晶片的加工方法技术

本发明专利技术提供在减少晶片破损的顾虑的同时，能够检测晶片的分割预定线，沿着分割预定线对晶片实施加工的晶片的加工方法。该加工方法包括：将对准标记与分割预定线之间的位置关系作为位置关系信息来进行存储位置关系存储步骤；在实施了位置关系存储步骤之后，从晶片侧对贴附有晶片的基板进行摄像，检测对准标记的位置的对准标记位置检测步骤；根据通过对准标记位置检测步骤检测的对准标记的位置和通过位置关系存储步骤存储的位置关系信息，从贴附在基板上的晶片的表面侧沿着分割预定线对晶片实施加工的加工步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及即使形成得 薄也容易处理的。
技术介绍
在由形成在表面上的多个交叉的分割预定线而划分而成的各区域上形成有分立器件(个別半导体)(以下，还简单地表述为“器件”)的晶片中，在进行了用于薄化的背面研磨之后，通过溅射或蒸镀而将作为电极工作的金属层形成在背面。另外，作为分立器件(个別半导体)，例如，有晶体管、二极管、电容器、M0SFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (金属半导体场效应晶体管))、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor (绝缘栅双极晶体管))等。公知有如下所述的方法在薄化了晶片之后形成金属层时，为了防止晶片破损，仅对晶片背面的中央部进行薄化而形成圆形凹部，使外周剩余区域残留而作为加强部(参照专利文献I)。专利文献I日本特开2007-19379号公报例如，当将晶片薄化到50 μ m以下时，即使使用在专利文献I中公开的方法，也很难防止处理时的晶片破损。因此，考虑在基板上贴附晶片来进行薄化，在基板贴附了晶片的状态下，用金属来被覆晶片背面而形成金属层。此处，为了减本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，在该晶片中，在由形成于表面的多个交叉的分割预定线划分而成的各区域上形成有器件，该加工方法的特征在于包括：基板准备步骤，准备由透明体构成的基板，该基板具有贴附晶片的晶片贴附区域、围绕该晶片贴附区域的外周剩余区域以及形成于该外周剩余区域的对准标记；贴附步骤，在该基板的该晶片贴附区域贴附晶片的表面而使晶片的背面露出；位置关系存储步骤，从该基板侧通过该基板对贴附在该基板上的晶片的表面进行摄像而检测该对准标记的位置及所述分割预定线，将该对准标记与该分割预定线之间的位置关系作为位置关系信息来进行存储；对准标记位置检测步骤，在实施了该位置关系存储步骤之后，从该晶片侧对贴附有晶片的该基板进...

【技术特征摘要】
2011.06.23 JP 2011-1396061.一种晶片的加工方法，在该晶片中，在由形成于表面的多个交叉的分割预定线划分而成的各区域上形成有器件， 该加工方法的特征在于包括 基板准备步骤，准备由透明体构成的基板，该基板具有贴附晶片的晶片贴附区域、围绕该晶片贴附区域的外周剩余区域以及形成于该外周剩余区域的对准标记； 贴附步骤，在该基板的该晶片贴附区域贴附晶片的表面而使晶片的背面露出； 位置关系存储步骤，从该基板侧通过该基板对贴附在该基板上的晶片的表面进行摄像而检测该对准标记的位置及所述分割预定线，将该对准标记与该分割预定线之间的位置关系作为位...

【专利技术属性】
技术研发人员：关家一马，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：