晶片的加工方法技术

本发明专利技术提供在减少晶片破损的顾虑的同时，能够检测晶片的分割预定线，沿着分割预定线对晶片实施加工的晶片的加工方法。该加工方法包括：将对准标记与分割预定线之间的位置关系作为位置关系信息来进行存储位置关系存储步骤；在实施了位置关系存储步骤之后，从晶片侧对贴附有晶片的基板进行摄像，检测对准标记的位置的对准标记位置检测步骤；根据通过对准标记位置检测步骤检测的对准标记的位置和通过位置关系存储步骤存储的位置关系信息，从贴附在基板上的晶片的表面侧沿着分割预定线对晶片实施加工的加工步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及即使形成得 薄也容易处理的。
技术介绍
在由形成在表面上的多个交叉的分割预定线而划分而成的各区域上形成有分立器件(个別半导体)(以下，还简单地表述为“器件”)的晶片中，在进行了用于薄化的背面研磨之后，通过溅射或蒸镀而将作为电极工作的金属层形成在背面。另外，作为分立器件(个別半导体)，例如，有晶体管、二极管、电容器、M0SFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (金属半导体场效应晶体管))、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor (绝缘栅双极晶体管))等。公知有如下所述的方法在薄化了晶片之后形成金属层时，为了防止晶片破损，仅对晶片背面的中央部进行薄化而形成圆形凹部，使外周剩余区域残留而作为加强部(参照专利文献I)。专利文献I日本特开2007-19379号公报例如，当将晶片薄化到50 μ m以下时，即使使用在专利文献I中公开的方法，也很难防止处理时的晶片破损。因此，考虑在基板上贴附晶片来进行薄化，在基板贴附了晶片的状态下，用金属来被覆晶片背面而形成金属层。此处，为了减少晶片破损的顾虑，在将晶片贴附在基板上的状态下，期望沿着分基板割预定线分割晶片、或对晶片实施加工。但是，在贴附在基板上而露出金属层的同时，表面(形成有器件的面)被贴附在上的晶片中，存在不能检测分割预定线的位置，不能实施沿着分割预定线进行加工的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供，即，在减少晶片破损的顾虑的同时，能够检测晶片的分割预定线，沿着分割预定线对晶片实施加工。根据第I方面记载的专利技术，提供，在该晶片中，在由形成于表面的多个交叉的分割预定线划分而成的各区域上形成有器件，该加工方法的特征在于包括基板准备步骤，准备由透明体构成的基板，该基板具有贴附晶片的晶片贴附区域、围绕该晶片贴附区域的外周剩余区域以及形成于该外周剩余区域的对准标记；贴附步骤，在该基板的该晶片贴附区域贴附晶片的表面而使晶片的背面露出；位置关系存储步骤，从该基板侧通过该基板对贴附在该基板上的晶片的表面进行摄像而检测该对准标记的位置及所述分割预定线，将该对准标记与该分割预定线之间的位置关系作为位置关系信息来进行存储；对准标记位置检测步骤，在实施了该位置关系存储步骤之后，从该晶片侧对贴附有晶片的该基板进行摄像，检测该对准标记的位置；以及加工步骤，根据通过该对准标记位置检测步骤检测到的该对准标记的位置和通过该位置关系存储步骤存储的该位置关系信息，从贴附在该基板上的晶片的背面侧沿着该分割预定线对晶片实施加工。根据第2方面的专利技术，还包括薄化步骤，在实施了所述贴附步骤之后，对贴附在该基板上的晶片的背面进行研磨来进行薄化；以及金属被覆步骤，在实施了该薄化步骤之后，由金属被覆晶片的背面，所述位置关系存储步骤是在实施了该金属被覆步骤之后实施的。根据本专利技术，由于在将晶片贴附在基板上的状态下进行处理，因此能够减少晶片破损的顾虑。由于使基板成为透明体，因此能够在贴附在基板上的状态下检测晶片的分割预定线，能够实施沿着分割预定线的晶片加工。附图说明图I是晶片的立体图。图2 (A)是示出贴附步骤的立体图，图2 (B)是示出在基板贴附了晶片的状态的 立体图。图3是示出薄化步骤的立体图。图4是将晶片贴附在基板上的状态的剖视图。图5是切削装置的外观的立体图。图6是说明位置关系存储步骤的部分截面侧视图。图7是说明位置关系存储步骤的俯视图。图8是说明对准标记位置检测步骤的部分剖视图。图9是关于对准步骤的说明图。图10是说明金属层去除方法的部分截面侧视图。图11是说明激光加工装置的改质层形成方法的部分截面侧视图。图12 (A)是关于晶片对扩展带的贴附的说明图，图12 (B)是关于基板分离的说明图，图12 (C)是关于器件分离的说明图。图13是示出对准标记的配置的其他实施方式的俯视图。图14是示出对准标记的配置的另一其他实施方式的俯视图。图15是说明利用保持台的实施方式的剖视图。符号说明2研磨装置4卡盘台6研磨磨石10激光束照射头11 晶片13a第I分割预定线13b第2分割预定线15 器件18金属层21 基板27a对准标记27b对准标记28A对准基准线31卡盘台39载置用夹具42切削单元Θ i 角度Θ 2 角度具体实施方式 以下，参照附图详细说明本专利技术的实施方式。图I示出晶片11(半导体晶片11)的表面侧的立体图。图I所示的晶片11由例如厚度为700 μ m的硅晶片构成，在表面Ila上以格子状形成有在第I方向延伸的多个第I分割预定线(间隔道)13a和在第2方向延伸的多个第2分割预定线(间隔道)13b，并且在由该多个第I分割预定线13a和第2分割预定线13b划分而成的多个区域分别形成有晶体管、IGBT等器件15。如上所述构成的晶片11具有形成有器件15的器件区域17、围绕器件区域17的外周剩余区域19。另外，在晶片11的外周形成有作为表示硅晶片的晶体取向的标记的槽口12。并且，在本专利技术的中，首先如图2(A)所示，进行准备由透明体构成的基板21的基板准备步骤。基板21构成为圆盘状，具有用于贴附同样形成为圆盘状的晶片I的晶片贴附区域23、和围绕晶片贴附区域23的外周剩余区域25。基板21由透明体构成。关于透明体的原材料，虽然不特别限定，但是例如可以考虑玻璃、丙烯酸树脂等。在基板21的外周剩余区域25上，在通过基板21中心的直线上，在隔着中心相反的位置上设置有对准标记27a、27b。该对准标记27a、27b用于划定基板21与晶片11的相对位置。接着，对如上所述准备的基板21的晶片贴附区域23，实施贴附晶片11的表面而使晶片11的背面Ilb露出的贴附步骤。具体地讲，如图2(A)所示，使晶片11的表面Ila与基板I的表面21a相对，如图2(B)所示，通过使晶片11贴附到基板21的表面21a，成为晶片11的背面Ilb露出的状态。由于对准标记27a、27b设置在外周剩余区域25上，因此对准标记27a、27b配置在晶片11的外侧。晶片11对于基板21的贴附是通过粘接剂来粘接的。作为粘接剂，虽然不特别限定，但是优选例如使用紫外线硬化型粘接剂。特别是，从后述的基板21的分离作业的容易性的观点考虑，优选紫外线硬化型粘接剂。由此，实施在晶片11的表面Ila上贴附基板21的贴附步骤，接着，实施研磨晶片11的背面Ilb来进行薄化的薄化步骤。在该薄化步骤中，如图3所示，在研磨装置2的卡盘台4上吸引保持基板21的同时，在使研磨磨石抵接在晶片11的背面Ilb的状态下使卡盘台4向箭头a的方向旋转(例如300rpm),在使研磨磨石6向箭头b的方向旋转的(例如6000rpm)同时将研磨磨石向接近晶片的方向研磨进给，从而对晶片11的背面Ilb进行研磨。通过该薄化步骤，晶片11的厚度例如被设定为50 μ m、30 μ m的厚度。在实施了薄化步骤之后，如图4所示，实施用金属被覆晶片11的背面Ilb的金属被覆步骤。具体地讲，在晶片11的背面Ilb通过溅射、蒸镀而被覆金属层18。另外，关于金属层18的原材料，虽然不特别限定，但是例如可以例举铜、铝、金等。在图4中，示出在基板21的截面、和基板21的表面21a设置的对准标记27a、27b。示出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，在该晶片中，在由形成于表面的多个交叉的分割预定线划分而成的各区域上形成有器件，该加工方法的特征在于包括：基板准备步骤，准备由透明体构成的基板，该基板具有贴附晶片的晶片贴附区域、围绕该晶片贴附区域的外周剩余区域以及形成于该外周剩余区域的对准标记；贴附步骤，在该基板的该晶片贴附区域贴附晶片的表面而使晶片的背面露出；位置关系存储步骤，从该基板侧通过该基板对贴附在该基板上的晶片的表面进行摄像而检测该对准标记的位置及所述分割预定线，将该对准标记与该分割预定线之间的位置关系作为位置关系信息来进行存储；对准标记位置检测步骤，在实施了该位置关系存储步骤之后，从该晶片侧对贴附有晶片的该基板进行摄像，检测该对准标记的位置；以及加工步骤，根据通过该对准标记位置检测步骤检测到的该对准标记的位置和通过该位置关系存储步骤存储的该位置关系信息，从贴附在该基板上的晶片的背面侧沿着该分割预定线对晶片实施加工。

【技术特征摘要】
2011.06.23 JP 2011-1396061.一种晶片的加工方法，在该晶片中，在由形成于表面的多个交叉的分割预定线划分而成的各区域上形成有器件， 该加工方法的特征在于包括 基板准备步骤，准备由透明体构成的基板，该基板具有贴附晶片的晶片贴附区域、围绕该晶片贴附区域的外周剩余区域以及形成于该外周剩余区域的对准标记； 贴附步骤，在该基板的该晶片贴附区域贴附晶片的表面而使晶片的背面露出； 位置关系存储步骤，从该基板侧通过该基板对贴附在该基板上的晶片的表面进行摄像而检测该对准标记的位置及所述分割预定线，将该对准标记与该分割预定线之间的位置关系作为位...

【专利技术属性】
技术研发人员：关家一马，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：