一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管、透明导电金属层和像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极，其中，所述有源层位于栅极的上方或者下方；所述透明导电金属层与有源层层叠接触；所述源极和漏极形成有源层的沟道，且所述漏极与像素电极连接。由于透明导电金属与有源层层叠接触，在阵列基板的制造过程中，在沉积透明导电薄膜和有源层薄膜之后，只需通过一次半色调掩模构图工艺即可形成像素电极图形和有源层图形，大大简化了生产工艺，同时也减少了该次掩模构图工艺可能带来的产品缺陷，大大提高了产能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管液晶显示
，特别是涉及。
技术介绍
在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display,简称TFT-IXD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无福射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。目前，TFT-LCD的显示模式主要有TN (Twisted Nematic,扭曲向列)模式、VA(Vertical Alignment,垂直取向)模式、IPS (In-Plane-Switching,平面方向转换)模式和AD-SDS (ADvanced Super Dimension Switch,高级超维场转换技术,简称ADS)模式等。 其中，ADS模式的液晶显示器主要是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-IXD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。以ADS模式的TFT-IXD阵列基板为例，该阵列基板包括一组栅极扫描线和与栅极扫描线垂直交叉的一组数据扫描线，彼此交叉的栅极扫描线和数据扫描线限定了一个像素区。如图I所示，每一个像素区包括形成于基板10之上的栅极11、栅极绝缘层12、有源层13、源极15、漏极16、像素电极14 (即板状电极)、钝化层17和公共电极18 (即狭缝电极)，其中，公共电极18在像素区内具有多个狭缝结构。在现有阵列基板的制造过程中，形成栅极和栅极扫描线图形，有源层图形，源极、漏极和数据扫描线图形，像素电极图形和过孔图形各需采用一次掩模构图工艺，图I所示的ADS模式的TFT-IXD阵列基板则需采用1+5次掩模构图工艺形成。形成有源层和像素电极各自均需采用一次掩模构图工艺，而每次掩模构图工艺均包括多个步骤，这无疑使得阵列基板的制造工艺较为繁琐，产能较难提升。
技术实现思路
本专利技术提供了，用以解决现有技术中阵列基板的制造工艺较为繁琐，产能较难提升的技术问题。本专利技术阵列基板，包括多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管、透明导电金属层和像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极，其中，所述有源层位于栅极的上方或者下方；所述透明导电金属层与有源层层叠接触；所述源极和漏极形成有源层的沟道，且所述漏极与像素电极连接。本专利技术显示装置，包括前述技术方案所述的阵列基板。本专利技术阵列基板的制造方法，包括在基板上沉积透明导电薄膜和有源层薄膜，通过一次半色调或灰色调掩模构图工艺形成像素电极图形、透明导电金属层图形和有源层图形，其中，所述透明导电金属层与有源层层叠接触。在本专利技术技术方案中，由于透明导电金属与有源层为层叠接触，因此，在阵列基板的制造过程中，在沉积透明导电薄膜和有源层薄膜之后，只需通过一次半色调或灰色调掩模构图工艺即可形成像素电极图形和有源层图形，对比于现有技术，省去了一次掩模构图工艺，大大简化了生产工艺，同时也减少了该次掩模构图工艺可能带来的产品缺陷，大大提1 T广1倉泛。 附图说明图I为现有阵列基板结构示意图(ADS模式)；图2为本专利技术阵列基板结构示意图(以ADS模式为例)；图3为本专利技术阵列基板制造方法流程示意图(以ADS模式为例)；图4为本专利技术阵列基板制造方法中半色调掩模工艺流程示意图；图5a 图5e为基板的半色调掩模工艺示意图；图6为本专利技术阵列基板结构示意图(以TN模式为例)。附图标记10-透明基板11-栅极12-栅极绝缘层13-有源层(现有技术)14-像素电极(现有技术)15-源极16-漏极17-钝化层18-公共电极23-有源层24-像素电极230-有源层薄膜240-透明导电薄膜100-光刻胶25-透明导电金属层具体实施例方式为了解决现有技术中阵列基板的制造工艺较为繁琐，产能较难提升的技术问题，本专利技术实施例提供了。如图6所示实施例，本专利技术阵列基板，包括多个像素单元(图中以一个像素单元的截面为例)，每个像素单元包括薄膜晶体管、透明导电金属层25和像素电极24，所述薄膜晶体管包括栅极U、有源层23、源极15和漏极16，其中，所述有源层23位于栅极11的上方或者下方；所述透明导电金属层25与有源层23层叠接触；所述源极15和漏极16形成有源层23的沟道，且所述漏极16与像素电极24连接。本专利技术所述阵列基板的类型不限，例如可以为底栅型阵列基板(此时有源层位于栅极的上方)或者顶栅型阵列基板(此时有源层位于栅极的上方)等。阵列基板各膜层的结构位置可以有很多种变化，只要制作出显示装置驱动所必要的元素(比如栅极、有源层、源极、漏极和像素电极等)，确保显示装置正常驱动即可。所述透明导电金属层和像素电极的材质优选相同，这样，像素电极和透明导电金属层便可以同层制作形成。以底栅型阵列基板为例，还具体包括透明基板10、与栅极11连接的栅极扫描线(图中未示出)、栅极绝缘层12、与源极15连接的数据扫描线(图中未示出)，其中，所述栅极11和栅极扫描线，形成于透明基板10之上；所述栅极绝缘层12，形成于栅极11和栅极扫描线之上并覆盖基板；所述像素电极24和透明导电金属层25，形成于栅极绝缘层12之上，且所述透明导电金属层25位于栅极11的上方；所述有源层23，形成于透明导电金属层25之上并与透明导电金属层25层叠接触； 所述源极15和漏极16形成于有源层23之上。在本专利技术实施例的阵列基板中，透明导电金属层25的存在可以使像素电极24和有源层23在一次半色调或灰色调掩模构图工艺中形成，透明导电金属层25的存在对阵列基板的功能不产生影响。对比于现有技术，省去了一次掩模构图工艺，大大简化了生产工艺，同时也减少了该次掩模构图工艺可能带来的产品缺陷，大大提高了产能。在图6所示的实施例中，所述阵列基板还进一步包括钝化层17，所述钝化层17位于薄膜晶体管、透明导电金属层25和像素电极24所组成的结构之上并覆盖基板，且在基板的信号引导区具有过孔(图中未示出)。该结构阵列基板可应用于TN模式的显示装置，在TN模式的显示装置中，公共电极设置于彩膜基板上。请参考图2所示，当阵列基板为ADS模式的阵列基板时，所述阵列基板还进一步包括钝化层17，形成于源极15、漏极16和数据扫描线之上并覆盖基板，且在基板的信号引导区具有过孔(图中未示出)；公共电极18，形成于钝化层17之上，且具有狭缝结构。在本专利技术的其它实施例中，阵列基板的结构还可以是，像素电极具有狭缝结构，阵列基板进一步包括公共电极，该公共电极位于像素电极的下方并与像素电极绝缘隔离。当阵列基板为ADS模式时，只要保证上面的电极具有狭缝结构，下面的电极具有板状结构即可。公共电极可以位于栅极绝缘层的上方，或者与栅极在一次构图工艺中形成均可。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，其包括上述任意一种阵列基板。所述显示装置可以为液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。本专利技术阵列基板的制造方法，包括在基板上沉积透明导电薄膜和有源层薄膜，通过一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管、透明导电金属层和像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极，其中，所述有源层位于栅极的上方或者下方；所述透明导电金属层与有源层层叠接触；所述源极和漏极形成有源层的沟道，且所述漏极与像素电极连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邓检，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：