金属掩模套版制造技术

技术编号:8227597 阅读:274 留言:0更新日期:2013-01-18 07:41
本实用新型专利技术涉及一种适用于新材料电子器件制作模板及模板的使用方法。一种金属掩模套版,包括掩模后挡板,还包括有用于测试各向异性材料的霍尔效应和电阻率的第一欧姆接触电极图形掩模板、用于测试各向同性材料的霍尔效应和电阻率的第二欧姆接触电极板、用于分析材料的电容电压特性的绝缘层图形掩模板和用于制作肖特基电极的肖特基接触电极图形掩模板。本实用新型专利技术的优点是:金属掩模套版结构简单,操作方便快捷,一次就可以在小尺寸样品上生长一批电极样品器件,同时能够方便高效的获得需要的器件尤其适合于材料辐照改性的研究。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种适用于新材料电子器件制作模板及模板的使用方法。技术背景社会的发展和科技的进步加快了人们对新材料的需求和探索,同时,新材料的制备和分析是材料研究者的工作重点。其中,电学性质是新材料性能的一项重要指标,这使得样品上电极的制备成了获得可靠数据的关键所在。为获得准确的电学测试的数据,电极面积及电极材料的选择都是必须要考虑的内容。因此,在新材料的研发当中,传统的铟电极和铝电极已经不能适应研究的需要。此外,由于新材料的生产成本高,生长技术苛刻,以及测试条件的限制,新材料的研究者们一般不会制作较大尺寸的材料样品。尤其是在材料辐照改性的研究当中,由于离子束束斑较小及束流昂贵成本的限制,更加不可能获得大面积尺 寸的样品,这给研究辐照后样品的电学性质带来了意想不到的困难。目前公认的器件制作技术是微电子工艺当中的光刻技术。虽然光刻技术在追求精细和高效方面做到了极致,但是其工序复杂,生产成本高。在高成本的驱动下,光刻技术形成了在一整片晶圆上进行操作的模式。这不适应于小尺寸样品的分析需要。此外,要在新材料上制得合适的电极,相应电极所需要的金属材料并不单一,这给电学数据的获取带来很多麻烦。材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属掩模套版,包括掩模后挡板,其特征在于,所述的掩模后挡板呈圆形,圆形掩模后挡板的下部和右侧部具有两条直边;在掩模后挡板的板面上设有样品空间定位孔,样品空间定位孔呈方形,在空间定位孔的四个顶角上设有套版定位孔;还包括有用于测试各向异性材料的霍尔效应和电阻率的第一欧姆接触电极图形掩模板、用于测试各向同性材料的霍尔效应和电阻率的第二欧姆接触电极板、用于分析材料的电容电压特性的绝缘层图形掩模板和用于制作肖特基电极的肖特基接触电极图形掩模板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:缑洁张崇宏张丽卿
申请(专利权)人:中国科学院近代物理研究所
类型:实用新型
国别省市:

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