【技术实现步骤摘要】
片式电容器芯片真空溅镀组合模具
本技术涉及一种真空溅镀组合模具，尤其涉及一种用于对片式电容器芯片进行真空溅镀金属电极的片式电容器芯片真空溅镀组合模具。
技术介绍
片式电容器是一种常用的电子元件。现有的片式电容器通常由一个陶瓷介质的基片，在两面用银浆丝印电极，加上引脚经绝缘物料包封后成为成品，广泛应用于各类电子产品中。在现有的制造片式电容器芯片的工艺过程中，多采用丝网单边印刷电极，印完一边并经高温烘干后，再对另一面进行相同操作。这种工艺工时长，耗能大，成本高，其最不好控制的是丝网用的时间一长会产生变形，由圆形变成不规则的形状。同时，由于丝网的纵横编织方式，决定了在印刷面的边缘会产生锯齿状，在耐电压高的电容器上会产生尖端放电的现象，这是电容器产品所不允许的。另外传统的丝网单边印刷电极是印完一面再印另一面的操作，容易导致两边电极面不同心，使容量变化大且电性指标不良，严重的可造成产品报废。因此，行业中迫切要求新的加工制造装置进行替换。
技术实现思路
因此，本技术的目的在于提供一种片式电容器芯片真空溅镀组合模具，其结构简单，组合多变，适用于对多规格片式电容器芯片进行真空溅镀...
【技术保护点】
一种片式电容器芯片真空溅镀组合模具，其特征在于，包括上模板、中模板及下模板，所述中模板上设有数个直通孔用于放置需溅镀的片式电容器芯片，所述上模板上对应中模板的数个直通孔分别设有数个第一溅镀通孔，所述第一溅镀通孔包括靠近中模板的第一定位段及远离中模板的第一溅镀段，所述第一溅镀段的孔径小于第一定位段的孔径，所述下模板上对应中模板的数个直通孔分别设有数个第二溅镀通孔，所述第二溅镀通孔包括靠近中模板的第二定位段及远离中模板的第二溅镀段，所述第二溅镀段的孔径小于第二定位段的孔径。
【技术特征摘要】
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