铪铟锌氧化物靶材的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种铪铟锌氧化物靶材的制作方法，包括氧化铪、氧化铟和氧化锌三种金属氧化物纳米粉体的制备步骤、氧化铟粉末制作步骤、烧结步骤以及整型步骤，将氧化铪、氧化铟、氧化锌的纳米粉末均匀混合，压制成坯，再以高温烧结合成为铪铟锌氧化物，经机械加工、打磨形成铪铟锌氧化物靶材。本发明专利技术提供的靶材溅射的薄膜均一性好，原子比例精确可控，而且制造工艺简单，显示出了巨大的应用前景。以本发明专利技术方法制备的氧化物溅射靶材制作的薄膜晶体管具有电子迁移率高，器件性能优越，制造工艺简单，稳定性好等优点，也为新型薄膜晶体管的发展带来了契机。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种薄膜晶体管制造エ艺，还涉及一种半导体材料制备方法，特别涉及ー种薄膜晶体管(TFT)的有源层的制作方法，应用于有机发光显示(OLED)和液晶显示(LCD)的驱动方面，也可以用于集成电路领域。
技术介绍
20世纪平板显示技术的出现，把人类带入了信息社会，人类社会从此发生了质的飞跃。而平板显示的核心元件就是薄膜晶体管(TFT, Thin Film Transistor),—种在玻璃基底上通过薄膜エ艺制作的场效应晶体管器件。在有源矩阵平板显示(AMIXD)中，目前依旧采用非晶硅TFT、多晶硅TFT等作为开关単元，但非晶硅TFT迁移率低、光敏性強，而多晶硅TFT大面积制作エ艺复杂、低温エ艺难以实现，成本高，因此限制了它们在更广阔的范围中应用。将半导体氧化物作为有源层来制作TFT用于平板显示中，不仅能获得较高迁移率，·器件性能优越，而且制造エ艺简单、低温下可以获得，显示出了巨大的应用前景。作为液晶显示器的关键器件之一，薄膜晶体管性能的好坏直接影响到液晶显示器的质量。研究人员也在不断通过优化薄膜晶体管的结构、提高制备エ艺、使用不同有源层半导体材料等手段来提高薄膜晶体管的性能。目本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铪铟锌氧化物靶材的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：1）氧化铪、氧化铟和氧化锌三种金属氧化物纳米粉体的制备：将金属铪、铟和锌三种金属分别加热熔化形成不同的金属熔体，然后将各金属熔体分别在氧化反应气氛下进行氧化，再经冷却处理后分别形成氧化铪、氧化铟和氧化锌三种金属氧化物颗粒，然后分别通过提纯获得纯净的氧化铪、氧化铟和氧化锌三种金属氧化物粉末，再对各金属氧化物粉末分别进行研磨，得到粒度均匀的氧化铪、氧化铟和氧化锌三种金属氧化物的纳米粉体，各金属氧化物纳米粉体的颗粒粒径均达到0.1？um；2）靶材初坯制备：将氧化铪、氧化铟和氧化锌三种金属氧化物纳米粉体按照重量百分比为（3±10%）：（2±10...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：信恩龙，李喜峰，张建华，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：