过架桥连接，所述架桥连接至所述上盖的主体。该技术的底座及上盖分别采用铝合金材质一体成型，并在上盖设置通过架桥连接距离上盖边缘较远的遮蔽块，通过遮蔽块固定产品及底座并遮蔽非溅镀区，用于产品的真空溅镀时，治具本身相较于PC材质或普通铝材具有较高的机械强度；通过架桥及遮蔽块的方式，能够最大化的遮蔽非溅镀区并露出溅镀区，且通过遮蔽块设计减少了对产品的压盖区而最大化保护产品不划伤；治具可反复使用，不仅溅镀精度高且降低了成本投入。文档编号C23C14/34GK202671644SQ20122031772公开日2013年1月16日 申请日期2012年7月3日 优先权日2012年7月3日专利技术者范新宇 申请人:昆山福冈电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种EMI专用真空溅镀治具，包括上盖和底座，所述底座上设置有与产品配套的定位块，其特征在于，所述上盖包括遮蔽块，所述遮蔽块通过架桥连接，所述架桥连接至所述上盖的主体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：范新宇，
申请(专利权)人：昆山福冈电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：