片式电容器芯片真空溅镀组合模具制造技术

本实用新型专利技术涉及一种片式电容器芯片真空溅镀组合模具，包括上模板、中模板及下模板，中模板上设有数个直通孔用于放置需溅镀的片式电容器芯片，上模板上对应中模板的数个直通孔分别设有数个第一溅镀通孔，第一溅镀通孔包括靠近中模板的第一定位段及远离中模板的第一溅镀段，第一溅镀段的孔径小于第一定位段的孔径，下模板上对应中模板的数个直通孔分别设有数个第二溅镀通孔，第二溅镀通孔包括靠近中模板的第二定位段及远离中模板的第二溅镀段，第二溅镀段的孔径小于第二定位段的孔径。该片式电容器芯片真空溅镀组合模具结构简单，组合多变，适用于对多规格片式电容器芯片进行真空溅镀金属电极，使用方便、制作精度高、制作效率高且成本低。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

片式电容器芯片真空溅镀组合模具
本技术涉及一种真空溅镀组合模具，尤其涉及一种用于对片式电容器芯片进行真空溅镀金属电极的片式电容器芯片真空溅镀组合模具。
技术介绍
片式电容器是一种常用的电子元件。现有的片式电容器通常由一个陶瓷介质的基片，在两面用银浆丝印电极，加上引脚经绝缘物料包封后成为成品，广泛应用于各类电子产品中。在现有的制造片式电容器芯片的工艺过程中，多采用丝网单边印刷电极，印完一边并经高温烘干后，再对另一面进行相同操作。这种工艺工时长，耗能大，成本高，其最不好控制的是丝网用的时间一长会产生变形，由圆形变成不规则的形状。同时，由于丝网的纵横编织方式，决定了在印刷面的边缘会产生锯齿状，在耐电压高的电容器上会产生尖端放电的现象，这是电容器产品所不允许的。另外传统的丝网单边印刷电极是印完一面再印另一面的操作，容易导致两边电极面不同心，使容量变化大且电性指标不良，严重的可造成产品报废。因此，行业中迫切要求新的加工制造装置进行替换。
技术实现思路
因此，本技术的目的在于提供一种片式电容器芯片真空溅镀组合模具，其结构简单，组合多变，适用于对多规格片式电容器芯片进行真空溅镀金属电极，使用方便、制作精度高、制作效率高且成本低。为实现上述目的，本技术提供一种片式电容器芯片真空溅镀组合模具，包括上模板、中模板及下模板，所述中模板上设有数个直通孔用于放置需溅镀的片式电容器芯片，所述上模板上对应中模板的数个直通孔分别设有数个第一溅镀通孔，所述第一溅镀通孔包括靠近中模板的第一定位段及远离中模板的第一溅镀段，所述第一溅镀段的孔径小于第一定位段的孔径，所述下模板上对应中模板的数个直通孔分别设有数个第二溅镀通孔， 所述第二溅镀通孔包括靠近中模板的第二定位段及远离中模板的第二溅镀段，所述第二溅镀段的孔径小于第二定位段的孔径。所述第一溅镀通孔的第一定位段的孔径及所述第二溅镀通孔的第二定位段的孔径均与所述直通孔的孔径相同。所述上模板背向中模板的一侧于第一溅镀通孔处设有倒角，所述下模板背向中模板的一侧于第二溅镀通孔处设有倒角。所述上模板的第一溅镀通孔及下模板的第一溅镀通孔的形状、尺寸及深度与需溅镀的片式电容器芯片的形状及容量相对应。所述中模板上的数个直通孔、所述上模板上的数个第一溅镀通孔及所述下模板上的数个第二溅镀通孔呈圆形或多边形。所述上模板的一端设有定位销且上模板的另一端设有定位孔，所述下模板的一端设有定位孔且下模板的另一端设有定位销，所述中模板对应上模板的定位销及下模板的定位销分别设有定位孔。所述上模板、中模板及下模板的四周设有紧固孔。所述上模板、中模板及下模板为金属板体。所述中模板上的数个直通孔、所述上模板上的数个第一溅镀通孔及所述下模板上的数个第二溅镀通孔均排列成多行，且行与行之间呈交错排列。本技术的有益效果本技术的片式电容器芯片真空溅镀组合模具可根据需溅镀的片式电容器芯片的电极生产的实际需要多变成不同的组合，以减少成本支出，可广泛适用片式电容器芯片电极面的溅镀工艺；上模板的第一溅镀通孔、中模板的直通孔及下模板上的第二溅镀通孔可根据需溅镀的片式电容容量的大小，经精确加工而成以确定电极的面积，确保容量的精确实现，克服了现有的用丝网印刷电浆由于丝网的变形导致电极大小不一，以及丝网的网状结构造成电极尖端放电的固有缺陷，大大提高了电容的电性；该片式电容器芯片真空溅镀组合模具可以单片应用，也可以两片组合，还可以三片组合，并可以根据溅镀机载盘的容纳尺寸，设计成不同尺寸的方块，最大限度地利用机器载盘的有效空间，提高产能；同时，该片式电容器芯片真空溅镀组合模具通过与机械的配套设计，可方便地实现双面溅镀，使产能双倍提高。为更进一步阐述本技术为实现预定目的所采取的技术手段及功效，请参阅以下有关本技术的详细说明与附图，相信本技术的目的、特征与特点，应当可由此得到深入且具体的了解，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本技术加以限制。附图说明以下结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其他有益效果显而易见。附图中，图I为本技术片式电容器芯片真空溅镀组合模具一较佳实施例的立体分解结构示意图。图2为图I所示片式电容器芯片真空溅镀组合模具的局部剖视放大图。图3为本技术片式电容器芯片真空溅镀组合模具另一较佳实施例的局部剖视放大图。具体实施方式如图I与图2所示，为本技术片式电容器芯片真空溅镀组合模具的一较佳实施例。该片式电容器芯片真空溅镀组合模具，包括上模板10、中模板20及下模板30，所述中模板20上设有数个直通孔21用于放置需溅镀的片式电容器芯片，所述上模板10上对应中模板20的数个直通孔21分别设有数个第一溅镀通孔11，所述第一溅镀通孔11包括靠近中模板20的第一定位段111及远离中模板20的第一溅镀段112，所述第一溅镀段112的孔径小于第一定位段111的孔径，所述下模板30上对应中模板20的数个直通孔21分别设有数个第二溅镀通孔31，所述第二溅镀通孔31包括靠近中模板20的第二定位段311及远离中模板20的第二溅镀段312，所述第二溅镀段312的孔径小于第二定位段311的孔径。所述第一溅镀通孔11的第一定位段111的孔径及所述第二溅镀通孔31的第二定位段311的孔径均与所述直通孔21的孔径相同。所述上模板10的第一溅镀通孔11及下模板30的第一溅镀通孔11的形状、尺寸及深度与需溅镀的片式电容器芯片的形状及容量相对应。所述中模板20上的数个直通孔21、所述上模板10上的数个第一溅镀通孔11及所述下模板30上的数个第二溅镀通孔31呈圆形或多边形。本实施例中，所述中模板20上的数个直通孔21、所述上模板10上的数个第一溅镀通孔11及所述下模板30上的数个第二溅镀通孔31呈圆形，通过采用机械精密加工，可将片式电容器芯片的电极面积很好的规定成正圆，同时双面同样加工达到两面同心，确保加工出来的产品一致,从而保证电器性能。所述上模板10的一端设有定位销12且上模板10的另一端设有定位孔13，所述下模板30的一端设有定位孔(图I未示出)且下模板30的另一端设有定位销33，所述中模板20对应上模板10的定位销12及下模板30的定位销33分别设有定位孔22，从而方便上模板10、中模板20及下模板30的对合定位。所述上模板10、中模板20及下模板30的四周设有紧固孔14、23、34，可以适用于不同溅镀机器的承载内框的组合布局，方便地排列成不同方阵，充分利用有效空间实施溅镀，从而提高单位时间之产能。所述上模板10、中模板20及下模板30为金属板体，可适用于各种温度环境(不含极端环境)。所述中模板20上的数个直通孔21、所述上模板10上的数个第一溅镀通孔11及所述下模板30上的数个第二溅镀通孔31均排列成多行，且行与行之间呈交错排列，以争取在有效的面积容纳最多的广品，提闻单位广能。如图3所示，为本技术片式电容器芯片真空溅镀组合模具的另一较佳实施例。本实施例的片式电容器芯片真空溅镀组合模具与前一实施例的结构基本相同，区别仅在于本实施例中，上模板IOa背向中模板20a的一侧于第一溅镀通孔Ila处设有倒角113， 所述下模板30a背向中模板20a的一侧于第二溅镀通孔31a处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种片式电容器芯片真空溅镀组合模具，其特征在于，包括上模板、中模板及下模板，所述中模板上设有数个直通孔用于放置需溅镀的片式电容器芯片，所述上模板上对应中模板的数个直通孔分别设有数个第一溅镀通孔，所述第一溅镀通孔包括靠近中模板的第一定位段及远离中模板的第一溅镀段，所述第一溅镀段的孔径小于第一定位段的孔径，所述下模板上对应中模板的数个直通孔分别设有数个第二溅镀通孔，所述第二溅镀通孔包括靠近中模板的第二定位段及远离中模板的第二溅镀段，所述第二溅镀段的孔径小于第二定位段的孔径。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黎国强，
申请(专利权)人：黎国强，
类型：实用新型
国别省市：